图⒉25 具有pˉAlGaN电子阻挡层的LED能带结构示意图及EBL价带局部示意图由于p-AlGaN电子阻挡层存在以上问题, L7806CV-DG研究者们尝试采用晶格及能隙变化范围较大的IllAlN材料作为电子阻挡层,InAlN带隙宽(2,8~4。⒛V),晶格匹配度高(InlAllαN,In含量在14%~”%与GaN只有0.5%的失配),MOCVD生长温度低,更适合当做绿光LED的电子阻挡层。suk Choi卩叨等报道了在注入电流为440mA的条件下,相比于采用Al02GaO d电子阻挡层的LED样品,具有In01:A10:2N电子阻挡层的LED样品光输出功率要高出佃%,同时效率衰减只有18%,如图⒉26所示。

   图⒉26 采用不同EBL的LED发光效率对比图

此外,AlGaN电子阻挡层中Mg掺杂及A1GaN层的厚度也制约着空穴向多量子阱内的注入效率。AlGaNˉ层中Mg的掺杂可以有效增加电子阻挡层中价带中的费米能级,提高空穴的注入几率;此外,p-AlGaN的厚度也制约着空穴的注入效率。随着少AlGaN厚度的 增加,p-AlGaN层对空穴的阻挡作用增大,并且造成了LED外延片质量和芯片发光强度的下降。