对于G‰Inl`与衬底间失配的细致调整,由于Mo源流量的改变很小,可利用失配度与Mo源流量改变值的简单线性关系进行推定。例如,设两次连续实验中所有工艺条件相同,AAT2842AIBJ-EE-T1且TMIn的流量固定,使TMGa的流量增加AF TMGa,则Ga.In1`的正失配量将减小,通过XRD坝刂得失配度的改变量为△Ⅳ ppm,可得单位TMGa流量 改变引起失配度的变化为ΔF TMGa。

   下面介绍与衬底GaAs晶格匹配的四元系材料(A1Gal0o5Ino`的分 控制问题。在外延mGa1吖)05Ino`之前,首先需要在相同的工艺条件下外延与GaAs晶格匹配的A105In05P和Ga05In0`材料,且两者的TMIn流量相同,与A105In05P相应的TMAl的流量为厂TMAl,与GaO5InO hP相应的TMGa的流量为FJMGa。当外延生长(A1Ga1Jo5ho5P时,仍然采用之前A105In05P和GaO5In0~hP相同的工艺条件,如温度、压力、PHR流量和TMIn流量等,且TMA1和TMGa也同时通入反应室,但TMA1和TMGa的流量应分别为丌f_TMAl和(1△)・F TMGa。可见,在外延(A1GalDo5Ino5P材料之前,优化与衬底晶格匹配的、高质量A105In0`和GaO5In0`材料的外延生长工艺条件是非常重要的。