- 可靠性评介技术2016/6/23 22:12:16 2016/6/23 22:12:16
- 微电子器件工艺质量和可靠性的评价与监测涉及3个主要的技术,分别是可ADM1181AARW-REEL靠性评价(RcliabilityEva1uationMonitor,ⅡM)、工...[全文]
- 步进应力加速寿命试验2016/6/23 22:04:47 2016/6/23 22:04:47
- 步进应力加速寿命试验简称步加试验:选定组加速应力水平凡<凡(・・《岛,它们都高于正常应力水平凡。ADM1181AAN试验开始时,把一定数量的样品都放置在应力水...[全文]
- 静电放电损伤2016/6/22 21:39:12 2016/6/22 21:39:12
- 放电损伤(Ehc丨ros丨ⅢcDkhgrge,EsD)EsD对集成电路损伤的严重程度与静电电压高低和能量大小有关。如果能量较则只能将元件击穿,电压消失后,器件性能仍能恢复到原始状态...[全文]
- 辐射引起的失效 2016/6/22 21:27:48 2016/6/22 21:27:48
- 在地球及外层空间中,辐射来自自然界和人造环境两个方面。辐射对微电子器件的损伤,可分为永久、半永久及瞬时损伤等情况。永久损伤就是指辐射源去除后,Q2006NH4器件仍不可能恢复其应有的性能的损伤;...[全文]
- 电迁移效应的加速寿命试验2016/6/20 21:25:53 2016/6/20 21:25:53
- 一般情况下昭的值为2,并且冼cσ)与炼(T)都与温度r有指数关系。金属离HBB15-1.5-A子运动的结果是在阴极局部形成空洞,造成开路失效,在阳极局部形成小丘造成“短路失效”。图5.13所示是...[全文]
- 金属原子受到电子风力的驱动2016/6/20 21:23:40 2016/6/20 21:23:40
- 当互连引线中通过大电流密度时,因为凡和电子流动方向相同,而Fq和电子流动方向相反且凡丹,所以金属原子受到电HBAA-40W-A子风力的驱动,产生了从阴极向阳极(沿着电子流动的方向)的受迫定向扩散...[全文]
- MOs器件2016/6/19 19:08:45 2016/6/19 19:08:45
- MOs器件。随着沟道电流的增加,热载流子增加,注入氧化层中使gt和么t增加,这使MOS器件的平带电压(/F:)、ESD5Z2.5T1G阈值电压(Kh)漂移,跨导(g“ma对)减小,变化达到一定数...[全文]
- 铜填充后的器件2016/6/19 18:25:19 2016/6/19 18:25:19
- 采用PⅤD沉积Ta浸润层,CVD沉积铜,此时凹槽中均已填充Ta和铜,接着进行铜CMP,EP2C5Q208C8N去掉表面多余的铜,最终形成金属2的互连,如图4.28所示。...[全文]
- 0.18um CMOS后段铜互连工艺2016/6/19 18:17:54 2016/6/19 18:17:54
- 铜互连工艺与铝互连不同之处在于金属互连采用铜互连,同时为了降低寄生电容,EP1C6Q240C8N金属层间的介质隔离采用低肟介质。由于金属铜难以腐蚀,因此采用大马士革(DamⅡccnc)的铜CMP...[全文]
- Spacer2016/6/18 20:53:03 2016/6/18 20:53:03
- LDD完成后,在圆片上沉积TEOs,随后进行各向同性的干法腐蚀,栅极多晶硅侧壁的TEOs被保留下来,OP220GSZ-REEL而其他地方的TEOs被去掉。接着对注入后的LDD进行高...[全文]
- 净化间需要维持恒定的温度和湿度2016/6/18 20:28:52 2016/6/18 20:28:52
- 厂房设计中,现代的净化间都分为生产区和灰区(设各维护区)。生产区的净化等级为1级,绝大多数设备维护在1OO0级的服务区内进行。OP2177ARM-R2净化间下面都设有包括大量的设施(如泵、管道系...[全文]
- 每一步湿法清洗的后面都跟着去离子水的冲洗2016/6/17 21:06:45 2016/6/17 21:06:45
- 每一步湿法清洗的后面都跟着去离子水的冲洗。清水冲洗具有从表面上去除化学清洗液和H12CA4890终止氧化物的刻蚀反应的双重功效。冲洗可用几种不同的方法来实现。未来的焦点集聚在提高冲...[全文]
- 工艺用水要求2016/6/16 20:51:14 2016/6/16 20:51:14
- 在晶圆制造的整个过程中,晶圆要OP249AZ经过多次的化学刻蚀与清洗,每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲刷,一个现代的晶圆制造厂每天要使用多达几百万加仑的水。由于半导体器件容易受到污染...[全文]
- 金属离子2016/6/15 21:06:02 2016/6/15 21:06:02
- 在半导体材料中,以离子形态存在的金属离子污染物,称为可动离子污染物(MIC,MobilcIonContamination)。CY27H010-45WMB这些金属离子在半导体材料中具有很强的可移动...[全文]
- 金属离子2016/6/15 21:06:01 2016/6/15 21:06:01
- 在半导体材料中,以离子形态存在的金属离子污染物,称为可动离子污染物(MIC,MobilcIonContamination)。CY27H010-45WMB这些金属离子在半导体材料中具有很强的可移动...[全文]
- 沟道效应会使离子注入的可控性降低2016/6/12 21:54:40 2016/6/12 21:54:40
- 沟道效应会使离子注入的可控性降低,甚至使得器件失效,因此,在离子注入时需要抑制这种沟道效应。A3245ELHLT-T沟道效应可以通过几种技术最小化:表层的无定型阻碍层,晶圆方向的扭转,以及在晶圆...[全文]
- 离子注入材料2016/6/12 21:51:13 2016/6/12 21:51:13
- 离子注入是一个物理过程,掺杂离子被离化、分离、加速(获取动能),形成离子束流,扫过硅片。A3245_06杂质离子对硅片进行物理轰击,进入表面,并在表面以下停止。离子源和引出装置通常放置在同一真空...[全文]
- 杂质扩散后结深的测量2016/6/12 21:33:20 2016/6/12 21:33:20
- 扩散结深定义为从晶圆表面到扩散层浓度等于衬底浓度处之间的距离。一般情A3242LLHLT况下,集成电路的结深为微米数量级,所以测量比较困难,常采用晶圆表面磨角法或滚槽法把结的侧面露出并放大,再进...[全文]
- 增加高温处理时间或者氧化层中磷的浓度2016/6/11 17:37:53 2016/6/11 17:37:53
- 提高温度,增加高温处理时间或者氧AD7892BN-3化层中磷的浓度,都会增加薄膜的流动性。当PsG中磷的浓度低于6%(重量百分比)时,流动性变得很差。BPsG(硼磷硅玻璃)之所以能替代PsG,因...[全文]
- 反应剂也可用硅烷和氨2016/6/11 17:35:07 2016/6/11 17:35:07
- 3SiC12H2(气)+4NH3(气)→si3N4(固)+6Hα(气)+6H2(气)反应剂也可用硅烷和氨,或者硅烷和氮,反应温度在200~40O℃之间。如果采AD7892BN-1用...[全文]
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