- 亚衍射散射条2017/10/30 21:52:57 2017/10/30 21:52:57
- 两束光成像相比三束光成像具有更大的焦深,对于孤立的图形,由于进人光瞳的衍射级非常多,换句话说,UC3842其衍射谱是连续的,其焦深比密集图形要小。那么,如何提高孤立图形的焦深呢?在20世纪90年...[全文]
- 酚醛树脂-二氮萘醌光刻胶中的二氮萘醌的光化学反应结构2017/10/30 21:27:14 2017/10/30 21:27:14
- 光刻胶一般由以下几大组成成分构成:主聚合物主干(backbonepolymer)、光敏感UC2813D-3成分(PhotoactiveCompound,PAC)、刻蚀阻挡基团(etchingre...[全文]
- 光刻胶配制原理2017/10/30 21:25:01 2017/10/30 21:25:01
- 这里只讨沦一些基本的光刻胶内容,具体的请见专门的章节。这里介绍光刻胶的类型、UA7812C光刻胶的原理以及光刻胶的简单模型。光刻胶首先可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶在给...[全文]
- 彗星像差2017/10/30 21:19:58 2017/10/30 21:19:58
- 彗星像差(coma),简称彗差。是一种U4065B-MFLG3非对称像差。最低阶的是zi(X方丨句)、Z:(Y方向),如图7.77(a)所示,在离轴的位置上,光线经过透镜的不同部位聚焦在不同位置...[全文]
- 光刻机原理介绍2017/10/29 13:57:39 2017/10/29 13:57:39
- 一台光刻机可分为几大系统:硅片输运分系统(waferhndlcrsu⒍wstem)、硅片平台V80102MS02Q(PB)分系统(w盯er鼓agesu⒈wstem)、掩膜版输运分系统(rctid...[全文]
- 一维周期性光栅在相干照明条件下的成像 2017/10/29 13:37:58 2017/10/29 13:37:58
- 对于光刻成像模型,我们先要讨论一下光的衍射(diffraction)和干涉(interference)。为V61C32P-70了讨论一般性原理,我们讨论一维周期性光栅在相干照明条件下的成像。所谓...[全文]
- 光刻成像模型,调制传递函数2017/10/29 13:35:01 2017/10/29 13:35:01
- 光刻是通过镜头将掩膜版上的图像成像到涂有光刻胶的硅片上。现代光刻机的光学系统分为照明系统和成像系统。照明系统的主要功能是将光源输出的光进行调整,V52C4258Z70以实现不同的部分相干(oar...[全文]
- 对于普通电阻器,其检测方法如下2017/10/28 10:27:10 2017/10/28 10:27:10
- 对于普通电阻器,其检测方法如下。(1)根据电阻器上的色环标示或文字标示读出该电阻器的标称阻值。R05E05(2)将数字万用表挡位调至欧姆挡,根据电阻器的标称阻值确定量...[全文]
- 光敏电阻器2017/10/28 10:24:13 2017/10/28 10:24:13
- 光敏电阻器是一种电导率随吸收的光量子多少而变化的敏感电阻器。它是利用半导体的光电效应特性而制成的,在无光照射时呈高阻状态,当有光照射时其电阻值迅速减小。R05107ANP-011热...[全文]
- 金属膜电阻器的外形及结构与碳膜电阻器相似2017/10/28 10:23:12 2017/10/28 10:23:12
- 金属膜电阻器的外形及结构与碳膜电阻器相似,不同的是金属膜电阻器是在陶瓷骨架表面,R05107ANP经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜而成的。金属膜电阻器的性能比碳膜电阻器好,主要体现...[全文]
- 底部内切(undercut):与底部站脚相反2017/10/28 10:12:49 2017/10/28 10:12:49
- 底部内切(undercut):与底部站脚相反,内切是由于光刻胶底部的酸性较高,底部的去保护反应比其他地方的高。解决的思路正好同上面的相反。RLF7030T-3R3M4R1...[全文]
- 芯片区域内或者图形区域内的线宽均匀性改进2017/10/26 21:14:48 2017/10/26 21:14:48
- 由于影响此范围内的因素很多,只讨论一些主要的方法。(1)提高工艺窗口,优化工S8065K艺窗口。对于密集图形,可以采用离轴照明来同时提高对比度和对焦深度,通过相移掩膜版来提高对比度...[全文]
- 光刻机的找平一般有以下两种模式2017/10/25 21:37:30 2017/10/25 21:37:30
- 光刻机的找平一般有以下两种模式:(1)平面模式;在曝光区域上或者整片硅片上测量若干点的高度,然后根据最小二乘法定出平面;TA75393F(2)动态模式(扫描式光刻机专...[全文]
- 直到遇到不透明介质或者反射介质2017/10/25 21:35:27 2017/10/25 21:35:27
- 真实的系统要复杂得多,TA75358F其中包括如何将独立的分离开来。由于需要同时测量这三个独立的参量,一束光是不够的(只有横向偏移两个自由度),需要至少两束光。而且,如果需要探测在曝光区域或者狭...[全文]
- 曝光能量宽裕度,归一化图像对数斜率(NILs)2017/10/25 21:21:52 2017/10/25 21:21:52
- 曝光能量宽裕度,归一化图像对数斜率(NILs)在第二节中提到:曝光能量宽裕度(EL)是指在线宽允许变化范围内,曝光能量允许的最大偏差。TA7506M它是衡量光刻工艺的一项基本参数。...[全文]
- 显影后烘焙,坚膜烘焙2017/10/25 21:18:15 2017/10/25 21:18:15
- 在显影后,由于硅片接触到水分,光刻胶会吸收一些水分,这对后续的工艺,如湿发刻蚀不利。TA7504M于是需要通过坚膜烘焙(hardbake)来将过多的水分驱逐出光刻胶。由于现在刻蚀大多采用等离子体...[全文]
- 光刻技术发展历史2017/10/24 20:21:53 2017/10/24 20:21:53
- 自从1958年9月12日杰克・基尔比(Jacks.Kilby)发明了世界第一块集成电路以来,集成电路已经走过50多年的高速发展历程,现在最小线宽已经在20~30nΠ1之间,进XC1...[全文]
- 退火过程中晶粒的变化2017/10/24 20:18:44 2017/10/24 20:18:44
- 图6.45为铜晶粒大小与线宽的关系L31Ⅱ9J,由于硅片上的沟槽对铜晶粒的几何束缚作用,XC1765DJC退火之后铜晶粒大小对线宽相当敏感。对于相同的退火条件,线宽越小,退火之后铜晶粒越小。为了...[全文]
- 过电镀(orr p1athg)2017/10/24 20:11:39 2017/10/24 20:11:39
- 由于添加剂的作用,实际填XC17512LPI洞是以底部上长(bottomup)的方式进行的,孔槽底部的生长速率大于侧壁和开口处的生长速率,在填满孔槽的瞬间还会继续冲高生长,最终有孔槽部分的膜的厚...[全文]
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