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电子束曝光2017-5-26 21:20:17
电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光等光刻技术都几乎不受光的衍射极限限制,可以作SDCL1005C1N5STDF为分辨率达亚微米的超大规模集成电路的光刻技术。它们在~90世纪70年代就已出现。但是...[全文]
离轴照明同样可改善焦深2017-5-26 21:01:59
离轴照明同样可改善焦深。传统照明时,由于掩膜衍射,有0级、±1级三束光参与成像,在理想焦平面内这三束光的位相差(即光程差)为零。SCD0502T-4R7M-N但离焦时,1级光相对0级光的相位不为...[全文]
前烘2017-5-24 21:26:25
涂胶完成后,仍有一定量的溶剂残存在胶膜内,若直接曝光,会影响图形的尺寸及完好率。因此,HAT2071R-EL-E涂胶后,需经过一个高温加热的步骤,即前烘,也叫软烘,它对后序的一些工艺参数有很大的...[全文]
其他金属薄膜和化合物薄膜2017-5-23 21:20:33
常用的多层金属薄膜多采用P、①I艺制备。有些场合的氧化物薄膜,或者难熔硅化物薄膜,以及PMBD7000其他以C、0方法难以制备的薄膜也都采用P`0工艺制备。多层金属单...[全文]
三极溅射和四极溅射2017-5-23 21:01:22
三极溅射是在二极直流溅射设备的基础上增加一个发射电子的热阴极,即构成了三极溅射设备。由于热阴极发射电子的能力较强,因而放电气压可以维持在较低的水平上,这有利PI3USB10ZEEX...[全文]
监测系统及控制台2017-5-21 18:10:00
监测系统是由对薄膜厚度、淀积速率、薄膜结构、成分等进行实时监测的装置组成的,配备的装置种类越多,系统功能就越强,设备构造也就越复杂、OP262HRU-REEL造价也就越昂贵。蒸镀设备最常配置的是...[全文]
真空系统及真空的获得 2017-5-21 17:26:53
微电子芯片制造的多个单项工艺是在真空系统中进行的,如PⅥ)中的真空蒸镀就要求在高真空系统中进行薄膜淀积,溅射也要求在有一定真空度的系统中完成,而前述的MBE更是在超高真空度下进行的外延层生长。B...[全文]
LPCVD的工艺温度通常是控制在表面反应限制区2017-5-18 21:52:46
LPCVD的工艺温度通常是控制在表面反应限制区。囚此,薄膜淀积速率对温度非常敏感,OPA171AIDBVT而对反应剂浓度的均匀性要求不高。这也是因为热壁式反应器I作在低压时气压易于波动,且衬底密...[全文]
低压化学气相淀积2017-5-18 21:47:54
低压化学气相淀积(LowPre~smreCX/△D,LPCⅥD是在APCVD之后出现的又一种以热激活方式淀积薄膜的C、0工艺方法。通常LPCVD的反应室气压在1~100h之间调节,主要用...[全文]
薄膜厚度均匀性2017-5-18 21:37:07
薄膜厚度均匀性主要是由薄膜淀积速率的均匀性决定的。薄膜淀积速率主要由衬底△艺温度和反应剂浓度决定。OPA124U反应室内各衬底之间,以及同一衬底不同位置的温度应该均匀一致。而薄膜淀积过程中各反应...[全文]
等离子体浸没掺杂2017-5-17 21:46:13
等离子体浸没掺杂(PIIID)技术最初是1986年在制备冶金工业中抗蚀耐磨合金时提出的,也称RT8207LZQW等离子体离子注人、等离子体掺杂或等离子体源离子注人掺杂。1988年,该技术开始进人...[全文]
智能剥离smartC11t技术2017-5-17 21:42:23
SmartCut技术是法国公司的M.Blud等提出的,其原理是利用Hˉ注入在s片中形成气泡层,RT2415B7TR7将注氢片与另一支撑片键合(两个硅片之间至少一片的表面要有热氧化⒊O2覆盖层),...[全文]
加速器2017-5-17 20:45:51
加速器离化物质失去电子变成离子后,还必须利用一强电场来吸引离子,使离子获得很大的速度,RF3161TR13以具有足够的能量注人靶片内。离子加速可采用“先加速、后分析”、“先分析、后加速”和“前后...[全文]
磁分析器2017-5-17 20:43:25
磁分析器从离子源引出的离子束一般包含有几种离子,而需要注人的只是某一种离子,因此,需要通过分析器将所需要的离子分选出来。RD-19240FS-A00分析器有磁分析器和正交电磁场分析器,其中以磁分...[全文]
快速退火方式2017-5-16 21:39:08
快速退火方法有脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等)。它们的共同特点是瞬时使硅片某个区域加热到所需要的温度,并在较短的时间内(103~10...[全文]
因为硼原子非常小并和缺陷团有很强的作用2017-5-16 21:25:26
在Ⅱ区内,当退火温度在500~600℃的范围内时,点缺陷通过重新组合或结团,凝聚为位错环一类较大尺寸的缺陷团(二次缺陷),降低其能量。M74HC14RM13TR因为硼原子非常小并和缺陷团有很强的...[全文]
化合物半导体是两种或多种元素按一定组分构成的2017-5-15 21:08:22
化合物半导体是两种或多种元素按一定组分构成的,这种材料经高温处理时,组分可能发生变化。PA886C02R采用离子注人技术,基本不存在该问题.囚此容易实现对化合物半导体的掺杂。在集成...[全文]
氧化层固定电荷2017-5-12 22:08:53
存在于⒏O2中的Na,即使在低于~900℃的温度下在氧化层中也具有很高的扩散系数。同时由S9S08DZ60F2MLF于Na以离子的形态存在,其迁移(TranspoⅡ)能力因氧化层中存在电场而显著...[全文]
热氧化后硅片中硼的表面浓度 2017-5-12 21:50:06
图⒋26所示是热氧化后硅片中硼的表面浓度,它代表的含义是均匀掺硼的硅片,经无掺OPA2211AIDRGT杂干氧和水汽氧化之后,硅表面浓度Cs与硅内浓度咣之比随氧化温度变化关系的计算结果,其中硼的...[全文]
硅的热氧化 2017-5-11 22:14:09
热氧化制备⒊02工艺就是在高温和氧化物质(氧气或者水汽)存在条件下,在清洁KAQV212的硅片表面上生长出所需厚度的二氧化硅。热氧化法制备的二氧化硅(Sio)质量好,具有较高的化学稳定性...[全文]
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