MOSFET阈值电压吒h是在栅下面的半导体呈现强反型从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。CAP004DG由于刚出现强反型时,表面沟道中的导电电子较少,反型层的导电能力较弱,因此漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(如5OltA)时的栅源电压为阈值电压。同时,从使用角度讲,希望阈值电压Kh小一些好。由于阈值电压是决定MOsFET能否导通的临界栅源电压,因此它是MOSFET非常重要的参数。为了使器件获得适当的工作性能,阈值电压不能太大或太小。如果阈值电压太大,开启功率MOsFET所需要加的栅偏压就很大,这使得栅的驱动电路设计成为一个很麻烦的问题。而若阈值电压太小,则器件在处于关态时,可能由于栅端的噪声信号或在高速开关过程中引起的栅压升高等因素,使器件发生误操作。通过对不同电压等级的MOsFET在不同温度下表现出来的阈值电压进行测试,得出的结果是MOsFET的阈值电压随温度的升高而有所降低。这主要是因为本征载流子浓度下降了多个数量级,低的本征载流子浓度提高了基区的禁带变窄效应,这种效应的出现就需要更高的栅极电压来形成反型层。下面给出理想情况下阈值电压的基本表达式。器件的阈值电压‰的测量采用两种方法,即固定漏极电流法和最大跨导法。