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导线自身的寄生电感不能忽略不计2017-6-21 20:28:35
在做大电流的浪涌保护设计时,导线自身的寄生电感不能忽略不计,并且浪涌电流作用下线缆两端的压降可以通过理论计算大致估算:PA905C4一根导线可等效为一个电感,在一个变化的电流流过导...[全文]
对于辐射抗扰度测试情况类似2017-6-17 19:55:59
【思考与启示】・不要过分强调差模辐射,而忽略了更为重要的共模辐射;●200MHz以下的频率,1cm2以下的环路,对于数字信号,基本上不会产生差模辐射问题...[全文]
对于塑料外壳的产品或连接器件选型时也要注意2017-6-15 20:23:03
随着放电现象的发生,产生的M24C08-WMN6TP干扰也随之对内部电路产生影响。也许有些产品中发生此类的放电现象不一定使测试失败,但是不得不说这是一种极大的风险。【处理措施】...[全文]
天线形状的重要性2017-6-6 19:45:37
一些天线由线环构成。这些天线探测磁场而不是电场,它们是磁场天线。正像流过L0107MTRP线圈的电流可以产生穿过线圈的磁场一样,当磁场通过线圈时线圈中也会感应出电流。磁场天线的两端被固定在一个接...[全文]
氧化层厚度测量 2017-6-3 22:57:41
二氧化硅薄膜是集成电路工艺中采用最多的介质薄膜,一次氧化的氧化层作为基区扩散掩膜,因此其厚度应能满足对硼扩散的掩蔽作用。TAS5001IPFB薄膜厚度的测量方法有多种,主要有光学十涉法、椭圆偏振...[全文]
离子型杂质吸附2017-6-3 22:50:35
这类杂质离子主要有K・、Na、Ca2、Mg2、「e:、H、(OH)、F`α、s、CC):^等,杂质离子来源于空气、生产用具、化学药品、去离子水,以及操作者的汗液、呼气等。TA812...[全文]
电学特性测试2017-6-2 21:17:42
电学特性测试的目的是最大限度地覆盖可能存在于r中的所有的失效源。IC电学特性测试主要包括直流特性测试、交流特性测试、功能测试和工作范围测试。直流特性测试在⒑制造、出厂...[全文]
插花式2017-6-1 20:13:41
这种方式是在圆片的选定位置用测试图形代替整个电路芯片,其数量和位置由需要而定。分布PACUSB-U3R可以是星形、柱状或螺线形。一般是在片子的每个象限中分布几个测试图形。插入的测试图形有两种形式...[全文]
微电子测试图形的配置方式2017-6-1 20:12:09
微电子测试图形在硅片上的配置方式可分为三类。(1)全片式全片即工艺陪片(PⅥV),这种类PACUSB-U3型是把测试图形周期性地重复排列在圆片上,形成PⅥV(Proc...[全文]
刻蚀技术新进展2017-5-29 16:54:09
刻蚀I艺技术发展非常迅速,一方面是已有刻蚀工艺的完善提高,如干法刻蚀系统设备的不断改进,工艺水平不断提高;湿法刻蚀也向着标准化、自动化方向进步。ICM7555CBAZ(LF)另一方...[全文]
反应离子刻蚀机(RIE)2017-5-29 16:43:06
RIE包含了一个高真空的反应腔,压力范围通常在1~1oOPa,腔内有两个平行板状的电极。IC01CP如图1l△所示是RIE设各示意图,其中,一个电极与反应器的腔壁一起接地,另一个电极与晶片夹具接...[全文]
越来越重要的DFM2017-5-25 21:43:13
随着技术节点向90nm、65nm、45nm发展,电路设计越来越复杂,对良率的影响也越来越大(如图109所示),S3C2410A-20换句话讲,通过对电路设计的改进将可以大大提升良率,这就是为什么...[全文]
曝光是使光刻掩模板与涂上光刻胶的衬底对准2017-5-24 21:39:59
曝光是使光刻掩模板与涂上光刻胶的衬底对准,用光源经过光刻掩模板照射衬底,使接受到HAT2197R-EL-E光照的光刻胶的光学特性发生变化。曝光中要特别注意曝光光源的选择和对准。1....[全文]
PⅤD金属及化合物薄膜2017-5-23 21:10:31
在微电子器件和集成电路中使用金属薄膜的场合很多,有导电性能良好的铝、铜、金、银等,多是PM6658作为与硅接触的内电极和(或)互连布线;有与硅接触势垒高且不发生互扩散的镍、铂、镉、镍铬和钨等,可...[全文]
溅射薄膜的质量及改善方法2017-5-23 21:02:45
溅射工艺和蒸镀工艺一样,也多在制备微电子器件内电极或集成电路互连系统的金属、合金及PIC16F687T-I/ML硅化物薄膜时使用。因此,要求溅射工艺制备的薄膜保形覆盖特性、附着性、致密性要好。对...[全文]
使薄膜的淀积速率也有大幅度提高2017-5-22 20:11:41
①提高了溅射效率,使薄膜的淀积速率也有大幅度提高,薄膜淀积速率与直流溅射相比提高了一个数量级。L79L05ACD13TR②可以降低系统内工作气体的气压,如当工作气体的气压在105P...[全文]
等离子体中离子浓度主要和工作气体的气压有关2017-5-22 19:53:16
等离子体中离子浓度主要和工作气体的气压有关。在原子电离概率相同时,升高工L7824CV作气体压力,离子浓度也相应升高。而在相同气压下,原子电离概率主要是由激发等离子体的电(磁)场特性决定的。升高...[全文]
溅射是当前集成电路制造技术中制备金属2017-5-21 17:25:31
溅射是当前集成电路制造技术中制备金属、合金和金属硅化物薄膜时常采用的Pvd方法,这种方法几乎可以制备任何固态物质的薄膜。BCM5673A1KPB与蒸镀相比,溅射薄膜具有附着性好,台阶覆盖能力较强...[全文]
膜的致密性2017-5-18 21:35:47
薄膜的致密性主要由淀积过程中的衬底工艺温度决定,在工艺温度范围之内,温度越OPA121KU高越有助于固态薄膜物分子(或原子)在衬底表面的迁移和排列,同时也有利于生成的气态副产物分子从表面解吸、被...[全文]
薄膜中的应力2017-5-18 21:32:58
淀积薄膜中通常有应力存在,如果应力过大可能导致薄膜从衬底表面脱落.或导致衬底弯曲,进而OP213FSZ影响后面的光刻工艺。因此,有必要分析薄膜中的应力的成囚.并通过工艺控制来减小薄膜中的应力。...[全文]
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