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缺陷的衍射能力与规则排列的晶体不同2016/7/31 16:15:56
2016/7/31 16:15:56
在放大倍数较低的时候,TEM成像的对比度主要由材料的不同厚度和成分对电子吸收不同造成的。ADS1230而当放大率倍数较高时,复杂的波动作用会造成成像亮度的不同,因此需图⒈31透射电镜成像示意图要...[全文]
对于变压器等磁性元件2016/7/30 12:07:00
2016/7/30 12:07:00
如果用户采用了未包括在模型参数库中的元器件，PSpice提供有4种建立模型和提取模型参数的方法，供用户选用。(1)对于晶体管一类器件，ASDX001D44R可以调用PSpice/M...[全文]
调用PSpice AA/Optimizer模块进行优化设计2016/7/30 11:33:15
2016/7/30 11:33:15
完成灵敏度分析后，就可ASCX150AN以针对灵敏度高的几个关键元器件参数，调用Optinuzer工具（参见6.3节），对电路进行优化设计，优化确定电路中关键元器件的参数值，以满足对电路各种性能...[全文]
半导体中常见的辐射复合示2016/7/29 21:58:33
2016/7/29 21:58:33
图1-25给出了半导体材料中的一些常见复合过程卩刀,包括:(a)载流子在导带与价带间跃迁复合BAT85所对应的带间跃迁过程,包括直接跃迁以及伴有声子的非直接跃迁过程;(b)经由禁带中的局域化杂质...[全文]
依据物理学理论2016/7/29 21:44:12
2016/7/29 21:44:12
当阴极灯丝受热后,释放出电子,该电子在高压电场的作用下向阳极高速运动,与阳极激烈碰撞后,BAT54-NXP电子部分动能转化为X光能,且以光量子的形式表现出来,此X光即为X射线,也即伦琴射线。...[全文]
Mo源分子的相对分子质量越大2016/7/28 22:25:16
2016/7/28 22:25:16
类似规律,Mo源分子的相对分子质量越大,熔点或沸点就会越高,而蒸气压则越低。A915AY-101M例如,TMGa和TEGa同为Ga的Mo源,TMGa的相对分子质量为114.82,小于TEGa的1...[全文]
高速旋转盘式反应室2016/7/28 22:06:22
2016/7/28 22:06:22
高速旋转盘式反应室:图1-10为美国维易科(Vccco)公司的立式高速旋转盘式反应室示意图。NH3与MO源连同各自的载气分别由气流法兰盘喷口注入,A914BYW-150M其法兰盘喷口与托盘距离较...[全文]
生长/放空(Run//Vcnt)多路组合阀(Mainfold)2016/7/28 21:42:01
2016/7/28 21:42:01
现在大家己经普遍认识到,生长/放空多路组合阀的设计和使用,使得MOCVD具有极高的灵活性和强大的新材料与复杂结构的生长能力。MOCVD能在同一个反应腔内精密生长多组分材料,以及精细结构的多层材料...[全文]
MO源供应子系统2016/7/28 21:33:34
2016/7/28 21:33:34
MO源供应子系统会根据工艺对Mo种类和使用量进行配置,通常一种元素需要配置至少一条含有该元素的MO源管路。每个Mo源管路均会包括管道、阀门、A1109AS-H-220M质量流量计(MFC)、压力...[全文]
外延生长中的物相演变及表面过程2016/7/27 21:57:10
2016/7/27 21:57:10
蓝光、绿光和紫外光LED的外延生长中,在确HD64F2238BFA13生长出高质量的GaN层的基础上,InGaN和Al⒍N材料的生长对得到所需的发光波长和效率有着决定性的意义,因为InGaN和A...[全文]
主要介绍红黄光LED外延结构设计与材料生长2016/7/27 21:21:39
2016/7/27 21:21:39
本书包括三部分。第一部HCPL-3120-500E分是外延技术,包括LED材料外延和检测技术、蓝绿光LED外延结构设计与制备、黄红光LED外延结构设计与制备,从外延和检测设备到LED外延结构及外...[全文]
计算机电源2016/7/26 22:59:01
2016/7/26 22:59:01
计算机属于弱电产品,其内部部件的工作电压比较低,一般使用±12V以内的直流电供电。D6F-P0001A1而普通的市电为”0V(有些国家为110V)交流电,计算机各部件无法直接使用。所以计算机和很...[全文]
外部用户接口2016/7/26 22:57:28
2016/7/26 22:57:28
台式机主机提供了丰富的外部接口,如串口、并臼、usB接口、网络接口等,用于连D6F-CABLE2接其他外设。串行接口的特点是通信线路简单,只需一对传输线就可以实现双向通信,数据传输...[全文]
平均访问时间2016/7/26 22:41:01
2016/7/26 22:41:01
平均访问时间(AvcragcAcccss△me)是指磁头从起始位置到到达目标磁道位置,并且从D6F-10A6-000目标磁道上找到要读/写的数据扇区所需的时间。平均访问时间体现了硬盘的读/写速度...[全文]
DDR3也属于sDRAM家族的内存产品2016/7/26 22:33:35
2016/7/26 22:33:35
DDIu/DDRⅡ(DoubleD哎aRate2)sDRAM是由JEDEC(电子设各工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,D6F-03A3-0...[全文]
常用的系统总线2016/7/26 22:11:12
2016/7/26 22:11:12
伴随着计算机技术的迅速发展和广泛应用,计算机系统总线也在不断地发展之中。常见的D2F-01FL系统总线标准有s-100、sTD、IsA、PCI等总线。下面就IsA系统总线进行简要介绍。...[全文]
VO指令中的数据宽度是由指令中使用的累加器确定的2016/7/25 20:31:45
2016/7/25 20:31:45
VO指令中的数据宽度是由指令中使用的累加器确定的,与yO端口的寻址方式无关。如果KMS40-24要传送字节数据,用AL累加器;传送字数据,用AX累加器。同时,CPU在寻址内存和外设时,使用不同的...[全文]
汇编语言源程序的结构2016/7/25 20:18:39
2016/7/25 20:18:39
鉴于8086系列微处理器都采用存储器分段管理,其汇编语言都是以逻辑段为基础,按段的KMD40-524概念来组织代码和数据的,因此作为用汇编语言编写的源程序,其结构上具有以下特点:①...[全文]
8086的引脚功能2016/7/24 18:40:58
2016/7/24 18:40:58
8086微处理器采用40条引脚的双列直插式封装。为减少引脚,采用分时复用的地址/数据总线,F100102DC因此地址总线和数据总线公用相同的引脚。SO86微处理器具有两种工作方式:最小工作方式和...[全文]
物理地址的形成2016/7/24 18:35:10
2016/7/24 18:35:10
存储器分段以后,任何一个存储单元可被包含在一个逻辑段中,也可以包含在两个或多个重叠的逻辑段中,F0810MH只要能得到它所在段的段基址和段内偏移地址就可以对它进行访问。而对1MB存储器内的任何一...[全文]
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