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互连材料是指将同一芯片内的各个独立的元器件连接2017-5-29 17:06:20
互连材料是指将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块;接触材ICS91730AMLFT料是指直接与半导体材料接触的材料.以及提供与外部相连的连接点;MC)sFET栅电极材料作...[全文]
干法刻蚀不像湿法刻蚀那样有很高的选择比2017-5-29 16:50:28
干法刻蚀不像湿法刻蚀那样有很高的选择比,过度的刻蚀可能会损伤下一层的材料,因此刻ICL7642ECPD蚀时间就必须准确无误地掌握。另外,机器的情况(如气体流量、温度、被刻蚀材料批次的差异等)不肖...[全文]
刻蚀参数 2017-5-28 14:49:58
刻蚀速率刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速率,通常用A/min表示。为了提OP291G高产量,希望有高的刻蚀速率。在采用单片工艺的设备中,这是一个很重要的参数。刻蚀速率由...[全文]
 湿法刻蚀参数 2017-5-28 14:37:20
湿法刻蚀参数如表111所示,在湿法刻蚀过程中必须控制基本的湿法刻蚀参数包括:刻蚀溶液的浓度、刻蚀的时间、反应温度及溶液的搅拌方式等。OB2353CPA由于湿法刻蚀是通过化学反应实现的,所以刻蚀溶...[全文]
利用光学邻近效应校正(oPC)技术与移相掩模板对图形进行改善2017-5-25 21:37:18
另一家生产电子束图形发生器的JedI冫td,在⒛05年也推出了针对65nm节点的高端掩模板制造设备JBⅪ3040MV,日前研发的设备也已达到32nm节点所需的描画精度。S29GL128P10TF...[全文]
光刻制版面临的挑战2017-5-25 21:28:20
从概念上讲,曝光系统的工作原理与照相机类似,就是通过一系列光学系统将掩模板上的图形按照一定的比例(如4:1)投影在衬底上的光刻胶涂层上。S2971F10理论上,如果衬底上的最小线宽(C⒒uccˉ...[全文]
制版工艺简介2017-5-25 20:59:38
图103所示为掩模板从设计到成形的制作流程。当设计人员将线路设计好且测试逻辑模式无误后,A1020BPL84C将此线路交由计算机辅助设计人员,转换为集成电路制造图形,并对布局排列做出最佳的安排,...[全文]
其他溅射方法2017-5-22 20:14:03
溅射工艺有多种方法,除了前述的直流、磁控、射频溅射以外,反应溅射、偏压溅射、离子束L92256溅射等方法在集成电路制造技术中应用得也越来越多,工艺技术也在不断完善。而不同的溅射方法相结合叉不断构...[全文]
激发气体等离子化的电场是交变电场的溅射方法2017-5-22 20:08:09
射频溅射(RF№tltte。llbo)是指激发气体等离子化的电场是交变电场的溅射方法。1966年IBM公司首先研发出了射频溅射技术,它可以溅射绝缘介质。L78M12CDT-TR这一溅射方法的出现...[全文]
蒸发速率2017-5-22 19:49:58
蒸发速率也对薄膜质量有重要影响。提高源的蒸发速率,有利于减少真空室残余气体对源蒸气和衬底表面的碰撞,能提高所淀积薄膜的纯度和与衬底的结合力,L7805ABV以及表面质量。但是,如果蒸发速率过快,...[全文]
蒸镀设备主要采用的加热器类型及性能特点如下2017-5-21 18:12:48
当前,蒸镀设备主要采用的加热器类型及性能特点如下。①电阻加热器。它是利OP27GS用电功率为源提供能量使源蒸发的。加热器材料多为难熔金属,如钨、钼、钽等,制成螺旋式、锥形篮式、舟式...[全文]
旋转叶片式机械泵的剖视2017-5-21 17:30:43
在MKS单位制中,气体压力以帕(Pa)为基本单位,在有些书籍和真空设备中也常用托(torr)表示,ltorr=133,32Pa。真空度与大气压(atm)的换算关系:1atm=01MI)a,1蔽m...[全文]
真空的获得方法2017-5-21 17:28:18
在微电子工艺中不同的工艺方法要求的真空度范围不同,通常将真空度大致划分为四个级别。BCM5751KFBG在不同的真空度范围,气体分子也处于不同的运动状态,这对于具体的工艺过程有重要影响。...[全文]
CVD-AL2017-5-20 22:26:56
对CVD一AL的研究从20世纪80年代初就开始了,但仍处于实验室研究阶段。日前,CⅥ》Al也有覆盖淀积和选择淀积两种制各方法。早期的CVD-Al主要是覆盖淀积,这种A1膜有...[全文]
CVD―W采用的工艺方法为冷壁式低压工艺2017-5-20 22:04:52
日前,CVD―W采用的工艺方法为冷壁式低压工艺。可以采用的钨源主要有WF6、WC坛和W(CO)6。ACT8846QM490-T其中,WF6使用最多,其沸点为17℃,直接输人C`0反应器可以精确控...[全文]
扩散和离子注入掺磷多晶硅的电阻率曲线2017-5-20 21:58:48
多晶硅薄膜厚度在nm或um数量级,通常为几十nm,而杂质在晶界中的快速扩散,使得杂ACT8601QJ318-T质在多晶硅薄膜中的扩散速率很快。扩散掺杂的缺点是工艺温度较高,而晶粒粒度随着衬底温度...[全文]
制各掺杂多晶硅薄膜通常是采取两步工艺2017-5-20 21:47:58
制各掺杂多晶硅薄膜通常是采取两步工艺:先LPCVD本征多晶硅薄膜,然后再进行离子注人或扩散掺杂。离子注入掺杂的优点是可以精确控制掺人杂质的剂量,适合不同掺杂浓度的多晶硅薄膜。选择A...[全文]
氮化硅无论是晶格常数还是热膨胀系数与硅的失配率都很大2017-5-20 21:17:38
氮化硅无论是晶格常数还是热膨胀系数与硅的失配率都很大,囚此,在凯N1/s界面硅的缺陷密度大,ACT2801CQL-T成为载流子陷阱和复合中心,影响硅的载流子迁移率,从而影响元器件性质;而且氮化硅...[全文]
离子注入与热扩散比较及掺杂新技术 2017-5-17 21:44:46
离子注人与热扩散技术作为两种主要掺杂方法,有各自的优缺点,本节分别就动力、杂质浓度RT8205LZQW、结深、横向扩散、均匀性、工作温度、晶格损伤及应用等方面对两种掺杂技术进行比较,并进而介绍几...[全文]
退火后往往会留下所谓的二次缺陷2017-5-16 21:33:01
退火时虽然通过简单损伤的复合可大大消除晶格损伤,但与此同时也有可能发生由几个简单损伤的再结合而形成复杂的损伤。因此退火后往往会留下所谓的二次缺陷。M74VHC1GT125DF1G二次缺陷可能影响...[全文]
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