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纳米压印光刻2017-5-27 20:26:56
纳米压印光刻(Nan。Impol△tLithography,NIL)是由华裔科学家,美国普林斯顿大学的CHOU等在1995年首先提出的一种全新的纳米图形复制方法。H27U1G8F2BFR-BC它...[全文]
毛刺和钻蚀2017-5-24 22:03:49
腐蚀时,如果腐蚀液渗透光刻胶膜的边缘,会使图形边缘受到腐蚀,从而破坏掩蔽扩散的氧化层或铝条的完整性。若渗透腐蚀较轻,图形边缘出现针状的局部破坏,HAT3008RJ-EL-E习惯上就称为毛刺;若腐...[全文]
浮胶 2017-5-24 21:58:26
浮胶就是在显影和腐蚀过程中,由于化学试剂不断侵入光刻胶膜与sO2或其他薄膜间的界面,HAT3008R-EL-E所引起的光刻胶图形胶膜皱起或剥落的现象。所以,浮胶现象的产生与胶膜的黏附性有密切关系...[全文]
前烘的温度和时间需要严格地控制2017-5-24 21:27:29
前烘的温度和时间需要严格地控制,一般须在80~110℃的红外灯下或烘箱内烘烤5~10min。如果前烘的温度太低,除了光刻胶层与硅片表面的黏附性变差之外,HAT2093R-EL-E曝光的精确度也会...[全文]
蒸镀薄膜的质量及控制2017-5-22 19:45:20
蒸镀工艺主要在制备微电子器件内电极或集成电路互连布线,以及光刻剥离技术时的金属或合金薄膜时采用,这时衬底表面多已覆盖有厚的氧化介质层或光刻胶,L4949ED并有光刻形成的接触孔窗口。因此,蒸镀薄...[全文]
闭管扩散与开管扩散设各相同2017-5-14 17:59:55
闭管扩散与开管扩散设各相同,只是炉管封闭,其特点是把杂质源和将要扩进杂质的衬底片密封于同一石英管内,因而扩散的均匀性、重复性较好,R1224N102H-TR-F扩散时受外界影响小,在大面积深结扩...[全文]
氧化物窗口边缘扩散杂质等浓度曲线2017-5-14 17:51:41
由图⒌13中曲线可见,硅内浓度比表面浓度低两个数量级以上时,横向扩散的距离约为纵向扩散距离的75%~85%,这说明横向结的距离要比垂直结的距离小。R1170H181B-T1-HB如果是高浓度扩散...[全文]
热氧化机理2017-5-11 22:30:41
由二氧化硅基本结构单元可知,位于四面KM29U128T体中心的s原子与4个顶角上的氧原子以共价键方式结合在一起,s原子运动要打断4个s―O键.而桥联氧原子的运动只需打断两个⒊―O键,非桥联氧原子...[全文]
固溶度和相图2017-5-7 17:09:25
在微电子产品中实际使用的衬底硅片不会是纯净的本征半导体,而是掺人了特定杂质的固溶体,是混合物材料。GD75232DWR通常采用固溶度和相图来表征混合物体系在热力学平衡状态下的性质。掺杂单晶硅,杂...[全文]
在微电子产品中作为衬底使用的硅片是完整晶态的单晶硅2017-5-6 18:09:05
在微电子产品中作为衬底使用的硅片是完整晶态的单晶硅。纯单晶硅在室温下只有微弱的导电性,这时的导电性主要来源于本征激发,单晶硅是本征半导体。NCP18XH103J03RB当在晶体中掺人Ⅴ族的磷、砷...[全文]
选择固态继电器的带负载能力2017-5-5 21:14:19
选择固态继电器的带负载能力由于继电器的额定负载是指纯阻性负载,因而选P8051AH用时应根据受控电路的电源电压和电流来选择固态继电器的输出电压和输出电流,予以不同的处理。如负载为电动机电路时触点...[全文]
多帧检测概率和虚警概率计算2017-5-1 14:43:53
在实际的红外点目标检测系统中,根据单帧图像来判定目标有无,通常虚警概率会比较高,HCNW-4504如果单纯通过加大检测门限的办法来降低单帧的虚警概率,则会降低系统的检测概率,增加漏警概率,在大多...[全文]
红外探测器读出电路2017-4-23 20:30:54
读出电路是红外探测器(尤其是红外焦平面阵列探测器)当中的十分重要的环节。FCA20N60相对于周围物体的红外辐射,被测物体的辐射信号一般都相当微小,光电流大小为纳安或者是皮安量级,要把这么小的信...[全文]
Ptsi探测器2017-4-23 20:27:32
Ptsi探测器阵列是目前可实用的最大规模的红外图像传感器,已生产的产品方形结构面阵可达10z×10⒛元,FAS466/2405176矩形结构最大娲0ד0元。还有带16行或4行TDI功能的⒛鲳元...[全文]
载波的空间状态按信息规律变化2017-4-22 22:37:32
①时间调制:载波的M4A2010S471EBP时间状态按信息规律变化。②空间调制:载波的空间状态按信息规律变化。③时空混合调制:载波的时间和空间都随信息规律变化。...[全文]
负载电容2017-2-13 21:50:35
它是指与石英晶体谐振器一起决定负载谐振频率的有效外接电容。M24C01-BN6晶振器件可等效于电感,故组成振荡电路必需配各外部电容(负载电容CI)。在规定的CL下晶振器件的振荡频率被称为标称频率...[全文]
光电管2017-2-12 19:36:23
光电管叉可分为真空光电管和充气光电管两种。真空光电管是真空光敏器件中的早期产品,它具有结构简单牢固,稳定性好.光电LP2996M线性范围和频谱特性的线性范围较宽,寿命长等特点,故它...[全文]
该参数相当于普通三极管2017-2-11 20:13:20
跨导是衡量场效应管漏一源电压对漏极电流控制能力的一项重要参数,也是衡HD100164量场效应管放大作用的主要参数之一。通常跨导以漏一源电压变化1V时,漏极响应变化多少uA/v或mA/V来表示;g...[全文]
特性参数2017-2-7 21:14:29
发光二极管既具有普通二极管的参数,也具有光参数和极限参数;其中主要的光参数有半峰宽度、NCP1608BDR峰值波长、发光强度等。而发光强度是指发光二极管的发光亮度,峰值波长则反映了发光二极管的发...[全文]
光轴的调整是干涉测量系统中的重要问题2017-2-5 21:26:36
两路干涉信号相差900相位。采用在ICR18650-32A析光镜上镀铝膜的方法,配合调整两个立体直角锥棱镜可获得较满意的正弦和余弦信号。光轴的调整是干涉测量系统中的重要问题。所谓光...[全文]
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