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涂胶2017-5-24 21:24:59
经过涂底之后,就可以进行涂胶。在涂胶之前先把硅片放在一个平整的金属托盘上。托盘表HAT2068R-EL-E面有小孔与真空管相连,硅片就被吸在托盘上,这样硅片就可以与托盘一起旋转。涂胶工艺一般包括...[全文]
光刻是微电子工艺中最重要的单项工艺之一2017-5-23 21:37:39
光刻是微电子工艺中最重要的单项工艺之一。用光刻图形来确定分立器件和集成电路中的各个区域,如注人区、接触窗口和压焊区等。PMBT2907A由光刻工艺确定的光刻胶图形并不是最后器件的构成部分,仅是图...[全文]
电阻真空镀铝2017-5-23 21:11:55
常压下,铝熔点为660.4℃,沸点为2467℃,在1250℃时的平衡蒸气压为1,333Pa,所以1250℃是I程上规定的蒸发温度,这一温度并不高,PM7350-PI所以长期以来铝膜都是使用电阻加...[全文]
常压化学气相淀积2017-5-18 21:39:24
常压化学气相淀积(Λtm°splleⅡcPres乩teCl/Il,APCⅥ⑵是最早出现的CVD艺,其淀积过程在大气压力下进行。APCVD系统结构简单,淀积速率可以超过0.1um/min,较快。目...[全文]
几种常用杂质在硅中的核阻止本领与能量关系2017-5-15 21:27:51
图66给出了杂质As、P、B在硅中的能量损失与能量关系的计算值。由图66可见,对硅靶来说,注入离子不同,其核阻止本领达到最大的能量值是不同的。PA905C6RR较重的原子(如砷)有较大的核阻止本...[全文]
发射区推进效应2017-5-14 17:39:52
在npn窄基区晶体管制造中,如果基区和发射区分别扩硼和扩磷,则发现在发射区正下方的基区(内基区)要比不在发射区正下方的基区(夕卜基区)深,N04L63W2AB27I即在发射区正下方硼的扩散有了明...[全文]
集成电路工艺用的单晶硅片或外延硅片的性质2017-5-6 18:03:53
集成电路工艺用的单晶硅片或外延硅片的性质,对集成电路产品性能及芯片工艺有直接的影响,因NC12S0A0H40PNFA此,本书首先介绍单晶硅片和外延硅片的结构、特性及制备工艺。硅芯片单项工艺是集成...[全文]
直流电阻线圈的直流电阻2017-5-5 20:39:00
直流电阻线圈的直流电阻,一般允GD75323D许有±10%的误差。它与线圈的匝数及线圈的额定工作电压成正比。线圈电源与线圈功率线圈电源是指继电器线圈使用的工作电源类型(用来说明使用...[全文]
FY-1辐射计系统性能分析2017-5-4 19:49:31
FY-1辐射计系统性能分析FY-1卫星的辐射计的系统性能分析主要包含三个方面:光谱波段分析、主要部Q71800020000214件性能分析以及辐射定标。通过这些性能分析就可以将FY...[全文]
太阳Ⅹ射线成像仪2017-5-4 19:23:35
空间气象源于外层空间范围的太阳大气层,我们称作日冕,这是一层极热极稀薄的电离气体,Q3309CA40000311它的温度超过⒛0万℃。当太阳风流以及日冕质量喷发一旦靠近地球,就会产生地磁暴,表现...[全文]
不管是在氧化管中还是在等离子刻蚀反应室内2017-4-30 19:25:50
所有物质都可用其化学组成和由化学组成而决定的性质来区分。在这一节中,G18N120BN将定义好几个重要性质,这些都需要通过与半导体材料和工艺化学品打交道来理解。不管是在氧化管中还是...[全文]
多年来体硅是微芯片制造的传统衬底2017-4-30 19:21:01
多年来体硅是微芯片制造的传统衬底。G12-3630电性能要求新的衬底,例如像在蓝宝石这样的绝缘层t:硅(SOI),金刚石上硅(SOD)。金刚石比硅散热更好。另一种结构是淀积在锗硅晶圆卜的应变硅层...[全文]
砷化镓也不会取代硅成为主流的半导体材料2017-4-30 19:19:48
尽管有这么多的优点,砷化镓也G1117T63UF不会取代硅成为主流的半导体材料。其原因在于性能和制造难度之间的权衡,虽然砷化镓电路非常快,但是大多数的电子产品不需要那么快的速度。在性能方面,砷化...[全文]
存储器电路类型2017-4-29 12:28:55
除这些非易失性lC存储器系统,非易失性存储器还包括多种磁性存储器,例如硬盘A3935KLQ、软盘、磁带和光盘、只读存储器:在集成电路中,只读存储器(ROM)是主要的非易失性存储器。ROM代表只读...[全文]
西欧一些国家也对低温光学2017-4-27 22:10:00
自二十世纪七十年代开始,美国首先对低温光学技术展开了研究,最初主要用于各种观测、测量系统,EZJS1VD182例如低温红外望远镜、空载低温干涉仪等。从机载、球载到星载,绝大多数系统均成功而有效地...[全文]
光学视场外背景信号的抑制系数2017-4-27 21:23:56
光学系统对光学视场外的背景信号的抑制情况,通常用系统在不同视场角下的点源透过率函数来描述。EZJPZV080GA点源透过率函数(Poillt阮urceTrans而ttance,PsT)是杂光分析...[全文]
系统的成像光束2017-4-27 21:17:21
这部分入射光线全部照射在光学系统的第一表面上,是系统的成像光束。EZJP0V270EA对于会受到太阳光这样的强杂散光影响的光学系统,其遮光罩的主要目的是对太阳等强外部杂散光源进行有效的遮挡。这样...[全文]
太阳杂散光2017-4-26 23:10:43
对于太阳杂散光的光谱特性和时间特性在第1章1.3节“目标和背景辐射特性”中已经做了详细讨论。S29AL016D90BFI020太阳的辐射相当于温度为5900K的黑体辐射,峰值波长为0.456um...[全文]
机电式搜索信号产生器2017-4-25 22:06:49
机电式搜索信号产生器即为机电式信号源。它可以M25P40-VMN6产生直角坐标式的搜索信号和极坐标式的搜索信号。①产生直角坐标信号的机电搜索信号产生器这种搜索信号产生...[全文]
搜索信号产生器的类型2017-4-25 22:03:31
搜索信号产生器的类型搜索信号产生器基本上可以分为两种形式,即电子式和机电式。电子式搜索信号产生器电子式搜索信号产生器,完全采M25P32-VMF6G用电...[全文]
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