离子注入是一个物理过程,掺杂离子被离化、分离、加速(获取动能),形成离子束流,扫过硅片。A3245_06杂质离子对硅片进行物理轰击,进入表面,并在表面以下停止。离子源和引出装置通常放置在同一真空腔,用于从气态或固态杂质中产生正离子。带正电的离子由杂质气态源或固态源的蒸汽产生。通常用到的B+、P+、As+、s旷都是电离原子或分子得到的,最常用的杂质物质有B2H6、BF3、PH3、AsH3等气体。由于离子本身带电,因此能够被电磁场控制和加速。另一种供应杂质材料的方法是加热并气化固态材料,这种方法有时被用于从固态小球中获得砷As+和磷P+。固态源的缺点是气化时间较长(佃~180分钟)。气态源大多有毒且易燃易爆,使用时必须注意安全。从环境和安全角度出发,大多数IC芾刂造商更愿意使用固态离子源。注入材料形态选择如表2.8所示。