本书包括三部分。第一部HCPL-3120-500E分是外延技术,包括LED材料外延和检测技术、蓝绿光LED外延结构设计与制备、黄红光LED外延结构设计与制备,从外延和检测设备到LED外延结构及外延生长技术进行了全面介绍。第二部分是芯片技术,包括LED芯片结构及制备工艺、蓝绿光LED芯片高光提取技术、红黄光LED芯片结构与制备工艺,从LED芯片制备基本工艺技术到整体工艺流程,以及先进的高光效结构,涵盖了GaN和AlGaInP两个材料系的芯片结构特性及制备过程,介绍了高压LED结构及制备技术。第三部分是LED封装技术,从封装的目的、光学设计和热学设计方面对封装技术进行了介绍。

   本书第1章1.1~l。4节由张伟博士编著。l。5节由王军喜研究员编著;主要介绍LED材料外延与检测技术,内容包括LED材料结构、LED外延生长、MOCVD设备、MOCVD源材料,以及Ⅲ族氮化物异质材料晶体质量与电学性质测试分析的部分手段与方法,如高分辨x射线衍射、光致发光谱、原子力显微镜、透射电镜、电压一电容以及霍尔测试。本书第2章由张宁博士编著。主要介绍蓝绿光LED夕卜延结构设计与材料生长,Ⅲ族氮化物蓝绿光LED的基本物理性质、能带结构设计与材料优化生长,主要包括氮化物材料的晶体结构、极化效应、异质结的能带结构以及载流子输运等物理基础,重点讲述了蓝绿光LED的多量子阱与电子阻挡层能带结构的设计与p型材料的优化生长。

   第3章李建军教授编著。主要介绍红黄光LED外延结构设计与材料生长,内容包括AlGaInP LED基本结构、外延材料选取、外延生长技术,以及共振腔LED结构设计及外延技术。