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基本光刻工艺流程 2017-5-24 21:21:27
把图像从掩模板上转移到衬底表面需要有多个步骤来才能完成(如图95所示是光刻工艺基本流程)。HAT2038RJ-EL-E特征图形尺寸、对准容忍度、衬底表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻下艺的难易...[全文]
LPCVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢2017-5-23 21:30:30
首先,简要介绍了真空系统的相关知识,如何获得真空度、如何测量真空度,为在真PMBF170空条件下进行的各单项工艺做了的必要的知识储备。然后,详细介绍了真空蒸镀和溅射两种P、①薄膜制各工艺的原理和...[全文]
常温下的磁控溅射薄膜台阶覆盖2017-5-23 21:06:16
为改善溅射薄膜的保形覆盖特性,可以在衬底圆片上加载射频偏压,如果偏压足够大,圆片PIC18F8680-I/PT将被高能离子轰击,这将有助于溅射材料的再淀积,可以在一定程度上改善薄膜的台阶覆盖特性...[全文]
蒸镀工艺2017-5-21 18:28:33
采用真空蒸镀工艺淀积薄膜,应从薄膜特性、衬底情况、设备条件这三个方面人手来确定具体工艺参数和工艺方法。薄膜特性是了解所淀积薄膜的材料特性,主要有薄膜材料成分,各种成分的熔点、沸点、...[全文]
真空蒸镀2017-5-21 17:23:51
真空蒸镀是最早用于金属薄膜制各工艺的PVD方法,曾长期作为微电子分立器件内电极和集成电路互连布线的金属薄膜的制备工艺。BCM5345KPB它具有设备简单、易于操作、所制各薄膜纯度高、成膜速快、生...[全文]
钨薄膜的生长速率由表面反应速率控制2017-5-20 22:08:14
这一反应控制衬底温度低于450℃,H2过量。此时,钨薄膜的生长速率由表面反应速率控制,W在衬底的二氧化硅或氮化硅表面不能成核,特别是温度较低时。ACT8847QM147-T只在衬底的硅、金属及硅...[全文]
杂质的掺人影响二氧化硅性质2017-5-19 21:32:41
同种类、不同I艺方法,以及不同温度淀积的CVDs02,其质量和特性不尽相同,相应的用途也就有所不同。CVDSiO2是一类淀积介质薄膜,K4B1G1646E-HCH9主要用于在前期已完成了一些工艺...[全文]
原子基团是非常活泼的激活态物质2017-5-19 21:22:50
硅烷裂解为中性原子基团需要的能量比电离为离子所需的能量低得多,如⒊H4裂解为⒊H3需要能量是3,5eV,而电离成⒏H1+需要的能量是12eV。因此,裂解更容易发生。K4B1G0846G-BCF8...[全文]
APCVD工艺主要用于二氧化硅薄膜的制备2017-5-18 21:43:12
APCVD工艺主要用于二氧化硅薄膜的制备,通常采用可以连续供片的设备进行淀积,OPA129U图⒎9所示是连续供片APCVD设备示意图。衬底硅片从硅片盒到传送带,连续地通过非淀积区和淀积区,再传送...[全文]
离子注人在SoI结构中的应用2017-5-17 21:37:51
sOI(Slhconhref="http://www.51dzw.com/RFSA2013-s.html">RFSA2013集成电路,高压功率器件以及抗辐射微电子等领域具有重要的应用。随着半导体...[全文]
离子注人工艺流程2017-5-17 21:25:21
1离子源与衬底(靶)离子源主要采用含杂质原子的化合物气体,如B源有B凡、BC圮;P源为H2+AsH3。RF3482TR7衬底为(111)晶向硅时,为了防止沟道效应,一...[全文]
因碰撞而离开晶格位置的原子称为移位原2017-5-16 21:07:59
因碰撞而离开晶格位置的原子称为移位原子。注人离子通过碰撞把能量传递给靶原子核及其电子的过程,称为能量淀积过程。一般来说,M62446AFP能量淀积可以通过弹性碰撞和非弹性碰撞两种形式进行。如果人...[全文]
同样能量的B、P、As、sb等离子注人到硅靶中的射程和浓度分布2017-5-16 20:54:15
图616不同能量的硼注人硅中的原子浓度分布测试值与高斯分布、四差动分布曲线反之,M62429FP如果注人的离子质量大于靶原子质量,如锑离子注入硅靶中,碰撞结果将引起在比峰值位置更远一侧堆积,同样...[全文]
常用杂质的扩散工艺2017-5-14 18:21:56
目前微电子制程中常用的掺杂杂质主要包括硼(B)、磷(P)、砷(As)和锑(Sb),它们几R3111N271C-TR-F乎涵盖了所有需要的掺杂。硼扩散硼扩散是p型掺杂使...[全文]
填隙式扩散2017-5-13 18:25:59
存在于晶格间隙的杂质称为间隙式杂质。间隙式杂质从一个间隙位置到相邻间隙位置的运动称为填隙式扩散。实验结果表明,以间隙形式存在于硅中的杂质,主MAX2741AETI+要是那些半径较小的杂质原子,它...[全文]
热氧化工艺展望2017-5-13 18:15:31
热氧化工艺无疑是硅工艺的核心技术之一。随着芯片特征尺寸越来越小.当今热MAX2058ETL+T氧化工艺的发展方向主要集中在如何制造电学性能优良且足够薄的栅氧化层,要求这层薄栅具有高介电常数、较低...[全文]
工艺过程中具有较低的热开销2017-5-12 21:34:48
工艺过程中具有较低的热开销(ThermalBudgct),以减少热扩散过程中的杂质再分布。OMAPL138BZWTD4近几年来对薄栅介质层研究主要集中在解决上述所提到的一些问题上,可分为迮大类主...[全文]
掺杂浓度及杂质类型对氧化速率的影响2017-5-11 22:44:21
由于湿氧氧化速率上大于干氧氧化速率,因此,干氧中含少量的水汽都会使干氧氧化加速。KSZ8721BL实际上,线性和抛物型氧化速率常数对存在于氧化剂中或者存在于硅衬底中的杂质、水汽、钠、氯、氯化物等...[全文]
氧化与掺杂是最基本的微电子平面工艺之一2017-5-11 22:02:38
氧化与掺杂是最基本的微电子平面工艺之一。KA3361CD通常氧化是指热氧化单项工艺,是在高温、氧(或水汽)气氛条件下,衬底硅被氧化生长出所需厚度二氧化硅薄膜的工艺。掺杂是指在衬底选择区域掺人定量...[全文]
外延层参数测量2017-5-10 22:44:06
在外延生长过程中和完成后,对外延片的质量控制和参数检测,除了前述晶格特性方面的内容之外,MAX202ECSE+T外延层参数测量也是重要的检测内容,主要参数有外延层厚度、电阻率、均匀性等。...[全文]
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