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自动开封2017-11-13 20:59:46
自动开封:环氧封装喷射腐蚀(JetEtch),即对器件进行部分开封,暴露芯片表面或背面,但保留芯片、S/C80C31BCPA44管脚和内引线和压焊点的完整性及电学性能完整,为后续失效定位和检测做...[全文]
灵敏度2017-11-8 12:22:04
(1)灵敏度HEF4011BT是指传声器将声音转换为电压信号的能力,单位为mV/Pa。灵敏度还常用分贝(dB)表示,ldB一lOOOmVlPa。一般来说,选用灵敏度较...[全文]
制程光阻清洗 2017-11-6 21:22:51
光阻一般用作IC制造的光罩,使命完成后,应加以去除。光阻清洗包括前后段干湿刻蚀后光阻去除,S912XEG128J1MAA离子植入后光阻去除,曝光后L下层错位较大或缺陷较多需要重做的光阻去除(re...[全文]
合物同铝垫侧壁的界面处生长出来的2017-11-4 12:05:04
为了找出无腐蚀的界限,在最差情况(最高可用的透射率晶圆)下探讨了聚合物气体CH1的影响。CH4流速从基数T增加到3.3T,相应的刻蚀终点和腐蚀缺陷的表现总结在图8.48中。M01050正如所预期...[全文]
东京电子2017-11-2 20:14:23
东京电子的刻蚀机主要采用电容耦合等离子(CCP),并主要针对各种介质的刻蚀e⒛06年没计的Tclius廴)(lMJi-()x,其目标是用于45nm及其以下I艺节点的逻辑电路工艺。如图8。H"所示...[全文]
MPRS3D展示了在一个圆筒形反应器内2017-11-2 19:56:11
如图8,7所示,MPRS3D展示了在一个圆筒形反应器内,由进气口、抽气口和非均匀功率沉积所造成的硅刻蚀的方位角不均匀性。VN1160基本条件包括:压力10mT°rr,⒛00W的13.56MHz射...[全文]
速度潜力依赖于光源的光强和光刻胶的灵敏度2017-11-1 19:45:12
这种技术也面临以下问题:O480-VX3WH-LF(l)速度潜力依赖于光源的光强和光刻胶的灵敏度,业界公认的标准是对于10耐/cm2感光度的光刻胶,实现100硅片/小时的产能需要在...[全文]
正性光刻胶显影溶解速率随光强变化2017-10-30 21:34:17
对于正性光刻胶,一般我们会得到显影溶解速率随照明光强的变化如图7.8所示。UC2844D8其中9R为显影速率,ε为曝光能量。其中E∴i为完全显影对应的能量(dosetode【ar)...[全文]
光源分系统2017-10-29 14:05:01
前面讲过,光源一般有汞(mercury)灯、准分子(excimer)激光、激光激励的放电灯(如极紫外的二氧化碳激光激励的锡灯)等类型。光源分系统的任务是将发射角度整合成为科勒照明形式,并且使得部...[全文]
曝光区套刻的3个参量及其在硅片套刻上的表现2017-10-28 10:18:08
曝光区套刻的3个参量及其在硅片套刻上的表现如图7.43所示。其实,对于曝光区,R010033600000000也有4个套刻参量,由于平移同网格的平移是重复的,所以一般不再专门将平移列在曝光区套刻...[全文]
确定观察内容、待测数据及记录数据的表格2017-10-27 20:56:06
确定观察内容、待测数据及记录数据的表格实验中要测量的物理量,包括由UA723CNSR实验目的所直接确定或为获得这些物理量而确定的间接物理量、反映实验条件的物理量及作为检验用的物理量...[全文]
硅片上的间隙随掩膜版上的间隙在不同线宽的变化2017-10-26 21:09:07
对于部分相干光照明,可以将式(723)对=1和2做一个平均(事实证明结果很精确)。S-3510ANFJA当然,这里采用了一些近似是为了物理含义更加清晰地展示出来。把式(723)代人...[全文]
掩膜版误差因子2017-10-26 21:00:33
掩膜版误差因子(MaskErrorFactor,MEF)或者掩膜版误差增强因子(MaskEr⒛rEnhancementFactor,MEEF)定义为在硅片上曝出的线宽对掩膜版线宽的偏导数。S28...[全文]
以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的产生2017-10-25 21:10:59
实践显示,以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的产生。(1)光刻胶本身必须洁净并且不含颗粒性物质。涂胶前必须使用过滤过程,而且过T-7571-3EC-TR滤器上的滤孔大小必须满足技术...[全文]
阻挡层2017-10-23 20:57:56
阻挡层要有良好热稳定性和阻挡性能,与铜以及介电材料要具有良好的黏附性;阻挡OPA2334AIDGST层工艺要做到良好的侧壁覆盖率,良好的薄膜连续性。经过很多研究者的尝试和分析,钽作为阻挡层材料有...[全文]
嵌人式锗硅工艺2017-10-21 13:02:17
嵌人式锗硅工艺(embedded⒏Gcprocess)被广泛使用于90nm及以下技术中的应力工程,利用锗、K4S561632N-LC60硅晶格常数的不同所产生的压应力(compressixest...[全文]
抛光设备:多片式抛光机,单片式抛光机。2017-10-20 21:04:05
抛光设备:多片式抛光机,单片式抛光机。清洗:在晶片加I过程中很多步骤需要用到清洗,清洗有化学清洗和机械清洗。这里的N25Q064A13E1240F清洗是指抛光后的最终清洗,目的是清...[全文]
将单晶硅锭分段成切片设备可以处理的长度2017-10-20 21:01:16
切断:切除单晶硅锭的头部、尾部及N18FPVLR超规格部分,将单晶硅锭分段成切片设备可以处理的长度,应切取试片测量单晶硅锭的电阻率和含氧量等。切断设备:内圆切割机或外圆切割机。滚磨...[全文]
用万用表检查主回路各点对地是否有短路2017-10-19 22:14:55
用万用表检查主回路各点对地是否有短路,整流、逆变晶间管的阴、阳极之间的正、RC4391M反向电阻应在5kΩ以上。断开主交流接触器吸合线圈,使整流主回路无法受电,合上中频电源的电源空...[全文]
迹的电容器拆卸下来以便做进一步检查2017-10-19 22:04:21
迹的电容器拆卸下来以便做进一步检查。对接线端的瓷套应该进行去污处理,若污垢R3130N19EC-TR严重很有可能形成电火花,烧坏补偿电容器,所以应经常注意保持补偿电容器接线端的清洁。...[全文]
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