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电容2017-6-17 20:27:29
电容通常用于电源总线的去耦、滤波、旁路和稳压。在自谐振频率以下,电容保持电容性。EC10QS04在自谐振频率以上,电容呈现电感性。可用来描述。其中,Xc是容抗,单位为欧姆(Ω);r是频率,单位为...[全文]
电容的电参数随电场频率而变化2017-6-16 21:25:24
频率特性。电容的M30281F8HP电参数随电场频率而变化,在高频条件下工作的电容,由于介电常数在高频时比低频时小勺所以电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外,在高频工作时,电容的分布...[全文]
静电放电与螺钉2017-6-8 21:28:05
【现象描述】在对某型号的路由器进行ESD测试过程中,发现仅对路由器施加±4kⅤ的静电放电干扰就会使路由器死机。NDD03N50Z-1G仔细检查该设备就发现了问题所在,路由器的WAN...[全文]
屏蔽材料的压缩量与屏蔽性能2017-6-8 20:53:05
案例6:屏蔽材料的压缩量与屏蔽性能【现象描述】某居住环境使用的产品,辐射发射N0515NQ-ZP要求符合EN55Ⅱ2的CLA“B限值。测试时发现在I⒛MHz附近有多个...[全文]
天线检测信号的方法2017-6-5 20:05:20
天线具有两种转换的功能:转换电磁波为电路可以使用的电压和电流,转换电C0805C300K5RACAUTO压和电流为发射到空间的电磁波。信号是通过电磁波传输到空间中的,电磁波由分别用Ⅴ/m和A/m...[全文]
固定错误2017-6-2 22:03:20
单一固定错误是数字测试中应用最多的失效模型,它假定电路中的任何物理失效导致节点被固定为逻辑0,⒌ao或逻辑。例如,一个二VEJ221M1H1010-TRO输入与非门存在8种可能的固...[全文]
SOP和QFP技术2017-6-1 20:37:22
SOP和QFP是表面安(贴)装型封装,是封装sSI、M⒏和LSI芯片的重要封装技术。SOP全部为塑封,PC82573L引脚为两边引出;而QFP有塑封(PQFP)和陶瓷封装(αFP)之分引脚均为四...[全文]
超浅源漏延伸区结构2017-5-30 12:17:45
源漏延伸区结构是从LDD结构发展而来的c随着器件尺寸的进一步减小,虽然漏PAM3101AAA300极电场也增加,但该电场加速的路程也随之减小,因而热载流子效应退居次要位置,而短沟道效应成为首要问...[全文]
合金工艺2017-5-29 17:15:24
金属膜经过图形加工以后,形成了互连线。但是,还必须对金属互连线进行热处理,使金属牢固地附着于衬底硅片表面,并且在接触窗口与硅形成良好的欧姆触。这一热处理过程称为合金工艺。M51257ALL-85...[全文]
质谱分析2017-5-29 16:52:46
质谱分析法是另一种终点探测的方法,它还可以提供在刻蚀前后,刻蚀腔内成分的相关信息。这ICM7555CBAZ种方法是利用刻蚀腔壁上的洞来对等离子体中的物质成分进行取样,取得的中性粒子被电子束电离成...[全文]
铝及铝合金的干法刻蚀2017-5-28 15:02:31
铝是半导体工艺中最主要的导体材料。它具有低电阻、易于淀积和刻蚀等优点。OPA2604IDRQ1氟化物气体所产生的等离子体并不适用于铝的刻蚀,因为反应产物的蒸气压很低不易挥发,很难脱离被刻物表面而...[全文]
光刻设备 2017-5-27 20:41:49
从平面工艺诞生以来,光刻设备可以分为五代。每一代叉以那个时期获得σ)和分辨率所需的设备类型为代表。这5个精细光刻时代的代表是:接触式光刻机;M62352GP接近式光刻机;扫描投影光刻机;分步重复...[全文]
光学光刻胶2017-5-26 20:50:57
响应波长在紫光和近、中、远紫外线的光刻胶称为光学光刻胶。其中紫光和近紫外线正、负胶有SC16-1000多种,用途非常广泛。用于远紫外线的胶目前多还处在研究阶段。图10-10为正胶和负胶进行图形转...[全文]
光刻胶 2017-5-25 21:51:53
光刻时接收图像的介质称为光刻胶。以光刻胶构成的图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀,图形就转移到晶片表面的薄膜上了,所以也称光刻胶为光致抗蚀剂。S-8052ALO-LG-T1光刻胶在特定波长的光线(或射线...[全文]
铬版的制备技术2017-5-25 21:12:23
在半导体器件和集成电路生产中,光刻用的金属化掩模版中有硫化铅版、镍铬版、铬版、铅版等ACD0900。其中硫化铅版牢固度很差,镍铬版、铅版虽然耐磨性很好,但工艺不够成熟。普遍采用的还是金属铬版。铬...[全文]
磁控溅射铝及铝合金薄膜2017-5-23 21:14:40
集成电路置艺对溅射用铝及铝合金靶的质量要求很高,除了纯度在5N以上外,还要求铝硅、铝PM8028合金靶成分必须准确、均匀。各种成分的铝及铝合金靶,如川、As1、AlCtlO5、AlSi1CtL1...[全文]
离子轰击靶过程2017-5-22 19:55:05
离子轰击靶过程是指等离子体中的离子在电场作用下加速轰击阴极靶,L78L05ACD13TR靶原子(及其他粒子)飞溅离开靶表面的过程。如图⒏18所示为离子轰击固体表面时可能发生的物理现象。即可能发生...[全文]
高密度等离子体的产生2017-5-19 21:14:38
高密度等离子体(HigllDen“tyPlⅡma,HDP)技术是在⒛世纪80年代末90年代初发展起来的新一代等离子体技术。直流和射频放电产生的等离子体中离子和活性基团的浓度都较低,在集成电路工艺...[全文]
等离子体及其特点2017-5-19 21:07:32
辉光放电时,气体被击穿,有一定的导电性,这种具有一定导电能力的气态混合物是由正离子、电K4B1G0846E-HCGA子、光子以及原子、原子团、分子和它们的激发态所组成的,称为等离子体。等...[全文]
薄膜质量控制2017-5-18 21:25:25
薄膜质量,主要是指薄膜是否为保形覆盖,界面应力类型与大小,薄膜的致密性、厚度均ON4986匀性、附着性等几方面特性。通过分析薄膜的质量特性,对淀积过程进行控制,从而制备出满足微电子I艺所需的薄膜...[全文]
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