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刻蚀技术 2017-5-27 20:58:58
在微电子芯片制造过程中,常常需要在硅片表面做出极微细尺寸的图形,而这些M93C66WMN6TR微细图形最主要的形成方式,是使用刻蚀技术将光刻技术所产生的光刻胶图形,包括线、面和孔洞,准确无误地转...[全文]
传统光学光刻及制版技术面临的挑战2017-5-25 21:30:13
集成电路日前正处于由ULSI(甚大规模集成电路)而跨入GSI(巨大规模集成电路)的时代。以S29AL016D70TFI020作为微细化、高集成化先导的M(E(金属氧化物半导体)工艺和DRAM(动...[全文]
显影检验2017-5-24 21:45:25
在显影和烘焙之后就要完成光刻掩膜工艺的第一次质检,通常叫显影检验。检验的日HAT2256R-EL-E的是区分那些有很低可能性通过最终掩膜检验的衬底,提供工艺性能和T艺控制数据,以及分拣出需要重做...[全文]
准直溅射技术2017-5-23 21:08:20
准直溅射技术(如图⒏29所示),是在高真空溅射时,在衬底正上方插人一块有高纵横比孔的平板,PM6600TR称为准直器。溅射原子的平均自由程足够长,则在准直器与衬底之间几乎不会发生碰撞。因此只有速...[全文]
真空系统2017-5-21 18:08:52
真空系统主要包括多级真空泵、各种阀OP07DN门、检测不同真空度范围的各种真空规及管路。真空蒸镀工艺要求真空室基压在高真空度范围,通常在104Pa以上。要获得这样高的真空度需要采用...[全文]
晶硅的导电特性与单晶硅也有所不同2017-5-20 21:38:13
晶硅的导电特性与单晶硅也有所不同。在晶粒内部的掺杂原子和在单晶硅中一样是占据替位位置,有电活性;而晶界上的硅原子是无序状态,ACT364US-T掺杂原子多数是无电活性的,且晶粒/晶界之间的杂质分...[全文]
建立衬底表面反应剂的输运机制模型2017-5-18 21:29:29
建立衬底表面反应剂的输运机制模型,如图76所示,常压和低压两种淀积情况时的输运机制有所不同。OP07DN在上述分析中对反应剂穿越边界层情况进行了介绍,即图76(a)和(b)中的①所示。而反应剂系...[全文]
表面浓度的确定2017-5-14 18:34:15
表面浓度是在半导体产品设计或制造过程中,特性分析和模拟计算时经常要用到的又一个重要参数。如图521所示为同种分布函数情况下,R=码和Cs之间的关系。R3602DR-S表面浓度不同,杂质分布可以有...[全文]
氧化层中的电荷2017-5-12 22:06:33
在二氧化硅层中存在着与制各I艺有关的正电荷。在sΘ2内和s/si()2界面上有4种类型的电荷(氧化层内电荷的种类和分布如图艹32所示):可动离子电荷Qu;S9S08DZ32F2MLC氧化层固定电...[全文]
电子线路模块2017-5-5 20:25:43
ⅤHRR的电子线路如图5-37所示。每个通道,包括备用件,各有一个独立的电子链路。硅光学探测器由偏置电源驱动。探测器GC5016-PB在地面环境温度下工作,与其有关的电子线路亦如此...[全文]
晶圆中测是主要的芯片良品率统计方法2017-4-30 19:54:18
晶圆中测是主要的芯片良品率统计方法之一随着芯片的面积增大和密度提高使得晶网测试的费用越来越大!这样一来,芯片需要更长的测试时间以及更加精密复杂的电源、机G3N60B3械装置和计算机系统来执行测试...[全文]
对于晶体材料实际上可能有两个级别的原子组织结构2017-4-30 19:41:10
对于晶体材料实际上可能有两个级别的原子组织结构。第一个是单个原子的组织结构、G30N60晶体里的原子排列为晶胞(unitcell)结构。晶胞是晶体结构的第一个级别。晶胞结构在晶体里到处墓复另·个...[全文]
横向PNP晶体管的发射区和收集区2017-4-29 12:46:46
形成Nl,N型晶体管的基区,横向PNP晶体管的发射区和收集区,以及电阻双极-MOS(bi-MOS):ADC10738CIWMX+包含双极和MOS两种晶体管的电路,,二进制符号(binary>双极...[全文]
提高集成密度和提高的电路速度一直是人们所追求的目标和面临的挑2017-4-29 12:43:30
增强可靠性,提高集成ADC08D1010DIYB+密度和提高的电路速度一直是人们所追求的目标和面临的挑战.混合型电路更是看重可靠性。速度和集成度的提高来源于免去了对单个芯片的封装工序。整...[全文]
通常选用的是光子探测器中的光伏探测器和光电导探测器2017-4-23 20:00:39
在天基红外预警监视装备中,通常选用的是光子探测器中的光伏探测器和光电导探测器。FAN7602B在大规模焦平面器件中,由于光伏探测器易于与高阻抗的CMOS读出电路匹配而得到广泛的应用。...[全文]
F数和数值孔径2017-4-20 21:36:32
光学系统的F数或数值孔径FDA59N30可用来表述光学系统对辐射的会聚能力。F数定义为系统的等效焦距与入瞳直径(有效孔径)之比,记作F或式中J为光学系统的焦距;D为光学系统的光学孔径。F数的倒数...[全文]
 脉冲变压器初级线圈2017-4-8 20:19:24
脉冲变压器初级线圈,开关管和滤波电容构成的高频开关电流环路可能会产生较大的空间辐射,形成辐射骚扰。HCPL4504-500E如果电容滤波容量不足或高频特性不良,电容上的高频阻抗会使高频电流以差模...[全文]
调制的分类2017-4-6 21:35:42
(1)按调制次数分类。调制有一次调制和二次调制之分。将信息直接调制到光载波上被称为一次调制。P204CSSE1MMB而将光载波先人为地调制成随时间或空间变化,然后再将被测信息调制到光载波上称为二...[全文]
敏感设备的抗干扰性能2017-4-5 21:45:05
在电磁兼容领域中,被干扰的设备或可能受电磁骚扰影响的设备称为敏感设备,HVDA553QDRQ1或者在系统分析中称为骚扰接收器。如何提高敏感设备的抗干扰性能,是电磁兼容领域中的研究问题之一。...[全文]
若屏蔽层有EFT干扰电流流通2017-3-26 18:54:27
若屏蔽层有EFT干扰电流流通,则部分高频干扰会耦合到屏蔽电缆的内部信号线上。R154001T此时穿过金属外壳的信号/控制线,应在外壳接口处加装由适当的共模扼流圈(该共模扼流圈可由所有信号线在一个...[全文]
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