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设置磁场模型2017-1-11 20:40:38
解算完成后,解算报告窗口会停止更新内容,这时窗口底部的PostProcess按钮可以被单击调出后处理程序,MC74HC4053ADR2但先不要单击,也不要关闭结算报告窗口。返回Modeller创...[全文]
模型表面场值计算和显示2017-1-9 20:49:33
>3D)splay按钮溺,弹MC14024BDR2G出如图6,2.35所示的3D场值显示设置对话框。选择第一行的Component∞rltours,即模型表面的颜色按场值显示;Fi...[全文]
白炽灯泡的灯丝形状对发光强度的方向性有影响2017-1-8 22:39:02
白炽灯泡的灯丝形状对发光强度的方向性有影响,普通照明常用W形灯丝,使灯3600发光;MC14020BDR2G而光栅的莫尔条纹测量则用直丝形状仪器灯泡,且灯丝长度方向应与光栅刻线方向一致。...[全文]
几何模型建立2016-12-26 19:36:48
几何模型建立通过OpcmManager打开Modeller之后(参见2,2节),首先建立永磁体。永磁体VC0528BRWD的几何形状是一个简单的圆柱体,柱体高10cm,半径57cm...[全文]
外部电路2016-12-25 15:01:53
所有瞬态电磁分析程序(CARMEN、DMAG、EI'EKTRA/(SSandTR)、QUENCH)可以对外部电路进行建模,包括电压源、电流源、电阻、电容、NANDO2GW3B2DN6E二极管、开...[全文]
确定电路元器件参数2016-12-12 20:29:54
①稳压管的选择。稳压管的AD8310ARMZ作用是限制和确定方波的幅值。此外,方波振幅的对称性也与稳压管的性能有关。因此,为了保证输出方波的对称性和稳定性,通常选用高精度双向稳压二极管,按设计要...[全文]
故障的查找2016-12-4 16:12:50
故障的查找。对照中L7808CD2T频电源的电路原理图和印制板布线图,分析中频电源工作原理并在维修思路中形成可疑的故障点后,即应在印制板上找到其相应的位置,运用万用表、示波器进行在路或不在路测试...[全文]
故障的查找2016-12-4 16:12:50
故障的查找。对照中L7808CD2T频电源的电路原理图和印制板布线图,分析中频电源工作原理并在维修思路中形成可疑的故障点后,即应在印制板上找到其相应的位置,运用万用表、示波器进行在路或不在路测试...[全文]
直流工作电压测量法2016-12-2 20:04:26
这是一种在通电情况下,用万用表直流电F挡对直流供电电压、外围元器件的工作电压进行测量,H1187NL检测IC各引脚对地直流电压值并与正常值相比较,进而压缩故障范围,找出损坏的元器件的方法:测量时...[全文]
测量二极管2016-11-28 21:53:12
测量二极管。用数字ADR5043BRTZ-REEL7式万用表可以测量发光二极管、整流二极管。测量时,转换开关拨至标有二极管符号的位置。红表笔插入Ⅴ/Ω孔,接二极管正极;黑表笔插人C0M孔,接二极...[全文]
PM的结构2016-11-25 21:21:21
IPM是一种先进的功率开关器件,具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、PA9516APW高开关频率和低驱动功率的优点。而且I...[全文]
光耦产品电参数2016-11-22 19:42:40
光电耦合器的电参数可分为发光器参数、受光器H5PS1G83JFR-Y5C参数、耦合参数和总体参数等几类。1)发光器参数发光器参数如下:(l)光敏二极管正...[全文]
变压器2016-11-21 21:25:26
两个电感线圈相互靠近,会产生互感现象。因此从原理上来说,各种变压器都属于电感。AFD51-18-30PZ-6116变压器在电子产品中能够起到交流电压变换、电流变换、传递功率和阻抗变换的作用,是不...[全文]
半导体照明是用第三代半导体材料制作的光源2016-11-18 21:17:37
以发光二极管(LightEmittingDiodc,LED)为核心的新一代半导体照明(Scmiconduct∝~ughtillg,也称为So旧StatcjghJng,SSL,即固态照明)是对传统...[全文]
伏安特性表现出电阻的特性2016-11-13 19:03:39
静电击穿对LED中GaN材料的影响主要是通过对GaN材料中分布的线位错的电学特性的改变体现出来。K4D261638F-TC50由于GaN材料异质生长在蓝宝石衬底上,材料内的线位错密度很高。...[全文]
LED的静电损伤机理2016-11-13 18:56:42
由于G瘀基发光二极管成功地实现商业化生产,G岔N基发光二极管在各个领域得到了广泛的应用。K4D261638F-LC40相对先前广泛使用的发光二极管,如基于GaAsP、AlGa、As、AlGaIn...[全文]
根据对外延片合格产品的要求,需要进行以下测试分析2016-11-5 19:12:23
根据对外延片合格产品的要求,JANTX2N2907A需要进行以下测试分析:①表面反射率分析(PR:PhotoRcⅡcctivity),测试外延片表面的粗糙度;②光致发...[全文]
单晶硅衬底2016-11-5 19:05:46
单晶硅是目前应用最广的半导体材料。以单晶硅作为G焖基外延片衬底材料引起人们最广泛的关注和研究,主要是其有望能将GaNT基器件与Si器件集成。JANTX1N751A-1同时与蓝宝石衬底相比,硅衬底...[全文]
液相外延(LPE)2016-11-4 21:33:32
液相外延是在固体衬底表面从过冷饱和溶液中析出囤相物质生长半导体单晶薄膜的方法。H9TP32A8JDBCPR-KGM最早由Nclson在1963年发明并用于GaAs单晶薄膜的外延生长。液相外延生长...[全文]
气相外延是目前硅外延生长的主要方法2016-11-4 20:51:02
当一定流速的流体(载气)经过圃体(衬底)表面时,由于气流与衬底的摩擦力导致在固体表面出现一个流体速度受到干扰而变化的薄层,称为边界层或滞流层。H9LA1GG25HAMBR-46M边界层的厚度与流...[全文]
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