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选择性锗硅外延工艺2017-10-21 13:05:09
选择性锗硅工艺可以分为两种工艺流程,一种是K4S561632N-LC75在形成侧墙offsct工艺之前嵌人锗硅(SiGe伍rstprocess),另一种是在源漏扩展区和侧墙工艺形成后嵌人锗硅(S...[全文]
sACVD沉积后的高温退火2017-10-21 12:32:23
由于SACVD形成的⒊O2薄膜质量较差,所以在用于浅沟槽隔离时,在薄膜沉积完成后需要进行高温的退火以提高薄膜的密度和吸潮性。K4H511638D-UCCC目前退火主要包括:水蒸气退火+N2干法退...[全文]
为什么sACⅤD被再次使用2017-10-21 12:29:33
对于技术节点为亚65nm、器件深宽比大于8的结构来说,人们发现用这种多步的沉积一刻蚀虽然能够改善HDP的填充能力,但是会使工艺变得非常复杂,K4D263238F-QC50沉积速度变慢,而且随着循...[全文]
接收器是一只硅光电半导体管2017-10-20 21:16:08
在通用型光电耦合器中,接收器是一只硅光电半导体管,因此在B-E之间只有一个硅PN结。达林顿型则不然,它由复合管构成,两个硅PN结串联成复合的发射结。NAND01GR3B2CZA6E是达林顿型光电...[全文]
推荐采用线性光电耦合器2017-10-20 21:09:07
在设计光耦应用电路时必须正确选择线性光电耦合器的型号及参数,选取原则如下:N79E824ASG(1)光电耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~⒛0%。这是因为当CTR&l...[全文]
将整流桥与逆变桥母线铜排断开2017-10-19 22:16:04
将整流桥与逆变桥母线铜排断开,RC4558M将逆变部分控制电路板拔出:若是3kW电炉小电流负载的阻值约⒛0Ω(阻值根据设各容量适当选取):调节冷却水压力,检查水压继电器动作是否正常,检查每根水管...[全文]
氮氧化硅栅极氧化介电层的未来发展方向和挑战2017-10-18 20:49:12
跟二氧化硅比,氮掺杂的⒏ON栅极氧化层或氧化硅氮化硅叠加的栅极氧化层,其漏电NCP1034DR2G流得到了大大的改善(可降低一个数量级以上),并且可以同时保持沟道里的载流子迁移率不变。时至今日,...[全文]
为了降低RC延迟,电介质的乃值必须随着技术节点不断降低2017-10-17 21:51:37
在后端的互连方面,主要的挑战来自RC延迟。为了降低RC延迟,电介质的乃值必须随着技术节点不断降低。TAS5112ADCA从180/130nm采用掺氟的氧化硅(FSG)到90/65/奶nm采用致密...[全文]
垂直沟道型三维电荷俘获存储器是最早实现大规模量产的闪存产品2017-10-17 21:35:48
对于这些不同架构的存储器来说,按照存储层的材料可以分为三维浮栅存储器和=维电荷俘获存储器。TA7291FG前者主要由美同美光公司推介,在2015年底完成了技术上的准备,由于采用多晶硅浮栅作为存储...[全文]
布线的方式有自动布线和交互式布线2017-10-16 21:08:31
PCB布线有单面布线、双面布线和多层布线。布线的方式有自动布线和交互式布线。S25FL016A0LMFI001在自动布线之前,可以用交互式预先对要求比较格的线进行布线。输人端与输出...[全文]
在PCB上,并不是所有元器件在上拉/下拉电流上都相同2017-10-16 21:05:39
在PCB上,并不是所有元器件在上拉/下拉电流上都相同。PCB上有许多元器件,S25FL008A0LMFI001工作时就会产生不对称的功耗,这种不对称的情况会产生电源和地平面的电流不平衡。板级抑制...[全文]
将单面或两面电路板设计改为四层电路板设计2017-10-16 20:52:50
多层PCB非常适合高集成度、高密度RCLAMP0504FATCT和高速电路的PCB设计使用。对高集成度和高密度布板,由于器件引脚极多且走线密度极高,为使得所有的信号线、电源、地能得到有效的连通,...[全文]
从数字电路的电源层骚扰进人模拟器件的电源引脚2017-10-16 20:50:19
静态区域是物理上独立于数字电路、电源与RCLAMP0503N.TCT接地层的部分。这种隔离避免了PCB上其他区域的骚扰源干扰其他敏感电路。例如,从数字电路的电源层骚扰进人模拟器件的电源引脚,或音...[全文]
在微电子工艺中常用的介质薄膜还有氮化硅薄膜2017-10-15 18:11:14
在微电子工艺中常用的介质薄膜还有氮化硅薄膜,特别是在一些不适合使用工氧化硅薄膜的场合,PIC12LF1552氮化硅薄膜被广泛使用。氮化硅薄膜通常是采用CVD工艺制备。氮化硅薄膜性质...[全文]
热丝化学气相淀积2017-10-15 18:00:02
热丝化学气相淀积(HotⅦreCVD,F叩为0)是一种新近发展起来的CV「l薄膜制备方法。它采PIC12F752用高温热丝分解前驱气体,通过调节前驱气体组分配比和热丝温度而获得大面积的高质量淀积...[全文]
原子或离子的温度又远低于电子2017-10-15 17:50:37
电子的平均运动速率约为9,5×105m/s。而如果辉光放电气体是惰性气体氩,氩的原PIC12F629子质量远大于电子,原子或离子的温度又远低于电子,其平均运动速率约为5×1o2m/s。电子与原子...[全文]
APCX/D工艺温度一般控制在气相质量输运限制区2017-10-15 17:36:19
尽管设备是冷壁式系统,但在常压下反应剂浓度较高,硅烷和氧气的反应仍可能在气相发生,形PIC12F510成硅的氧化物颗粒,这将造成淀积薄膜质量下降,如表面形态差、密度低等一系列问题。通过降低反应剂...[全文]
CMOs晶体管和金属互连的制造流程2017-10-14 10:58:01
现代CM()s逻辑△艺流程的顺序如图3.3所示,工艺参数对应于90nm节点。CMOS逻辑超大规模集成电路的制造通常是在P型硅或绝缘体上硅(SOI)上,直径为⒛0mm(8″)或300mm(12″)...[全文]
将统一的地分为模拟部分和数字部分2017-10-13 21:45:42
较好的办法是开始时就用统一地。将统一的地分为模拟部分和数字部分。这样NCP4894FCT1G的布局布线既满足了£器件厂商对模拟地和数字地引脚低阻抗连接的要求,同时又不会形成环路天线或偶极天线而产...[全文]
所需连接的电缆负载(或装置)的数量、型号和长度2017-10-10 20:44:44
EUT的配置主要由以下因素确定。REF1004-2.5(1)所需连接的电缆负载(或装置)的数量、型号和长度。(2)所需安装的模块(如各类插卡,底板)的数量和类型。...[全文]
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