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玻璃基板的选择与制备2017-5-25 21:13:42
铬版的质量同所用的玻璃衬底有着密切的关系。铬版的某些缺陷往往是由于玻璃基片表面的缺陷引起的,而这些表面缺陷在清洗过程中是无法消除的。ACD0900S3CTR它们可以使铬版膜蒸发不上,或者覆盖在表...[全文]
光刻工艺对掩模板的质量要求归纳2017-5-25 21:10:06
为了得到好的光刻效果,掩模板的质量必须满足光刻工艺的一定要求。集成电A3967SLBTR-T路生产中,光刻工艺对掩模板的质量要求归纳有如下几点:①构成图形阵列的每一个微小图形要有高...[全文]
高灵敏度的光刻胶2017-5-23 21:35:44
一般来说,在Ulsi中对光刻技术的基本要求包括5个方面:①高分辨率。随着集成电路集成度PMBT2222A的不断提高,加工的线条越来越精细,要求光刻的图形具有高分辨率。在集成电路工艺中,通常把线宽...[全文]
Si02作为保护膜时为什么需要采用低温工艺2017-5-23 21:32:12
等离子体是如何产生的?PECvd是如何利用等离子体的?Si02作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温⒊02工艺有哪些方法?它们降PMBS3904低制各温度的原理是什么?...[全文]
等离子体产生过程2017-5-22 19:52:06
溅射(跏utte0现象是1852年在气体辉光放电中第一次观察到的,在20世纪20年代,I~allgm⒍r将其发展成为一种薄膜淀积技术。溅射工艺就是利用气体反常辉光放电时气体等离子化产生的离子对阴...[全文]
冷蒸是指衬底不加热的蒸镀方法2017-5-21 18:31:03
衬底情况是指进行蒸镀之前,必须对衬底硅片已进行完的△艺操作有所了解,掌握衬底耐温情况,OPA227P从而确定采取冷蒸还是热蒸。冷蒸是指衬底不加热的蒸镀方法,相应地,热蒸是指衬底加热的蒸镀方法。进...[全文]
真空度的测量 2017-5-21 17:38:05
真空系统中的气体压力,即真空度可以用多种不同的真空计图⒏6涡轮分子泵剖视图(又称真空规)来测量。常用的真空计主要有电容压力计、BCM5906MKMLG热偶规、电离规和复合真空计。(...[全文]
LPCⅤD-WSir淀积2017-5-20 22:17:50
WSir薄膜在Po~odc的存储器芯片中被用做字线和位线,WSi也可作为覆盖式钨的附着层。WSⅡ是在集成电路工艺中应用最多的硅化物。AD9434BCPZ-500通常,WSiJ薄膜采...[全文]
以TEOs为硅源淀积sio22017-5-19 21:49:43
同样可以用TEOS源淀积PEC`⊙sio薄膜,记为PETEOS。这种⒊O2薄膜中会存在残余碳污染,K4B2G0846B-HCF7如果在气体人口02/TEOS流量比足够大的情况下,残余碳污染很小;...[全文]
中科院沈阳科仪中心制造的PECVD设备2017-5-19 21:20:53
如图⒎21所示是中科院沈阳科仪中心制造的PECVD设备。主要是由进出片室系统、淀积室、气K4B1G0846F-HCK0路控制系统、电控系统、计算机控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成的。该设...[全文]
直流辉光放电时各参量的分布2017-5-19 21:10:41
粒子右侧添加符号“*”,表示该粒子处于激发态,有较高的能量。K4B1G0846E-HCH9在上述过程中还伴随着光子的激发。电子和离子的平均运动速率不同使得处于等离子体中包括电极在内...[全文]
CVD的气相质量输运过程与气相外延时的相似2017-5-18 21:23:37
CVD的气相质量输运过程与气相外延时的相似,在前面3.2节中已对Dg和ε进行了分析,两者OMAPL138EZWTD4都是温度的函数,有Dg∞Tl~1:,而T升高a略有增大,综合效果是薄膜淀积速率...[全文]
按照淀积温度分类2017-5-18 21:13:59
如果按照淀积温度分类,有低温CVD(一般在200~500℃),中温CⅥⅨ多在500~800℃)和高温CⅥⅨ多在8O0℃以上,目前已很少使用),不同工艺温度下即使制备的是同种材料薄膜,其性质、用途...[全文]
薄膜在微电子分立器件和集成电路中用途广泛2017-5-18 21:01:01
薄膜在微电子分立器件和集成电路中用途广泛,无论是半导体薄膜,介质薄膜,还是金属薄膜,都OM5234/FBB是不可或缺的。微电子工艺中用到的薄膜从微观结构上看,有单晶薄膜,多晶薄膜和非晶薄膜;从薄...[全文]
si中二次缺陷随离子注入剂量及退火温度变化的情况2017-5-16 21:35:06
表64给出s中二次缺陷随离子注人剂量及退火温度变化的情况。注人温度都取室温,能量为40~100keV。M74VHC1GT50DFT1G从表中可得到以下几个主要结论:杆状缺陷只在以较低的剂量注人B...[全文]
磷的退火特性2017-5-16 21:28:11
图626表示磷的等时退火特性,虚线所M74HC4066RM13TR表示的是损伤区还没有变为非晶层时的退火特性,实线则表示非晶层的退火特性。当剂量从3×1012olrls/cm2增到3×10noⅡ...[全文]
扩散工艺质量与检测 2017-5-14 18:32:06
在芯片生产或研制过程中,对扩散工艺本身来说,其主要目的就是获得符合要求的、质量良R3112N421A-TR-F好的扩散层。具体地说,就是控制好各次扩散的结深、表面浓度和杂质分布,获...[全文]
相继扩散的不同杂质的扩散系数2017-5-14 18:20:22
在硅中的固溶度足够高,要大于所需要的表面浓度;扩散系数的大小要适当,杂质扩散便于控制。R3111N091A-TR例如,发射区磷扩散,对于一般晶体管来说是能够满足要求的。但对于浅结(如0.2um以...[全文]
恒定表面源扩散2017-5-13 18:35:14
恒定表面源扩散是指在扩散过程中,硅片表面的杂质浓度Cs始终是保持不变的。恒定表面MAX4845ELI+T源扩散是将硅片处于恒定浓度的杂质氛围之中,杂质扩散到硅表面很薄的表层的一种扩散方式,目的是...[全文]
填隙一替位式扩散2017-5-13 18:27:58
许多杂质既可以是替位式也可以是填隙式溶于晶体的晶格中,并通过这两类杂质的联合移动来扩散。MAX2769ETI+T一个替位原子可能离解成一个填隙原子和一个空位,所以这两种扩散总是相互关联的。这类扩...[全文]
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