在在氮化物多量子阱LED中,大电流密度下注入到有源区的高能量载流子会穿越有源区,L6920DBTR形成漏电流,漏电流的大小与靠近有源区与p型层界面的载流子浓度有关。若要减少漏电流,阱垒势度需大于圯r,这样才能有效的将载流子限制在有源内。在大电流下,载流子获得足够的能量脱离多量子阱区的机制称之为载流子泄漏。当注入到量子阱内的电流增加时,量子阱内的载流子浓度及相应的费米能级也随之增加,当电流密度高到使费米能级高于量子垒的高度时,即使进一步提高注入电流密度,量子阱内的载流子浓度也不会继续增加,此时载流子复合处于饱和状态。

   在氮化物LED中,电子的扩散长度远大于空穴,因此我们所探讨的载流子泄漏主要是电子泄漏。当电子拥有足够大的热动能时,摆脱有源区内势垒的束缚进入p型层区,降低了有效复合效率,导致LED的发光效率下降。不过该现象可以采用电子阻挡层(clcctronb1ocking lγcr,EBL)结构予以改善,如图2-24(a)与(b)所示,分别为有电子阻挡层与无电子阻挡层的InGaN发光二极管的能带结构示意图。从图中可以看出AlC.aN电子阻挡层插在多量子阱与p型层之间,A⒑aN的导带势垒高度大于量子阱与量子垒的导带高度,如

此以来电子只能具有更高的热动能才能进入p型层,这样就可以有效的将电子限制在多量子阱区内。