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半导体技术经过半个多世纪的发展,2017-5-23 21:33:45
这一单元包括三方面内容:第9章光刻工艺,介绍硅片上薄膜图形复制工艺;第10章光刻技术,PMBS3906介绍光刻工艺所用光刻版、光刻胶、光刻设备及光刻技术发展趋势;第11章刻蚀,介绍干法和湿法薄膜...[全文]
真空蒸镀工艺的薄膜保形性会有所改善2017-5-22 19:48:56
对于衬底旋转,除了可以改善衬底的高形貌差投射出阴影区的薄膜覆盖问题之外,还可以改善所L6562DTR(LF)淀积薄膜厚度的均匀性。在8,3.1节对源气相输运过程进行分析中曾得出,假如蒸镀源与各衬...[全文]
电感加热器2017-5-21 18:15:47
电感加热器。它是利OP497G用电感在导电的金属源中产生的涡流电功率来对源加热的。电感加热器示意图如图⒏13所示,一般由氮化硼(BN)制成坩埚,金属线圈绕在坩埚上,在这个线圈上加载射频功率,坩埚...[全文]
金属化合物的化学气相淀积2017-5-20 22:13:03
在集成电路制造中用到多种金属化合物薄膜,例如,在多晶硅/难熔金属硅化物(Polyode)多层栅结构中应用的金属硅化物,如WSi、TaSi和MoS等;AD9258BCPZ-80在金属多层互连系统中...[全文]
多晶硅薄膜在微电子工艺中有许多重要应用2017-5-20 21:39:35
基于以上特点,多晶硅薄膜在微电子工艺中有许多重要应用。高掺杂的多晶硅薄膜在MOS集成电路中普遍作为栅电极和互连引线。ACT4455YH-T在多层互连工艺中,可以使用多层多晶硅技术,并且可以在多晶...[全文]
淀积磷硅玻璃的反应气体中再掺入硼源2017-5-19 21:35:45
学淀积磷硅玻璃的反应气体中再掺入硼源,可以形成B:03元氧化物薄膜系统,即CVDPSG。BPSG较PSG有更低的软化温度。BPSG的流动性取决于薄膜的组分、退火工K4B1G1646E-HCK0艺...[全文]
CVD工艺原理 2017-5-18 21:17:31
采用CVD工艺制备薄膜时,源是以气相方式被输运到反应器内,由于衬底高温或有其他形式能量的激发,OMAPL138BZWT3源发生化学反应,生成固态的薄膜物质淀积在衬底表面形成薄膜;而生成的其他副产...[全文]
CDV是制备薄膜的一种常规方法2017-5-18 21:11:40
CDV是制备薄膜的一种常规方法,当前,在微电子I艺中已经采用和发展了多种C、⑩工艺技术。实际上CVD工艺与第3章外延工艺中介绍的气相外延工艺相似,OMAPL137BZKBA3有些具体方法及I艺设...[全文]
注氧隔离(sIMOX)技术2017-5-17 21:40:28
soi片的制作,可采用向⒏中离子注入O+工艺,通过退火获得⒏02层,这种工艺称为⒏MC)X(Scparau∞”Imphntedhref="http://www.51dzw.com/RLT_S/R...[全文]
自对准金属栅结构2017-5-17 21:36:14
在采用普通扩散方法制造MOS晶体管的工艺中,都是先形成源区和漏区,再制作栅电极。如图634所示是自对准金属栅结构示意图。RFD14N05LSM在这种工艺中,为了避免光刻所引起的栅与源、栅与漏衔接...[全文]
硅材料的热退火特性2017-5-16 21:21:22
把欲退火的晶片,在真空或是在氮、氩等高纯气体的保护下,加热到某一温度进行热处理,由于晶M65847AFP片处于较高温度,原子的振动能增大,因而移动能力加强。可使复杂的埙伤分解为点缺陷或者其他形式...[全文]
与靶温的关系2017-5-16 21:14:51
离子注入时的靶温,对晶格损伤的程度和变化有着重要的影响。如果降低注人时靶的温度,空位的迁移率减小,在注人过程中缺陷从损伤区逸出的速率降低,M64084A缺陷的积累率增加,这有利于非晶层的形成。故...[全文]
与靶温的关系2017-5-16 21:14:50
离子注入时的靶温,对晶格损伤的程度和变化有着重要的影响。如果降低注人时靶的温度,空位的迁移率减小,在注人过程中缺陷从损伤区逸出的速率降低,M64084A缺陷的积累率增加,这有利于非晶层的形成。故...[全文]
离子注人技术可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度2017-5-16 21:06:27
离子注人技术可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度,但是,在离子注入的过程中,进人靶M62429P内的离子,通过碰撞把能量传递给靶原子核及其电子.不断地损失能量最后停止在靶内某一位置。靶内的原子和电...[全文]
硅靶中几种离子的RP、ARP及AR⊥的理论计算值2017-5-15 21:35:29
横向效应指的是注人离子在垂直入射方向的平面内的分布情况。PG127S17考虑窗口边缘处人射离子的浓度分布,假定掩膜窗口宽为杨,在窗口区(一伢,+曰)内,注入离子的剂量是恒定的,在掩膜窗口外的区域...[全文]
核阻止本领和电子阻止本领曲线2017-5-15 21:31:08
当人射离子的能量低于图67中与⒍对应的能值时,电子的阻止作用可以忽略不计,靶原子核的阻止作用占主要地位。这时离子经过的路径将如图61(a)所示。PA985C6R由于离子束中各个离子与靶表面原子碰...[全文]
离子注人 2017-5-15 21:04:57
自20世纪60年代开始发展起来的离子注人技术(IonInlectlc,nTechnique)是微电子I艺中定域、PA837C04定量掺杂的一种重要方法,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型,...[全文]
横向扩散效应2017-5-14 17:46:42
前面所讨论的都是指杂质垂直于半导体表面进行扩散的一维情况,但是对实际中最常采用的掩蔽扩散而言,显然只有扩散窗口中部区域才可近似为一维扩散,R1131N301D-TR-F对靠近窗口边缘的区域除了垂...[全文]
砷在硅中的扩散同时受空位和间隙两种机制控制2017-5-13 19:00:32
图511(b)所示为用锑代替硼的扩散,可见氧化区正下方锑的扩散结深小于保护区下方的扩散结深,说明在氧化过程中锑的扩散被阻滞。MAX8643AETG这是因为控制锑扩散的主要机制是空位。在氧化过程中...[全文]
热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 2017-5-13 18:40:28
在集成电路制造过程中,扩散的目的就是向晶体中掺人一定数量的某种杂质,并旦希望掺入的杂质按要求分布。MAX7312ATG+T由于扩散模型本身做F理想化的假设,并且忽略了实际扩散过程中所出现的各种效...[全文]
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