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天线的效率是频率的函数2017-6-25 20:19:00
无论是故意还是偶然,天线的效率是频率的函数。当一个天线被一个电压源驱动时,它SN1504025DDCR的阻抗会有明显的变化。当天线处于谐振状态时,它的阻抗会变高并且主要呈电感性。阻抗方程z=R+...[全文]
一个设备要求保护电路具有整体通流量大2017-6-20 21:19:37
一个设备要求保护电路具有整体通流量大,又能够实现精确保护时,保护电Q2006VH3TP路往往需要这几种保护器件之间进行很好的配合使用来实现比较理想的保护效果。但是这些保护器件之间不能用简...[全文]
误差是指电容的实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围2017-6-16 21:23:58
(1)容量与误差。误差是M30281F6HP指电容的实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围,精密电容的允许误差较小,而电解电容的误差较大。常用电容的精度等级和电阻的表示方法相同,用字母表示:D...[全文]
屏蔽电缆的“pigtail”有多大影响2017-6-14 22:42:49
案例17:屏蔽电缆的“pigtail”有多大影响【现象描述】某工业控制产品,其信号MIC29752BWT输出端口使用屏蔽电缆,对该产品进行辐射发射测试时发现,辐射虽然...[全文]
散热器与ESD也有关系2017-6-8 21:32:30
【现象描述】某产品采用金属外壳,对其进行ESD测试时,发现一螺钉位置对ESD极其敏感,NDD03N60Z对螺钉进行接触放电3kV,就会发现该产品中的某一PCB出现复位现象。经过观察...[全文]
PCB由一些变压器和一些模拟器件构成2017-6-8 21:25:27
还有一点值得注意,图2.54中Δσ的存在也给辐射的产生提供了可能,通过空间直接影响内部信号线。通过以上分析,对于本NDD03N40Z案例表面上也可以这样理解:干扰信号很难较快地泄放...[全文]
EMC意义上的共模利差模2017-6-6 19:58:39
电压电流的变化通过导线传输时有两种形态,即“共模”和“差模”。设备的电源线、信号L0109DTRP4线等的通信线、与其他设备或外围设各相互交换的通信线路,至少有两根导线,这两根导线作为往返线路输...[全文]
天线阻抗与频率的关系2017-6-6 19:54:06
天线阻抗是频率的函数。天线上L0107NTRP4电流和电荷的分布是随着频率而变化的。偶极子上的电流一般是一个由频率确定的关于天线位置的正弦函数。由于信号的波长依赖于频率,在某个频率上天线的长度等...[全文]
铝作为微电子器件的金属化系统,有什么优势和劣势2017-6-4 18:37:21
思考题(1)铝作为微电子器件的金属化系统,有什么优势和劣势?(2)真空蒸镀铝用钨丝作为加热器,有哪些FGA60N65SMD优缺点?目前,铝膜常采用什么方法制备?...[全文]
工艺设备与工艺条件2017-6-4 18:29:30
工艺设备:双管3英寸高温扩散炉,晶体管特性图示仪,探针台,源瓶,控温仪,气体流量计,石英舟,氧气瓶,氮气瓶。FFSH20120ADN_F155试剂:磷陶瓷源片(P2O:),硅胶干燥...[全文]
掩膜套准测试结构2017-6-1 20:19:45
随着大规模、超大规模集成电路的发展,电路图形的线宽越来越小,光刻工艺中的套准问题变得越来越重要。掩膜套准测试结构就是用来检测套准误差的。PAM3101DAB280套准误差的定量测量可以用光学方法...[全文]
布线技术2017-5-29 17:09:57
随着微电子器件特征尺寸越来越小,硅片面积和集成度越来越大,对互连和接触技术的要求越来越高。IL422E除了要求有良好的欧姆接触外,对互连布线也有以下要求:①布线材料有低的电阻率和良好的稳定性;②...[全文]
激光干涉测量2017-5-29 16:51:42
激光干涉测量是检测透明的薄膜厚度变化的,当停止变化时即是刻蚀终点。而厚度ICL7660AIBAZA-T的测量是利用激光垂直射人透明薄膜,射人薄膜前被反射的光线和穿透薄膜后被下层材料反射的光线发隹...[全文]
光刻胶的黏附性描述了光刻胶黏着于衬底的强度2017-5-26 20:45:48
光刻胶的黏附性描述了光刻胶黏着于衬底的强度。光刻胶必须黏附于许多不同类型的表面,包括硅、多晶硅、二氧化硅(掺杂的和未掺杂的)、氮化硅和不同的金属。光刻胶SBJ100505T-121Y-N...[全文]
去胶2017-5-24 21:51:47
光刻胶除了在光刻过程中作为从光刻掩模板到衬底的图形转移媒介外,还可以HAT3004RJ-EL-E作为刻蚀时不需刻蚀区域的保护膜。当刻蚀完成后,光刻胶已经不再有用,需要将其彻底去除,完成这一过程的...[全文]
电子束真空镀铝2017-5-23 21:12:59
电子束真空镀铝,源(也称靶)为铝粉末或铝锭,通常采用水冷式石墨(或紫铜)坩埚装源。铝锭放PM8018在坩埚中,由于水冷散热快,当坩埚中心的铝熔化时,其边缘铝仍处于固态,这样可以避免铝与坩埚反应带...[全文]
靶原子气相输运过程2017-5-22 20:01:40
靶原子气相输运过程是指从靶面逸出的原子(或其他粒子)气相质量输运到达衬底的过程。L78L15ACD常规溅射工艺,由于平板式溅射装置真空室内气体压力较高,尽管两极板之间的距离较近(一般在10cm左...[全文]
靶原子气相输运过程2017-5-22 20:01:38
靶原子气相输运过程是指从靶面逸出的原子(或其他粒子)气相质量输运到达衬底的过程。L78L15ACD常规溅射工艺,由于平板式溅射装置真空室内气体压力较高,尽管两极板之间的距离较近(一般在10cm左...[全文]
直接在硅源和稀释气体中加入含所需杂质元素的掺杂剂2017-5-20 21:46:14
在LPCx/DvdySi薄膜生长过程中,直接在硅源和稀释气体中加入含所需杂质元素的掺杂剂,如磷烷(PH3)、砷烷(AsH3)和乙硼烷(马H6)等,进行薄膜淀积中的原位掺杂。为了准确地控制掺...[全文]
CⅤD工艺方法的进展2017-5-19 21:25:35
集成电路工艺中除了采用上述3种CVD方法制备薄膜之外,还有热丝化学气相淀积(HWCⅥ⑵、MOCVD、等。CXJD薄膜制各工艺方法的进展,一方面是常规LPCVD和PECVD技术的进步,这主要表现在...[全文]
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