光刻工艺是影响LED芯片制造良率最为关键的工艺,其工艺成本占LED芯片制造总成本很大一部分。JST7808CV在LED芯片制造过程中一般需要经过多次光刻,其中有正性光刻;也有负性光刻。

   正性光刻工艺中,复制到晶片表面的图形与掩膜板上的图形是一样的。如图4‘所示为正性光刻的示意图。被紫外光曝光的光刻胶区域经过光化学反应,在显影时可在显影液中被溶解而去除,而不透明的掩膜板下没有被曝光的光刻胶则保留在待光刻晶片上。这种最终形成的光刻胶图形与掩膜板上的图形相同,所以这种光刻胶称为正性胶,简称正胶。保留下来的光刻胶经过坚膜硬化,它将留在晶片上,作为后续工艺的保护层,待后续工艺完成,作为保护层的光刻胶将会被去除。在蓝绿光LED芯片制造过程中的ITo光刻、钝化层光刻、台面图形(MEsA)光刻通常都是正性光刻完成的。