典型的中功率LED芯片尺寸有⒆×26mi12、1o×23mi12、10×3o mi12、12×28mi12、14×30mi12、17×34mi12、⒛×3o mi12、⒛×佃mi12、22×35mi12等尺寸。JC82535RDE通常中功率芯片会用60~150mA之间的恒定电流进行驱动。由于中功率芯片相对小功率芯片面积己经扩大数倍,仅制造两个PAD焊盘作为电极,电流分布不均匀,局部区域电流过于集中,影响芯片发光效率与使用寿命,通常会从两个PAD焊盘引出丘ngcr枝条电极。同时为了充分发挥枝条电极的作用效果,通常会将芯片设计成长条状的矩形结构,矩形结构的长通常是宽的15~4倍不等。常见的中功率芯片结构如图⒋23与图⒋z所示。

   根据应用端对电压、亮度等参数的要求,结合所采用工艺参数,如ITo厚度、外延片的具体情况等,中功率芯片常见的丘nger组合为“一根P nngCr搭配一根N丘nger”、“两根P丘ngcr搭配一根N fngCr”、“三根P nngcr搭配两根N ΠngCr”。'Finger电极宽度一般在4~ 7um。为了实现电流均分布在芯片表面,使得芯片发光效率高,稳定性好,一般芯片电极设计时应尽量依照对称性原则与P至N等间距原则。