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HCI的机理2017-11-17 21:41:59
当MOS器件丁作时,载流子(电子或空穴)从源向漏移动,在漏端高电场区获得动能。UC3524ADWTR随着能量的累积,这些高能载流子不再与晶格保持热平衡状态,而是具有高于品格热能(KT)的能量,称...[全文]
HCI的机理2017-11-17 21:41:57
当MOS器件丁作时,载流子(电子或空穴)从源向漏移动,在漏端高电场区获得动能。UC3524ADWTR随着能量的累积,这些高能载流子不再与晶格保持热平衡状态,而是具有高于品格热能(KT)的能量,称...[全文]
透射电镜2017-11-16 20:48:44
透射电镜:FIB定点切割制备的样品,经TEM观察发现NMOS管LDI)(lightlydopeddlcain)lX域、SGM8903YTS14G有源Ex和STI(shallowtrenchiso...[全文]
失效模式:白动测试(ATE)连续性/开路2017-11-16 20:30:52
(1)基本情况:sMIC0,18um制程TQV(testqualificationvehiclc),它以sRAM为载体,SGM2019-1.5YN5G用于检测产品的质童和可靠性参数。SGM201...[全文]
聚焦离子束强微镜的基本功能2017-11-16 20:19:37
(1)定点切割(precisionalcutting):利川离子的物理碰樟来达到切割的冂的,SDB628泛应于集成电路(I(r)和I'(lI)的Cr°ssscction加丁和分析....[全文]
相位衬度2017-11-16 20:12:41
相位衬度:衍射束SC1088和透射束或衍射束和衍射束由于物质的传递引起的波的相位的差别丽形成的衬度。当样品薄至100nm以下时,电子可以传过样品,波的振幅变化可以忽略,成像来自于相位的变化。...[全文]
俄歇电子2017-11-15 20:54:47
俄歇电子:原子内T0518-007D层电子能级跃迁过程中释放出来的能量不是以X射线的形式释放而是用该能量将核外另一电子发射出去(或使空位层的外层电子发射出去),脱离原子变为二次电子,这个被电离出...[全文]
微分析技术2017-11-15 20:38:45
确定失效原因的物理分析(PFA).通常需要包含样品制备和观测两部分。在失效分析TMS320F28015PZA时,常需一系列、不止一次的样品制备、观察・直到引起失效的缺陷显现并被确证...[全文]
基于原子力显微镜的纳米探针技术2017-11-15 20:15:40
基于原子力显微镜的纳米探针技术,就是在传统的原子力显微镜基础上,添加由TC74VHC244FEL根探针和精密的电学测试机相连接所组成的电学测量系统。它利用原子力显微镜原理获得被检测样品的表m原子...[全文]
若缓缓旋转“给定”电位器,2017-11-14 21:10:04
若缓缓旋转“给定”电位器PEC11L-4215F-S0015,直流电流超过100A仍未有中频叫声,则可将互感器(LH5)的引线端(“1"”、“112”)对调或变压器(B2)次级端引线(“I10”...[全文]
PEM用于定位热载流子引起的失效2017-11-14 20:47:56
热载流子是MOS管漏端附近在强电场作用下具有很高能董的导带电子或价带帘穴,PIC18F13K22热载流子可以通过多种机制注入MOS管的栅氧化层中,主要有沟道热电子在漏端附近发生碰撞电离获得足够的...[全文]
PEM在ic失效分析中的应用包括以下几方面2017-11-14 20:45:58
PEM在ic失效分析中的应用包括以下几方面。PEM用于缺陷检测PIC16F688-I/SLShade把器件失效情况和发光情况的联系分为四类,如表14.1所示。...[全文]
光发射显微技术2017-11-14 20:40:48
半导体器件和电路制造技术飞速发展,器件特征尺寸不断下降,而集成度不断上升。这PCI2050BIZHK两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。而光发射显微技术PEM)作为一种新...[全文]
热点检测失效定位2017-11-14 20:35:12
热点是芯片最容易失效的部位,也是芯片最常见的失效模式之一。热点检P87C51RB+5A测是芯片级失效定位的有效手段。报道的热点检测技术有红外显微分析,液晶检测技术和Flu°rescentMicr...[全文]
失效分析技术 2017-11-13 20:30:55
失效分析方法,大体上包括两个方面,即失效分析的逻辑思维方法和失效分析的实验检测技术。SMDA15CTB失效分析的实验检测能够提供有关失效的资料,它是判断失效原因的基本依据,本章主要讨论失效分析的...[全文]
具有高MEEF的图形会减少全芯片的工艺窗口2017-11-12 16:53:39
众所周知,具有高MEEF的图形会减少全芯片的工艺窗口,所以它们在光刻工艺中不能被忽视。R1002当复杂以及不断缩小的图形增强邻近效应,显影失败的危险,也就是所谓的MEEF指标,就会增加。对于不相...[全文]
要制造出浅而且浓的结需要许多制程的相互配合2017-11-12 16:42:10
要制造出浅而且浓的结需要许多制程的相互配合.首先需要低能童高浓度的杂质掺入技术。R05E05通过低能量离子置入(lowcnergyimplan0和较重掺杂元素(species)的选用把掺杂物送到...[全文]
栅极氧化层制程对M○S电性参数的影响 2017-11-12 16:36:15
MOSFET的电性参数控制对集成电路甚为重要,然而也受制程的影响最多。就栅极氧R0502053S化层而言,如何在降低有效氧化层的厚度(effective>(leakage)、保持通道内载流子的迁...[全文]
Cu CMP产生的缺陷2017-11-11 18:17:51
降低缺陷是CMP工艺,乃至整个芯片制造的永恒话题c随着器件特征K寸的不断缩、缺陷对于I艺控制和最终良率的影响愈发明形,致命缺陷的大小至少要求小于器件尺寸的50%。金属残余物QAMI...[全文]
先进工艺对Cu cMP的挑战2017-11-11 17:48:47
在先进I艺中,随着金属连线的尺寸越来越小,微小的铜线高度的变化,就会造Q62702A950成很大的电阻值和电容值的变化。在铜抛光中铜去除量的波动是电阻值波动的主要来源之一。所以先进工艺对铜抛光的...[全文]
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