类似规律,Mo源分子的相对分子质量越大,熔点或沸点就会越高,而蒸气压则越低。 A915AY-101M例如,TMGa和TEGa同为Ga的Mo源,TMGa的相对分子质量为114.82,小于TEGa的156,91,其沸点(557℃)则也低于TEGa的沸点(143℃)。在不同金属MO源中,如相对分子质量为114。眨的TMGa蒸气压(在⒛℃为⒉3,⒄hPa)比相对分子质量为159.93的TMh(⒛℃为2,27hPa)的蒸气压高。然而也有表象上的特例:TM川的相对分子质量虽为”09,但它的蒸气压(在⒛℃为11.6hPa)却比相对分子质量大的TMGa还低。实际的原因是,TMAl在气相中是以二聚体形态存在,其相对分子质量应为1狃,18,大于TMGa的1l4.82,其蒸气压低于TMGa就比较好理解了。在系列Mo源中,在相对分子质量相近时,有机集团机构越复杂则蒸气压越高。此外,液体中分子间的相互作用也强烈地影响蒸气压。一般来说,比较高级、分叉较多的分子相互作用比较弱,蒸气压也就比较高。

   以上Mo源的各自的稳定性及蒸气压力特点之间的差异,在实际使用时都会加以考虑,且有针对性地对每种Mo源的源瓶压力和温度(水浴槽温度)甚至源瓶联结组合方式都做个性化设定。例如,TMGa因其蒸气压低,易于挥发,供源效率高,通常其源瓶温度设定在一10℃~10℃之间就足以满足反应所需的用量。而且,也因其供源效率高,TMGa目前是快速生长GaN本征层和n型G瘀层的主要Mo源。相应的,当需要用很小流量的TMGa生长量子阱等精细结构时,反而会特别设置双稀释管路,以便有节制地实现小流量精准供应。TMAl源瓶温度如果低于15℃,则其会在源瓶内“冻结”而难以有效供应气源。其源瓶温度通常设置在17~25℃之间。