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从接口连接器到保护器件之间的印制线宽度应尽量增大2017-6-26 19:59:30
根据调查结果,这段布线的宽度为5而l,符合CAD的设计要求。另外,为了验证保护电路是否能够达到设计目标,采用飞线连接后再进行测试,发现在差分时钟信号线之间施加1.5kⅤ的浪涌信号,测试结束后接口...[全文]
时钟噪声耦合到电源的原理2017-6-26 19:54:22
对主控制板进行处理,关断主控板的Ⅴ叨电源,Ⅴ叨通过外部线性电源供电,然后连LM1894MX/NOPB接,如图6.35所示。图636ⅤⅢ通过外部供电后的测试结果32.7...[全文]
接旁路电容后的共模电流流向2017-6-24 19:23:05
原来,值为1nF的电容在本案例所产生的辐射频率的范围内的阻抗要比10pF的结电容小很多,1nF旁路电容的连接相当于把Δσ“短路”了,如图5.48所示。LAUNCHXL-CC1350US...[全文]
铁氧体磁珠和磁环2017-6-18 16:37:29
当电感不能用于高频时,该如何办?使用铁氧体磁珠或磁环是个办法。S1M-E3/5AT铁氧体材料是铁磁或者铁镍的合金。这种材料有很高的高频磁导率和高频阻抗,同时线绕间电容最小。铁氧体磁珠通常用于高频...[全文]
该产品构架2017-6-17 19:49:50
【原因分析】该产品构架如图3.64所示,产品主要由两块PCB、一个PCB互连连接器和一根通信电缆组成,E10DS4-TE12L产品中的PCB1与PCB2之间采用连接器互连,连接器中...[全文]
过电流保护电路监视三相进线电网电流2017-6-16 21:11:58
过电流保护电路监视三相进线电网电流。当电流M30262F6GP超过整定值时,比较电路输出负脉冲,将触发器的输出置为高电平“1”,该信号使压控振荡器停振(此时整流触发移相角增至1sO°),即整流桥...[全文]
辐射能量逐渐向环路的正面转移2017-6-14 22:38:09
环形天线产生的差模辐射,远区辐射场的电场强度与回路面积呈线性变化关系。闭合回MAX726CCK路的面积越大,差模电流所产生的辐射就越严重。另外,同样面积的闭合回路,如果回路形状发生变化,不再是正...[全文]
模拟信号接口和数字信号接口2017-6-14 21:52:08
模拟信号接口和数字信号接口、低速逻MIC37151-1.5WR辑信号接口和高速逻辑信号接口等(以敏感和干扰发射程度来区分),它们之间要间隔一定距离放置。当连接器之间存在相互干扰的可能时,必须采取...[全文]
传导骚扰测试中应该注意的接地环路2017-6-7 21:10:10
【现象描述】某信息技术设备有外接信号电缆及供电电源线。电源口传导测试时,EUT接地线就近接参考接地板,AC201A1IMLG测试配置如图2.14所示,测试结果如图2.15所示。由图...[全文]
干扰的根源是电压/电流产生不必要的变化2017-6-5 19:47:33
如上所述,干扰的根源是电压/电流产生不必要的变化,这种变化通过导线直接传递给其他设各,C0805C102K5RAC3083造成危害,称为“传导十扰”G另外,由于电压电流变化而产生的电磁波通过空间...[全文]
谈论EMC设计技术与方法需要建立在EMC测试的基础上2017-6-5 19:34:24
国内市场上大部分的EMC书籍存在的一个缺陷就是设计与测试脱节。C0402X7R122K250NY谈论EMC设计技术与方法需要建立在EMC测试的基础上,不仅是因为EMC设计的第一道门槛就是EMC测...[全文]
可测性设计2017-6-3 22:28:02
传统上,IC测试与设计的关系只是测试时以设计为标准和依据,设计出相应的测试方案。这种T74LS174情况随着集成电路的发展也产生着必然的变化。由于电路规模的增大、电路结构的复杂化,℃测试的难度也...[全文]
封装与测试 2017-6-1 20:24:38
随着微电子科技的飞速发展,目前,微PBL38621/1R1电子芯片封装已逐渐摆脱作为芯片制造后工序的从属地位而成为相对独立的微电子封装业。而微电子器件测试也多由独立的测试公司来完成,也已逐渐形成...[全文]
氧化层检测2017-5-31 21:44:44
厚度测量①比色法。由于光M38B79FFFP的干涉效应,透明的介质膜会呈现取决于膜层厚度、折射率、光源光谱分布和观察角度的特定的颜色。②斜面干涉法。待测样品表面局部用...[全文]
步进光刻机使用传统的汞灯照明光源2017-5-27 20:49:14
在曝光过程的每一步,这种步进光刻机都会依次把投影掩模板图形通过投影透镜聚焦到硅片下一个位置并重复全部过程。通过继续这个过程,步进光刻机最终会通过连续的曝光步骤把所有芯片阵列复制到硅...[全文]
接近式光刻机2017-5-27 20:43:50
接近式光刻机是从接触式光刻机发展而来的,并且在⒛世纪70年代的SSI时代和MSI早期同时普遍使用。M74HC03B1R这些光刻机如今仍然在生产量小的实验室或较老的生产分离器件的硅片生产线中使用,...[全文]
接近式曝光2017-5-26 21:15:25
接近式曝光装置示意图如图1019所示。它由4部分组成:光源和透镜系统、掩模板、硅片(样品)及对准台。SDCL1005C1N0STDF汞灯发射的紫外光由透镜变成平行光,平行光通过掩模板后在光刻胶膜...[全文]
紫外光曝光技术 2017-5-26 21:12:28
光刻技术可利用可见光(Vi⒍ble)、近紫外光(NcarUkraVolet,NUV)、中紫外光(MidUV,MUV)、深紫外光(DeepUV,DUV)、真空紫光外光(VactttlmUV,VUV...[全文]
刻蚀2017-5-24 21:47:48
经过前面的一系列I艺已将光刻掩模板的图形转移到光刻胶上。为了制作集成电路元器件,还HAT2276R-EL-E要将光刻胶上的图形进一步转移到光刻胶下层的材料上。这个任务就通过刻蚀来完成。...[全文]
阻挡层一方面起阻挡铜向硅中的扩散作用2017-5-23 21:19:10
在铜互连系统中,阻挡层一方面起阻挡铜向硅中的扩散作用,另一方面与硅、铜都有PM8921良好的附着特性而作为黏附层,解决了铜与硅、二氧化硅附着性差的问题。氮化钛、氮化钽、金属钛、钽这类金属、金属化...[全文]
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