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掩模板检测技术的发展趋势2017-5-25 21:45:49
随着集成电路工艺向90nm以下发展,分辨率增强技术(RET)和极端分辨率增强技术(XRET)的应用不断增加,如OPC、PSM和SR剡ⅨSubR∞oltltlonAsFeature)等,S5PV2...[全文]
OPC技术虽然可以减弱光学邻近效应2017-5-25 21:38:46
href="http://www.51dzw.com/stock_S/S2EB-DC5V.html">S2EB-DC5V形边缘的散射会降低整体的对比度,使得光刻胶图形不再黑白分明,而是包含了很多...[全文]
掩模板制造设备面临的挑战2017-5-25 21:32:14
谈到掩模板,就要谈到掩模板制造的核心没备――――图形发生器(P扯tcmGenerator)。目前,S29GL032M90FFIS10掩模板制造设各供应商主要有二家:Micronk、Jeol和Nu...[全文]
在基本的光刻工艺过程中,最终步骤是检验2017-5-24 21:55:43
在基本的光刻工艺过程中,最终步骤是检验。衬底在入射白光或紫外光下首先接受表面目检,以HAT3006R-EL-E检查污点和大的微粒污染。之后是显微镜检验或白动检验来检验缺陷和图案变形。对于特定的光...[全文]
磁控溅射2017-5-22 20:09:50
磁控溅射(Magnetlon助utt山llg)是在⒛世纪70年代发展起来的溅射技术。1974年Chamn发明了适用于工业应用的平面磁控溅射靶,这一发明推动了磁控溅射进人生产领域。L7905CP目...[全文]
薄膜淀积速率与工作气体气压的关系和成熟2017-5-22 20:05:43
工作气体的气压较低时,因原子L78M09CDT的平均自由程较长,到达衬底表面的靶原子没有被多次碰撞而消耗过多能量,在衬底表面的扩散迁移能力也较强,这提高了所淀积薄膜的致密度。相反,I作气体的压力...[全文]
射频溅射2017-5-22 20:03:42
射频溅射(RF№tltte。llbo)是指激发气体等离子化的电场是交变电场的溅射方法。1966年IBM公司首先研发出了射频溅射技术,它可以溅射绝缘介质。L78M05CDT这一溅射方法的出现解决了...[全文]
溅射率与入射离子种类的关系2017-5-22 19:59:42
溅射率与入射离子种类的关系,总的来说是随着离子质量增加而增大的。图⒏⒛所示是溅射率与轰击离子的原子序数的关系曲线。L78L08ACD13TR由曲线可知,对于填满或接近填满价电子壳层的轰击离子,溅...[全文]
真空蒸镀2017-5-21 17:39:50
真空蒸镀(VactlumEvapora0on)又称为真空蒸发,是把装有衬底的真空室抽吸至高真空度,然后BCM7035RKPB1加热源材料使其蒸发或者升华,形成源蒸气流人射到衬底表面,最终在衬底凝...[全文]
与扩散泵类似的还有分子泵2017-5-21 17:32:23
与扩散泵类似的还有分子泵。分子泵是利用高速旋转的转子把动量传输给气体分子,使之获得BCM5786KMLG定向速度,从而被压缩、被驱向排气口后为前级泵抽走的一种真空泵:分子泵有3种:①牵引分子泵,...[全文]
LPCVD是制备s3\薄膜的主要方法之一2017-5-20 21:19:03
LPCVD是制备s3\薄膜的主要方法之一,它也是中温工艺,比H℃Ⅵ)s@中温工艺温度要高约100℃,有较好的台阶覆盖特性和较少的粒子污染。然而u℃Ⅵ)战Nl薄膜的内应力大,约为105N/⑾2,几...[全文]
薄膜是作为多层金属铝布线中铝层之间的绝缘层2017-5-19 21:40:45
目前,APCVD方法还是淀积⒏02薄膜常用的工艺方法,采用不同的硅源,淀积工艺条件、淀积速K4B1G1646G-BCK0率、薄膜质量及用途等都有所不同。通常采用sH1/(先系统低温...[全文]
二氧化硅薄膜的淀积 2017-5-19 21:30:01
CVD是用来制备二氧化硅介质薄膜的主要工艺方法之一,在集成电路工艺中,CVD二氧化硅薄膜的应用极为广泛。K4B1G1646E-HCF8CⅤD-sioz特性与用途CVD...[全文]
直流气体辉光放电2017-5-19 21:04:09
在通常情况下,气体处于电中性状态,只有极少量的分子受到高能宇宙射线的激发而电离。在没K4B1G0846E-HCF7有外加电场时,这些电离的带电粒子与气体分子一样,作杂乱无章的热运动。当有外加电场...[全文]
预先非晶化是一种实现p+结的比较理想的方法2017-5-17 21:29:14
预先非晶化是一种实现p+结的比较理想的方法。如在注硼之前,先以重离子高剂量注入,使硅RF6285TR13表面变为非晶的表面层。这种方法可以使沟道效应减到最小,与重损伤注人层相比,完全非晶化层在退...[全文]
离子束是在高真空中行进的2017-5-17 21:06:30
偏束板离子束是在高真空中行进的,即使是极高的真空,也不免有残留的气体分子。于是快RF3400HNC2UM速行进的离子,仍然有可能与系统中的残留中性气体原子(或分子)相碰撞,进行电荷交换,使中性气...[全文]
液态源扩散2017-5-14 18:17:06
液态源扩散的杂质源为液态[如PC)C圮、BBr3、B(CH^03)等],由保护性气体携带进入扩散系统的扩散掺杂过程称为液态源扩散,液态源扩散系统如图518所示。携带气...[全文]
晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 2017-5-13 18:29:20
基本特点质点的移动可以在二维空间的任意方向发生,其每一步迁移的自由行程也随机地取决于最邻近质点的距离。MAX3945ETE+T质点密度越低(如在空气中),质点迁移的白由行程也就越大...[全文]
4种不同的杂质再分布情况2017-5-12 21:46:00
杂质在s02中的扩散,如果扩散系数大,则杂质迅速地通过⒏O2扩散,影响s/si()2界面附近的杂质分布。ONET8501VRGPT扩散速率与界面移动速率之比,也会影响⒏/Si()2界面杂质分布;...[全文]
分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数2017-5-12 21:40:18
分凝系数是衡量分凝效应强弱的参数,不同杂质在s/sQ系统中的分凝系数是不相同的。如果ONET4201PARGTR假设硅中的杂质分布是均匀的,而且氧化气氛中又不含有任何杂质的条件下,则K(1意味着...[全文]
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