GaliN/GaN多量子阱作为蓝绿光LED的核心部分,其生长质量对LED发光性能有至关重要的影响。在InrGal”N/GEN多量子阱生长过程中,其界面质量与生长条件密切相关。L6562生长InYG幻“N/GEN多量子阱结构时阱和垒的厚度是首先要考虑的问题。Kozodoyl2剑等人研究了生长In02GaO:N/GaN多量子阱结构的阱宽和垒宽对多量子阱发光特性的影响,他们发现阱宽一般在2.5~3nm,在这一范围内PL强度最强,半宽最窄。对垒宽的研究发现,当阱宽在2nm、垒宽大于snm时其发光性能最佳。因此,InxGa1亠N/GaN多量子阱结构一般是几个纳米厚的薄层,对于这些超薄层的生长主要是能精确控制其厚度和界面的质量。一般来说,可以通过调整生长速率和生长时间来控制薄层的厚度,但是实际上在利用MOCVD生长这些超薄层时,其厚度受异质界面的质量影响。对于异质界面而言,我们要优化其生长质量主要是控制其生长时界面的平坦度、组分变化的陡峭度和界面的缺陷密度等"]。

   白mP钊等人研究发现In,Ga1jN/GaN多量子阱的对数会对量子阱的界面平坦度产生影响。他们生长了InlGa1~N(3nm)/GaN(8.5nm)的多量子阱结构,TEM结果显示如果量子阱的对数超过10对,界面的陡峭度会随着对数的增加而下降,图⒉23分别为量子阱对数为10对和⒛对时的TEM显微图像,可以看出,10对量子阱的界面要明显陡峭一些,而⒛对量子阱中可以看出有黑点聚集,该区域为富In的沉积物。出现In聚集现象的原因是随着量子阱对数的增加导致量子阱的总厚度增加,积累的应变能通过位错而弛豫,位错促进了InxGal”N层中富In相的形成。当量子阱的对数增加到15和20时,室温PL谱的强度也会由于界面结构的退化而大大降低,并且PL谱的峰位也由于富In区的出现发生了红移。