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直流电流和直流电压的比值比正常大很多2017-11-23 20:54:40
若上述检查增均正常,则再检查逆变晶间管(KK)是否损坏。用万用表R×1挡检测,M01221如果测量晶闸管阴极与阳极之间的电阻为零,则晶闸管损坏,更换晶闸管。若中频电源逆变晶闸管损坏一只(两只),...[全文]
打线键合(Wire Bc,nd)2017-11-22 21:26:27
将芯片颗粒的金属焊接垫(bondpad)与支架,用金属引线焊接联通在一起。打线机OB2538的工艺主要参数为4项:键合时温度、打线劈刀的压力、超音输出能量、超音作用时间。...[全文]
数宇逻辑与自动测试矢量生成(ATPG)2017-11-22 20:43:29
通路敏化法以及相关的自动测试生成算法对一条通路中所有逻辑门电路的一切输人设定适当的值,然后追踪信号线上的这个逻辑变化传播到输出端的结果,其输出端的逻辑变化能反映该信号线的逻辑变化,...[全文]
IDDQ测试和失效分析2017-11-22 20:41:46
理论上IDDQ测试的失效现象是存在不正常的大漏电流路径.在时效分析手法用EMMI或OBRICH最有效。OB2226AP因为大漏电流引起的热点、外线L及复台产t的光子等・由此对缺陷点...[全文]
储存器可测性设计2017-11-21 21:52:49
随着单一芯片储存器容量成长到.测试时间也随着增加:如暂时不考虑芯片操作频率的变化,TDA7719TR当容量增加4倍,理论测试时间也增加为4倍;产能也就降为11。若号虑操作频率加快,则测试时间可能...[全文]
需要定义新的方法来计算对产品的影响2017-11-21 21:20:46
当考虑由于⒏,F测试的限制,测完A项目后,只有60个样品参与B项目的测试・T7024PGPM实际影响应该是50%(60个中30个失效),这就是B项日的lin)itedyield。汁...[全文]
Classihcatlon分析案例2017-11-20 21:14:19
通常,不同的类别,背后的物理机制不同。对于单个类别再进行更进一步的细化分析(correiati°n,commonality等)会更加有效。Classificati。n需要有专业的软...[全文]
常用的分析方法2017-11-20 21:10:54
相关性(corrclation)分析被广泛应用于查找各种问题的根源。一般利用⒌atterplot形示响应变量(response)和囚素(factor)之间可能存在的相关关系。TJA1055T/3...[全文]
不好的实验设计方案2017-11-20 20:09:45
但是,如果要考虑所有的交互效应,代价巨大。以六因素,每因素两水平(即六步△艺,每I艺只有两个对照条件)为例,需要64个实验条件,这对于常规的I艺线已经难以承受。SGM8903YTS14G...[全文]
良率学习载体2017-11-20 19:53:14
在良率提升阶段,使用的光罩,包含一种或者多种产品,或者包含各种特殊设计的测试结构,通常称为良率学习载体(yieldlearningvehicle)。SC806IMLTRT采用逻辑或...[全文]
 扫描系统2017-11-18 17:09:21
扫描系统:其作用是SA555P提供入射电子束在样品表面以及阴极射线管电子束在荧光屏的同步扫描信号。改变人射电子束在样品表面的扫描振幅,以获得所需放大倍数的扫描像。它由扫描信号发生器、放大控制器等...[全文]
变异分析2017-11-17 22:26:25
1.重复性重复性(repeatability)是指在尽可能相同的测量条件下,对同一测量对象进行多次重复测量所产生的波动。重复性波动主要是反映量具本身的波动,0是测量过程中由于重复测...[全文]
经时介电层击穿(TDDB) 2017-11-17 22:03:50
当栅氧化层在偏压条件下T作时,其漏电流会逐渐增加,最后导致击穿,从而使栅氧化层失去绝缘功能。UC3524ADWTR一般情况下,栅氧化层的可靠性测试是在恒定电压下进行的,这种失效模式被称为时间相关...[全文]
失效分析是一门边缘科学2017-11-16 21:00:19
失效分析是一门边缘科学・它跨越各种科学技术领域并把各白独立的技术综合在一起,SI7129DN它也可以是一闸综合性科学。所以进行失效分析时要经常与器件设计者、制造者、使用者方共同分析...[全文]
纳米探针测量2017-11-16 20:37:18
纳米探针测量:PN结电性测量结果如图14.31所示,异常衬度钨插塞与衬底之问的反向漏电流比正常lx域大三个量级。但是从PN结的特性曲线上来分SGM8622XS析,异常结构依旧保持了较为正常的PN...[全文]
电子光学部分2017-11-15 21:00:38
电子光学部分。通常称T0RX179为镜筒,是透射电子显微镜的核`b,它义可以分为照明系统、成像系统和观察照相室部分.照明系统分成两部分,即电子枪和聚光镜(1~2级,现代高性能TEM...[全文]
Voltage Contrast电压衬度2017-11-15 20:57:58
以SEM的电子束作为探针的SEM电势衬度定位技术,在失效定位技术中我们已经做了简单介绍。T08085NH利用SEM的电子束与固体样品互作用后所产生二次电子的产额受样品表面电势高低影响,来调制样品...[全文]
背散射电子2017-11-15 20:52:18
背散射电子:被固体T0505DH样品原子反弹回来的一部分人射电子,它来自样品表层几百纳米的深度范围,其能量大大高于二次电子能量,所以背散射电子图像的空间分辨率比二次电子信号差。背散射电子包括弹性...[全文]
二次电子产额随原子序数的变化不大2017-11-15 20:46:47
二次电子产额随原子序数的变化不大,它主要取决于表面形貌。在二次电f发射过程次电子的数日原电子数日的比值称为二次电子产额,主要与入射电f能量、人射电T048-2DCN子人射角、材料的逸出功以及表面...[全文]
扫描电子显微镜的几种电子像分析2017-11-15 20:44:38
解到前而介绍了具有高能童的人射电子束勹罔体样甜l的原子核及核外电子发,可T018-002P产多种物理信号:工次电子、背散射电子、吸收电子、俄歇电子、特征X射线等,扫捕电镜最常使用的是二次电子信号...[全文]
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