D.S.Kuo等人用热磷酸对GaN夕卜延层进行缺陷选择性湿法蚀刻形成倾斜侧边,制备了侧边腐蚀的LED器件,相对传统的LED,出光功率提高30%。 FGL40N120AND图5-24是用侧腐蚀工艺制备的GaN基LED芯片的结构示意图和用sEM拍的侧边形貌照片,明显可以看到芯片侧边的整个外延层被磷酸蚀刻干净,露出PSS图形,外延层底部蚀刻的深度比外延层表面蚀刻的深度要深,使得整个外延层形成倒T形,从而增加侧壁出光。图5-25展示了用LED光型仪测出的有无侧腐蚀工艺的LED发光光型图。在光型图中可以看出,(a)图四周发光明显比(b)图强,这说明侧腐蚀将LED侧壁腐蚀成倒T形能增加侧壁出光,从而增加了光功率和光提取效率。如图5-%所示是有无侧腐蚀工艺LED的z-f-/曲线,从图中可看到,1201nA驱动下,做了侧腐蚀工艺比未做此工艺的出光功率从50mW提高到65mW,提高30%。

   图5-24 侧腐蚀工艺制备LED芯片