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光刻胶 2017-5-25 21:51:53
光刻时接收图像的介质称为光刻胶。以光刻胶构成的图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀,图形就转移到晶片表面的薄膜上了,所以也称光刻胶为光致抗蚀剂。S-8052ALO-LG-T1光刻胶在特定波长的光线(或射线...[全文]
铬版的制备技术2017-5-25 21:12:23
在半导体器件和集成电路生产中,光刻用的金属化掩模版中有硫化铅版、镍铬版、铬版、铅版等ACD0900。其中硫化铅版牢固度很差,镍铬版、铅版虽然耐磨性很好,但工艺不够成熟。普遍采用的还是金属铬版。铬...[全文]
磁控溅射铝及铝合金薄膜2017-5-23 21:14:40
集成电路置艺对溅射用铝及铝合金靶的质量要求很高,除了纯度在5N以上外,还要求铝硅、铝PM8028合金靶成分必须准确、均匀。各种成分的铝及铝合金靶,如川、As1、AlCtlO5、AlSi1CtL1...[全文]
离子轰击靶过程2017-5-22 19:55:05
离子轰击靶过程是指等离子体中的离子在电场作用下加速轰击阴极靶,L78L05ACD13TR靶原子(及其他粒子)飞溅离开靶表面的过程。如图⒏18所示为离子轰击固体表面时可能发生的物理现象。即可能发生...[全文]
高密度等离子体的产生2017-5-19 21:14:38
高密度等离子体(HigllDen“tyPlⅡma,HDP)技术是在⒛世纪80年代末90年代初发展起来的新一代等离子体技术。直流和射频放电产生的等离子体中离子和活性基团的浓度都较低,在集成电路工艺...[全文]
等离子体及其特点2017-5-19 21:07:32
辉光放电时,气体被击穿,有一定的导电性,这种具有一定导电能力的气态混合物是由正离子、电K4B1G0846E-HCGA子、光子以及原子、原子团、分子和它们的激发态所组成的,称为等离子体。等...[全文]
薄膜质量控制2017-5-18 21:25:25
薄膜质量,主要是指薄膜是否为保形覆盖,界面应力类型与大小,薄膜的致密性、厚度均ON4986匀性、附着性等几方面特性。通过分析薄膜的质量特性,对淀积过程进行控制,从而制备出满足微电子I艺所需的薄膜...[全文]
两步扩散工艺2017-5-13 18:37:28
实际生产中,扩散温度一般为900~1200℃,在这样的温度范围内,常用杂质如硼、磷、砷和锑MAX5417LETA+T等在硅中的固溶度随温度变化不大。例如,硼的固溶度总是保持在5×10Ⅱcm3左右...[全文]
固相外延2017-5-10 22:28:58
固相外延(SohdPha⒃Epitav,SPE)是将晶体衬底上的非晶(或多晶)薄膜(或区域)在高温下退火,MAX1811ESA使其转化为单晶。例如,单晶硅片采用离子注入工艺掺杂①,当掺杂剂量大或...[全文]
喷射炉2017-5-10 22:20:32
喷射炉通常叉被称为努森(Knu摁en)池或K池。在生长室内有多个喷射炉,各喷射炉前都有快门。喷MAX1714AEEP射炉是为外延物质加热的源炉,加热器通常采用电子束加热。喷射炉能精确地保持特定温...[全文]
氮气预冲洗的目的是清除反应器中原有气体2017-5-9 21:33:34
氮气预冲洗的目的是清除反应器中原有气体,净化反应器内气氛;再用氢气预冲洗,进一步LD1117AS50TR净化反应器内气氛;加热器上电,逐步升温,使基座和反应器壁上吸附的气体解吸;通氯化氢气体排空...[全文]
晶体掺杂2017-5-8 20:16:39
微电子丁艺使用的衬底硅片既有本征型的,又有掺杂型的,根据不同微电子产品r艺特点,选用K4S561632J-UC75特定导电类型和电阻率的硅片作为衬底材料。因此,在单晶生长时,需要在硅锭中掺人一定...[全文]
单晶生长原理2017-5-8 20:15:24
币晶生长过程即相变过程。以直拉K4S281632F-UC60法⒋长单晶硅为例。将坩埚内的熔体和拉出的晶体看做一个热力学系统,单晶隹长过程就是熔体/晶体界面向熔体方向的推移过程。从结...[全文]
硅 衬 底 2017-5-6 18:05:15
锗、硅、砷化镓是微电子产品中使用最多的半导体衬底材料。锗使用得最早,在微电NCP1406SNT1G子产品刚刚出现时就用其作为半导体器件及最初的小规模集成电路的衬底材料,目前除少量分立器件采用锗外...[全文]
物质还有其他两种形式2017-4-30 19:23:24
每次我们想指定一个分子时就画一个图2.15是不方便的,更常用的方式是写出分子式:G15N60RUFD如水就是熟悉的H207这个分子式确切地告诉我们在材料中的元素和其数目。化学家用更确切的术语化合...[全文]
滤波技术2017-4-27 21:06:26
在红外光电系统中,针对背景的不同特性采用了相应的背景抑制技术。利用目EZAEG2A50AX标和背景信号在空间分布特性上的不同,采用空间滤波技术抑制背景;利用目标和背景信号在光谱分布特性上的不同,...[全文]
杂散光对系统的危害很大2017-4-26 23:06:43
杂散光对系统的危害很大,包括:S29AL016D70TFI02(1)降低像面的对比度和调制传递函数;(2)使整个画面的层次减少,清晰度变坏,像面上能量分布混乱;...[全文]
相机整体扫描2017-4-25 21:48:20
一些舰载、车载的光电搜索跟踪一体化的设备(IRST)采用了传感头整体扫描搜索的工作模式,传感头内通常装载了多种不同工作波段的传感器组件,M24128-BWMN6P由于各个传感器光学系统相对独立,...[全文]
迈克尔逊干涉仪2017-4-23 19:52:33
干涉分光主要利用迈克尔逊干涉原理,迈克尔逊干涉仪的光路示意图如图3-49所示,FAN7388MX它由相互垂直的两个平面反射镜M1、M2以及与反射镜成笱°的分束片G1组成。动镜M2可沿镜轴方向前后...[全文]
传统的波动光学理论不能很好地解释光电效应2017-4-22 22:32:10
传统的波动光学理论不能很好地解释光电效应,1905年,爱因斯坦对光电效应提出了一个理论,解决了之前光的波动理论所无法解释的现象,M4A2010S121FBP他引入了光子——一个携带光能的量子概念...[全文]
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