现在大家己经普遍认识到,生长/放空多路组合阀的设计和使用,使得MOCVD具有极高的灵活性和强大的新材料与复杂结构的生长能力。MOCVD能在同一个反应腔内精密生长多组分材料,以及精细结构的多层材料。A1109AS-H-4R7M生长/放空多路组合阀的能力,由此可见一斑。一般一个生长/放空多路组合阀是由多个三通阀组成。图⒈6和图⒈7中都给出了组合阀的示意图。所有反应源都先进入该组合阀,在这里选择进入生长管线(Run)或放空管线(Vcnt)。进入生长管线的反应源被高速流动的载气带入反应室,而进入放空线的则被另外的载气携带到尾气系统中。Run//Vcnt组合阀的设计和功能满足了反应源必须能在两管线间快速、平稳地切换[16’l",以保证生长陡峭的异质结构或突变掺杂的需要。通过附加的流量补偿管路(见图1-6),使得切换时两管线间维持压力平衡。在实际生长和使用中,还可以控制放空线的流速,以维持在切换时的压力平衡。生长管线内气流吹扫不到或气流滞流难动的区域通常称作“死空间”,在管路设计和器件使用上均会考尽量减少或避免,并且还要尽量缩短从组合阀到反应室入口间的距离。特殊设计的生长/放空多路电磁组合阀的死空间己经低至0,陇cm3,且在管路布置上使之更靠近反应腔。考虑到各种源在管道内的黏附残留特性,会对它们各自的Run//X/cnt组合阀靠近反应腔的顺序进行优化布置。在实际工程设计中,为了防止Mo源和NH3之间的严重预反应(如TMAl和NH3),己将反应源分成不同组别以不同通道分别送入反应室,以免反应源过早混合在阀门内部形成加合物沉淀堵塞阀门,或进入反应室后在到达衬底前就过早反应而降低外延效率。