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FP25R12W2T4

发布时间:2019/4/14 10:43:00 访问次数:50 发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
Infineon Technologies
FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙陇ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
封装 / 箱体: EASY2B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 56.7 mm
系列: IGBT4
宽度: 62.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561
单位重量: 39 g
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
系列: IGBT4
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966
单位重量: 39 g

功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
Infineon Technologies
FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙陇ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
封装 / 箱体: EASY2B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 56.7 mm
系列: IGBT4
宽度: 62.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561
单位重量: 39 g
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
系列: IGBT4
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966
单位重量: 39 g

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

FP25R12W2T4

功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
Infineon Technologies
FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙陇ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
封装 / 箱体: EASY2B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 56.7 mm
系列: IGBT4
宽度: 62.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
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工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
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零件号别名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561
单位重量: 39 g
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
系列: IGBT4
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966
单位重量: 39 g

功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
Infineon Technologies
FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙陇ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
封装 / 箱体: EASY2B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 56.7 mm
系列: IGBT4
宽度: 62.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561
单位重量: 39 g
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.25 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
系列: IGBT4
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 15
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966
单位重量: 39 g

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