- 常见半导体材料和介质材料的折射率和热导率2016/8/8 21:07:37 2016/8/8 21:07:37
- 设计DBR结构时,首先需FM25640-S要考虑两个方面的因素:一是所选的两种材料折射率的差值,此差值会决定该DBR结构的反射带宽和达到某一预设的反射率所需要的对数;二是每一层材料的厚度。当入射...[全文]
- 侧腐蚀工艺制备LED芯片2016/8/8 20:12:44 2016/8/8 20:12:44
- D.S.Kuo等人用热磷酸对GaN夕卜延层进行缺陷选择性湿法蚀刻形成倾斜侧边,制备了侧边腐蚀的LED器件,相对传统的LED,出光功率提高30%。FGL40N120AND图5-24是用侧腐蚀工艺制...[全文]
- 侧腐蚀工艺制备LED芯片2016/8/8 20:12:43 2016/8/8 20:12:43
- D.S.Kuo等人用热磷酸对GaN夕卜延层进行缺陷选择性湿法蚀刻形成倾斜侧边,制备了侧边腐蚀的LED器件,相对传统的LED,出光功率提高30%。FGL40N120AND图5-24是用侧腐蚀工艺制...[全文]
- 隐形切割的优势如下2016/8/7 17:39:16 2016/8/7 17:39:16
- 隐形切割可以解决上述问题。这个方法与其他激光切割的方法不同,EN80C196KB16激光聚焦在晶片内部是最大的一个不同点。sD方法不需要清洁晶片和其他产生的泥浆,因为不会在晶片上产生残留污染物。...[全文]
- 隐形切割(Stea|th Dicing, SD) 2016/8/7 17:37:09 2016/8/7 17:37:09
- 刀片切割是半导体制作过程中常用到的切割方法,但是刀片切割是一种机械的切割方式,EMP7032QC44-15割后会留下不想要的副产物和在晶片中产生应力。这导致晶片产生一些损伤,如裂纹、暗裂、碎屑等...[全文]
- 电流阻挡层(Current B|ocMng Layer,CBL) 2016/8/7 17:21:45 2016/8/7 17:21:45
- 因为蓝宝石的绝缘性,所以传统LED的N和P电极都做在芯片出光面的同一侧。P电极由薄的透明导电层和厚的金属焊盘构成。这种结构的P电极位于芯片出光面上,EE80C196KB16因此P电...[全文]
- 耗能器件功率降低2016/8/6 15:45:15 2016/8/6 15:45:15
- 耗能器件功率降低,降低驱K4H510838J-BCCC动器成本由于普通LED的电压低,驱动电流高,在实现电源的转化电路中需要更多的元器件,并且转换电路中的电子元器件也消耗很多的电能。但是,在同样...[全文]
- 倒装LED芯片的寿命和可靠性2016/8/5 20:40:37 2016/8/5 20:40:37
- 散热问题是功率型白光LED需重点解决的技术难题,散热效果的优劣直接关系到LED芯片的寿命和节能效果。GaN基LED是靠电子在能带间跃迁产生光的,其光谱中不含有红外部分,所以LED的热量不能靠辐射...[全文]
- 大功率芯片2016/8/5 20:19:20 2016/8/5 20:19:20
- 为了使单颗LED芯片发出更多的光,需要增加驱动电流,当电流增加时,LED芯片产生的热也增加,JCC5055A这影响LED芯片的光效与寿命,所以要使用大电流驱动就必须增加芯片面积,降低电流密度。典...[全文]
- 中功率芯片2016/8/5 20:13:30 2016/8/5 20:13:30
- 典型的中功率LED芯片尺寸有⒆×26mi12、1o×23mi12、10×3omi12、12×28mi12、14×30mi12、17×34mi12、⒛×3omi12、⒛×佃mi12、22×35mi...[全文]
- 对测试前的前道工艺进行检验2016/8/4 22:29:40 2016/8/4 22:29:40
- 在LED芯片生产中,点测分COW(chΦ>COW点测是芯片制造过程中,在做研磨减薄前对厚片进行的测试,MLV-L10D此测试一般不会将晶片上的芯粒进行全点测,而是按照需求设置机台对晶片上的芯粒按...[全文]
- ITo退火前(a)与退火后(b)界面2016/8/4 20:59:19 2016/8/4 20:59:19
- Kow-MingChang等人[11]在ITO与p-GaN中间插入了一层p-InGaN界面层,借助XPS、XRD、sIMS等测试结果,MLV-015D认为ITo退火后,少GaN中的Ga原子外扩散...[全文]
- 薄膜的主要参数有射频功率2016/8/4 20:43:12 2016/8/4 20:43:12
- PECVD工艺沉积So2薄膜时影响薄膜的主要参数有射频功率、压力、温度、气体流量比等。MLV-005D研究表明lbl,随着射频功率的增大,淀积速率先迅速增加,然后增加逐渐变缓,最后...[全文]
- 正性光刻和负性光刻2016/8/3 21:48:58 2016/8/3 21:48:58
- 光刻工艺是影响LED芯片制造良率最为关键的工艺,其工艺成本占LED芯片制造总成本很大一部分。JST7808CV在LED芯片制造过程中一般需要经过多次光刻,其中有正性光刻;也有负性光刻。...[全文]
- 对窗口层的要求有如下两点2016/8/3 21:00:58 2016/8/3 21:00:58
- 对窗口层的要求有如下两点:第一,窗口层对有源区辐射的光应是透明的,光吸收尽可能小;HER304第二,窗口层的电导率应尽可能高,以利于电流的横向扩展。可以想到的最简单的方法是通过增加p型AlGaI...[全文]
- 衬底间失配的细致调整2016/8/2 19:44:45 2016/8/2 19:44:45
- 对于G‰Inl`与衬底间失配的细致调整,由于Mo源流量的改变很小,可利用失配度与Mo源流量改变值的简单线性关系进行推定。例如,设两次连续实验中所有工艺条件相同,AAT2842AIBJ-EE-T1...[全文]
- 输入反应室内含有A或B的Mo源的初始分压2016/8/2 19:42:34 2016/8/2 19:42:34
- 下面讨论在材料外延过程中,如何通过调整ⅡI族源的流量达到固相GaxIn1“P夕卜延层所期望的组分比豸。G‰In1~艿P属Ⅲ-III△V系固溶体,AAT2805IXN-4.5-T1其通式可写为戍B...[全文]
- 采用不同EBL的LED发光效率对比图2016/8/1 22:49:20 2016/8/1 22:49:20
- 图⒉25具有pˉAlGaN电子阻挡层的LED能带结构示意图及EBL价带局部示意图由于p-AlGaN电子阻挡层存在以上问题,L7806CV-DG研究者们尝试采用晶格及能隙变化范围较大的IllAlN...[全文]
- 电子挡层的电子限制作用2016/8/1 22:03:41 2016/8/1 22:03:41
- 在在氮化物多量子阱LED中,大电流密度下注入到有源区的高能量载流子会穿越有源区,L6920DBTR形成漏电流,漏电流的大小与靠近有源区与p型层界面的载流子浓度有关。若要减少漏电流,阱垒势度需大于...[全文]
- 多量子阱界画的优化生长 2016/8/1 21:20:20 2016/8/1 21:20:20
- GaliN/GaN多量子阱作为蓝绿光LED的核心部分,其生长质量对LED发光性能有至关重要的影响。在InrGal”N/GEN多量子阱生长过程中,其界面质量与生长条件密切相关。L6562生长InY...[全文]
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