- 启动环节调试的步骤如下:2017/11/14 21:11:49 2017/11/14 21:11:49
- 启动环节调试的步骤如下:PI74FCT2573TS(1)将检修与工作开关转换在“△作”状态,逆变开关放在“关”位置。(2)按下逆变开关,看直流电压表显示的直流电压是否...[全文]
- 用于CMP DfM流程产生CMP工艺模型的方法2017/11/12 17:11:39 2017/11/12 17:11:39
- 有很多T艺模型用来精确预测VI'SI丁艺CMP处理后的铜表面形貌1ⅡⅡ.在过去⒛年,SN74LS164MEL工业界和学术界活跃地验证这些模型的精确性。以一个覆盖CMP物理和化学多层级的模型为例,...[全文]
- 观察输出波形2017/11/9 12:20:02 2017/11/9 12:20:02
- (1)观察输出波形：H006-10402888利用瞬态分析(TimeDomain)，在Probe窗口中得到out点的波形，观察波形是否失真，单击菜单Trace>EvaluateMeasur...[全文]
- 负反馈对放大器性能会产生一定的影响2017/11/9 12:18:43 2017/11/9 12:18:43
- 负反馈对放大器性能会产生一定的影响：(1)直流负反馈可以稳定静态工作点。H0052AB(2)负反馈可以改变放大器的输入电阻和输出电阻：串联反馈使放大器输入电阻增大；并...[全文]
- 给出基本放大电路原理图2017/11/9 12:11:44 2017/11/9 12:11:44
- 1．给出基本放大电路原理图。HCPL06392．给出没有调节的放大电路的静态工作点，并列出直流扫描分析后得到的对静态工作点影响较大的元器件参数。3．给出...[全文]
- 正向阻断峰值电压2017/11/8 12:09:17 2017/11/8 12:09:17
- 正向阻断峰值电压A4989SLDTR-T指在门极开路和正向阻断条件下，可以重复加在晶闸管两端上的正向电压峰值。反向阻断峰值电压【，RRM...[全文]
- 人体电阻作为三极管的偏置电阻2017/11/8 12:03:50 2017/11/8 12:03:50
- 另外，也可以A4982SLPT利用人体实现偏置，判别发射极E、集电极C管脚。方法是用双手分别握紧两个表笔的金属部分和三极管的发射极E、集电极C管脚，然后用舌尖接触三极管的基极B。人体电阻作为三极...[全文]
- 65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法 2017/11/7 21:37:52 2017/11/7 21:37:52
- 65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法在技术节点从90nm向65nm/45nm转变过程中,由于集成度的变化,对湿法清洗的主要影响是NiSi中Pt的引人,因为Pt相对Ni...[全文]
- 氧化硅湿法刻蚀2017/11/6 21:34:48 2017/11/6 21:34:48
- 氧化硅的膜层有很多种,生成方式不同,膜层特性也不一样。一般生成方式有炉管和化学气相沉积(CVD)等,S912XEP100J5MAG其膜层密度有较大差异。炉管的膜层应用于制程最初的热氧化层、NP井...[全文]
- 有机物、金属、颗粒的去除(SC1):2017/11/6 21:19:21 2017/11/6 21:19:21
- 有机物、金属、颗粒的去除(SC1):这一步是在(1)或(1)+(2)的基础上使用,或单独使用,以去除少量吸附的有机物,络合一、二、八副族金属(如Cu,Ag,Au,Cd,Co,Ni等),SCl可氧...[全文]
- 先进的刻蚀工艺控制 2017/11/5 17:17:34 2017/11/5 17:17:34
- 传统的刻蚀工艺常常依赖于一个固定的工艺程式以及经典的统计过程控制(SPC)。但QT2022-PRG-IC2是,SPC经常无法满足正态分布,它的不确定性可以放宽故障限制,降低了敏感性,使误报警上升...[全文]
- 栅侧墙刻蚀2017/11/4 11:26:25 2017/11/4 11:26:25
- 如图8.20所示,侧墙是一个用来限定LDr)结和深源/漏结宽度的自对准技术。MC908QY4ACPE它的宽度、高度和物理特性,成为等比例缩小CM(E技术的关键。为了缓解结等比例缩小趋势,并不以结...[全文]
- 进行剂量补偿是刻蚀后检查(AEI)CDU改善的成熟方法2017/11/2 20:45:04 2017/11/2 20:45:04
- 在显影后检查(ADI)CD,进行剂量补偿是刻蚀后检查(AEI)CDU改善的成熟方法。图8.16(a)显示的是一款65nm产品为了改善多晶硅栅的CDU,进行ADI补偿的过程。M74HC563RM1...[全文]
- 干法刻蚀的度量2017/11/1 19:55:02 2017/11/1 19:55:02
- 槽刻蚀被用来演示刻蚀工艺评价中常用的度量方法。所有的千法刻蚀T艺通常是由四个基本状态构成:刻蚀前,部分刻蚀,刻蚀到位和过刻蚀。OADM239A219它们的主要特性有刻蚀速率、选择性、深宽比、终点...[全文]
- 平行板型的刻蚀机可以是顶部或者是底部电容耦合2017/11/1 19:53:00 2017/11/1 19:53:00
- 平行板型的刻蚀机可以是顶部或者是底部电容耦合的,顶部功率反应器称作平行板,它OADM233A209LX04可以导致刻蚀具有方向性,但还不是完全意义L的各向异性刻蚀。这类反应器也经历过从批量刻蚀(...[全文]
- 干法刻蚀机的发展2017/11/1 19:49:09 2017/11/1 19:49:09
- 如图8.2所示,过去35年干法刻蚀机发展的历史是以开发反应器结构和增强各种物理化学参数的控制功能为标志的。OA1530-32-OUTH在等离子刻蚀I艺中,第一次提出平行板反应离子刻蚀(RIE)概...[全文]
- 刻蚀是当今世上最大的制造业2017/11/1 19:46:30 2017/11/1 19:46:30
- 刻蚀是当今世上最大的制造业超大规模集成电路(UL⒏)制造中影响重大且至关重要的技术之一。O4FMNBMTTNATFT在集成电路(IC)制造中,刻蚀是一种在暴露的硅衬底或晶圆表面未保护的薄膜...[全文]
- 亚衍射散射条2017/10/30 21:52:57 2017/10/30 21:52:57
- 两束光成像相比三束光成像具有更大的焦深,对于孤立的图形,由于进人光瞳的衍射级非常多,换句话说,UC3842其衍射谱是连续的,其焦深比密集图形要小。那么,如何提高孤立图形的焦深呢?在20世纪90年...[全文]
- 酚醛树脂-二氮萘醌光刻胶中的二氮萘醌的光化学反应结构2017/10/30 21:27:14 2017/10/30 21:27:14
- 光刻胶一般由以下几大组成成分构成:主聚合物主干(backbonepolymer)、光敏感UC2813D-3成分(PhotoactiveCompound,PAC)、刻蚀阻挡基团(etchingre...[全文]
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