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反馈系统2017-11-18 17:03:18
在系统检测成像全过程中,探针和被测样品间的距离始终保持在纳米量级,距离太SA2132大不能获得样品表面的信息,距离太小会损伤探针和被测样品,反馈回路(feedback)的作用就是在工作过程中,由...[全文]
量值的溯源、校准和检定2017-11-18 16:55:11
1.量值溯源体系SA1117BH-1.2V通过一条具有规定不确定度的不间断的比较链,使测量结果或测量标准的值能够与规定的参考标准(通常是国家计量基准或国际计量基准)联系起来的特性,...[全文]
热载流子效应(HCl) 2017-11-17 21:40:14
当集成电路的M(B器件,经过一段时间的下作,器件的电学性能会逐步退化。如阈值U2008B-MY电压(V|b)漂移.跨导(Gm)降低,饱和电流(Jdψ)减小,关态泄漏电流(Ii")升高,最后导致器...[全文]
半破坏性分析2017-11-16 20:55:50
半破坏性分析:自动开封,镜检正常;电性验证:开封后电性能复测,再次证实器件失效;SI4435DDY-T1-GE3正面失效定位,采用PEM和OBIRCH技术;背面失效定位,分别对好坏样品进行PEM...[全文]
 OBIRCH等雷射技术常用于后段金属互连线的短路2017-11-15 20:11:43
>的阻值高等失效问题的诊断;之前的铝互连技术制程中,这种诊断技术非常成熟,TJA1040T/N1非常实用.特别是针对金属层问接触孔类的缺陷诊断;在铜Ⅰ连技术制程中.从实验中看出,对于同层金属互连...[全文]
OBIRCH热点域处找到的缺陷2017-11-14 21:08:13
图14.12给出了在OBIRCH热点域处找到的缺陷,其中:图11.12(a)热点位置的TEM图片,P89LPC935FA下层铜金属与Via的界面处缺陷很明显,连接不良;下层铜的保护层氮化硅也有破...[全文]
鉴别失效模式/失效现象的观察和判定2017-11-13 20:20:42
(1)外观检测:肉眼,立体显微镜,低、高倍光学显微镜观测,扫描电镜/能谱观测(如果需要化学成分分析)。SY88903ALKGTR(2)机械损伤、腐蚀、管脚桥接、处于引脚之间的封装表...[全文]
DFM展望2017-11-12 17:13:48
那些违反了一系列保证Il艺窗冂原则的图肜或者包含不同图形的一个lx域被称作DFM热点。SY88903ALKGTR如图13.12所示,把精确的模型嵌人到能够模拟铜互联拓扑形貌的计算机程序中,DFM...[全文]
金属硅化物对MOS电性参数的影响 2017-11-12 16:45:32
金属硅化物(salicide)使用在栅极、源极和漏极上,可有效降低MOs的串联电阻,并进一步增加MOS操作的速度。在Q。25um以上的制程是以Tisalicide为主,90n”以上的技术节点使用...[全文]
超浅结对MOS电性参数的影响 2017-11-12 16:41:08
超浅结(ultraˉshallowjunction)是指对源极和漏极PN结深度的处理。R05107ANP-021为了对应横向制程微缩所带来的严重的短通道效应,结的纵向深度也必须进行...[全文]
器件参数和工艺相关性 2017-11-12 16:32:14
集成电路的设计十分复杂,动辄使用数百万到数十亿个逻辑闸数量(gatccounO,每一RLF7030T-3R3M4R1个逻辑门和其他器件的电性参数必须同时达到标准,否则丿小片可能无法止常运作。一片...[全文]
主流阻挡层研磨液的主要成分及作用2017-11-11 17:46:49
对于第三步阻挡层抛光,去除速率、抛光选择性的调整能力、表面形貌修正能力以及抗腐蚀和缺陷控制能力等,都是先进工艺中对理想阻挡层研磨液的基本要求。Q22FA23V0017000阻挡层抛光研磨液分为酸...[全文]
颗粒量测2017-11-10 22:03:14
光散射技术被I业界广泛用于测量平面晶片表面的颗粒污染。方法是被检测的晶片在聚焦激光束下旋转,OB3330CP大体上可形成一个反应晶片表面特点的螺旋状图案4:1。当激光束投射到一颗缺陷上,一少部分...[全文]
电动式传声器的原理2017-11-8 12:20:57
电动式传声器的原理。在永久AD1032AR磁铁中间放人导体,分析这个导体按箭头方向运动时的情况。根据弗莱明右手定则,这个导体(实际上是可动线圈,也叫动圈)中有方向确定的感应电动势,并且有电流流过...[全文]
外接的电动机热过载保护2017-11-3 22:38:23
外接的电动机热过载保护。电动机GLFR1608T1R5M-LR在额定速度以下运行时,安装在电动机轴上的风扇的冷却效果降低。因此,如果要在低频下长时间连续运行,大多数电动机必须降低额定功率使用。为...[全文]
2009年阿斯麦公司的埃尔法验证机的硅片图像2017-11-1 19:43:55
在图7,111中展示了2009年阿斯麦公司的埃尔法验证机的极限图像。其中密集线条可以分辨至28nm半周期(HalfPitch,HP)。到F26nm半周期,图像开始明显变差。极紫外光刻吸引注意的原...[全文]
一种化学增幅的光刻胶在深紫外光加上酸的催化反应结构式2017-10-30 21:32:23
由图7,83所示的结构式实际上是国际商业机器公司(InternationalBusinessMachines,IBM)第一代~9d8nm的化学增幅的光刻胶,叫做APEX。UC2842A由于化学增...[全文]
球面像差2017-10-30 21:16:35
球面像差(sphcⅡcalaberration),简称球差。最低阶的是z9,其表现如图7.73所示,平行人射的光随着距离光轴的距离不同经过透镜聚焦在不同的焦点上。U2730B-BFSGI球差是一...[全文]
成像分系统2017-10-29 14:03:26
成像分系统由照明系统、VA0505D主投影镜头以及光强控制子系统组成。照明系统负责将激光或者汞灯的出射光调整为具备一定部分相千性的光,并且将其输送至掩膜版。主投影镜头负责将掩膜版散射的光成像于硅...[全文]
连接实验线路是建立实验系统最关键的工作2017-10-27 20:57:29
连接实验线路是建立实验系统最关键的工作,需注意以下3个方面的问题。UA733CN①实验对象的摆放:实验用电源、负载、测量仪器等应摆放合理。遵循的原则为:实验对象摆放后使得电路布局合...[全文]
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