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低势垒高度的欧姆接触2017-5-29 17:08:16
当金属功函数大于p型而小于n型硅的功函数时,金属与半导体接触可以形成理想的欧姆接触。IL3585E但是,由于受金属/半导体界面的表面态的影响,在半导体表面会感应出空间电荷区(层),形成接触势垒。...[全文]
理想的刻蚀工艺必须具有以下特点2017-5-27 21:00:46
对于早期器件的刻蚀工艺,一般来说要求刻蚀深度均匀、选择比好、掩膜能完M95256-WDW6TP全传递和侧壁的陡直度好。随着新型器件的不断出现,对于刻蚀工艺也提出了越来越多的要求,形貌方面比如圆包...[全文]
极紫外光刻(EUV)2017-5-27 20:32:58
2001年4月,EUV`有限责任公司(EUVLLC)推出了第一台全尺寸EUV深度紫外线光刻机原型。EUVLLC是由一些全球领先的芯片制造商和3个美国能源部研究实验室组成的联盟。H5007T成员包...[全文]
光学邻近效应校正技术2017-5-26 21:09:09
光学邻近效应是指在光刻过程中,由于掩膜上相邻微细图形的衍射光相互干涉而造成像面光强分布发生改变,使曝光得到的图形偏离掩膜设计所要求的尺寸和形状,如图10△5所示是光学邻近效应的示意图。SCDS7...[全文]
微粒数量和金属含量2017-5-26 20:47:29
光刻胶的纯净度与光刻胶中的微粒数量和金属含量有关。为了满足对光刻胶中微粒数蚩的控制,光刻胶在生产的过程中需要经过严格的过滤和超净的包装。通过严格的过滤和超净的包装,可以得到高纯度的光刻胶。SBJ...[全文]
半导体工业发展到今天已经基于一个成熟的平台2017-5-25 21:50:37
随着工艺节点的不断提升,掩模板的制造成本也呈直线攀升。一套130nm的掩模板的平均价格为40万美元,90nm为60万美元,65nm为70万美元,45nm为120万美元,32/28nm为250万美...[全文]
氧化铁版在使用上还有以下优点2017-5-25 21:24:12
氧化铁版在使用上还有以下优点:①在观察光源波长下是透明的,而在曝光光源波长下是不透明的。由于这S-24c01BFJ-TB一特性,掩膜对可见光透明而阻挡紫外线通过,囚而允许在光刻时通...[全文]
玻璃基板的制备2017-5-25 21:15:09
挑选好的制版玻璃。通过切ACS712ELCTR-20A-T割、铣边、例棱、倒角、粗磨、精磨、厚度分类、粗抛、精抛、超声清洗、检验、平坦度分类等I序后,制成待用的衬底玻璃。铬膜的蒸发...[全文]
小岛2017-5-24 22:06:41
小岛,是指在应该将氧化层刻蚀干净的扩散窗口内,还留有没有刻蚀干净的氧化层局部区域,它HAT3018RJ-EL-E的形状不规则,很像“岛屿”,尺寸一般比针孔大些,习惯上称这些氧化层“岛屿”为小岛。...[全文]
坚膜2017-5-24 21:43:10
和前烘一样,坚膜也是一个热处理步骤。坚膜就是在一定的温度下,对显影后的衬底进行烘焙。其的主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂,增强光刻胶对硅片表面的附着力,同时提HAT2199R-EL...[全文]
设备条件是了解所用蒸镀设各的情况2017-5-22 19:44:00
设备条件是了解所用蒸镀设各的情况,确定可蒸镀的薄膜及操作方法。电子束L3G4200DTR蒸镀设各是当前使用最多的设备,它可以制各的薄膜材料范围广泛,如常用金属、难熔金属、合金、化合物等。但是,电...[全文]
液态TEOS源通常置于源瓶中用载气鼓泡方式携带2017-5-19 21:43:28
常用的APCVD方法是用TEOS/03系统来淀积SK)2。TEOS是有机物质,常温时为液态,凝固点为-77℃,沸点为168.1℃。液态TEOS源通常置于源瓶中用载气鼓泡方式携带,同时用自身独立的...[全文]
常用的反应剂有二种2017-5-19 21:37:37
目前,常用的反应剂有二种:硅烷系统,主要是sH1/O2、⒏H/N20;正硅酸乙酯E记为TEC)s,分子式为s(oH5O)1]系统,主要TEOS/02、TEOS/O3;二氯硅烷系统,有SlH2C1...[全文]
热丝化学气相淀积2017-5-19 21:28:03
热丝化学气相淀积(HotⅦreCVD)是一种新近发展起来的CVD薄膜制备方法。它采K4B1G0846G-BCK0用高温热丝分解前驱气体,通过调节前驱气体组分配比和热丝温度而获得大面积的高质量淀积...[全文]
场助扩散效应2017-5-14 17:54:41
杂质(施主或受主杂质)在硅中扩散时,是以电离施主(或受主)和电子(或空穴)各自进行扩散运动的。R1170H251B-T1-F由于电子(或空穴)的扩散速率比杂质离子的扩散速率大得多,则电子(或空穴...[全文]
sio2层成膜质量的测量2017-5-12 22:00:06
集成电路对热生长⒊C)纟层质量的要求很高,主要是控制⒏02的针孔、SiO2层中的可动电荷、界面上及⒏O2层中的固定电荷和陷阱、Si`/SiO2界面态密度等。S912XET256J2MAL氧化膜缺...[全文]
低缺陷密度2017-5-12 21:33:40
①低缺陷密度――以降低在低电场下的突然性失效次数。OMAPL138BZWTA3②好的抗杂质扩散的势垒特性――对旷多晶硅栅的少MOSFET特别重要。③具有...[全文]
氧化完成后缓慢地将装有硅片的石英舟拖出2017-5-11 22:29:00
实际热氧化工艺多是采用干、湿氧交KIA78L05替的方法进行,如3DK4的一氧工艺:干氧15min,再湿氧40rnin,最后干氧15min。干、湿氧交替进行的目的就是为了获得表面致密、针孔密度小...[全文]
工氧化硅结构2017-5-11 22:07:26
二氧化硅(s02)是自然界中广泛存在的物质,其结构如图⒋1所示,按其结构特征可将其分为结晶形和非结品形(无定形)。KA358DTF其基本结构单元如图⒋1(a)所示。工氧化硅的基本结...[全文]
MBE是一种超高真空蒸发技术2017-5-10 22:16:58
停机,必须待衬底温度降至室温后,再停机MAX1706EEE取出硅外延片。硅的MBE和VPE相比具有如下优势:①衬底温度低,没有自掺杂效应;而互扩散效应带来的杂质再分布现象也很弱。②外延生长室真空...[全文]
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