每一步湿法清洗的后面都跟着去离子水的冲洗
发布时间:2016/6/17 21:06:45 访问次数:774
每一步湿法清洗的后面都跟着去离子水的冲洗。清水冲洗具有从表面上去除化学清洗液和H12CA4890终止氧化物的刻蚀反应的双重功效。冲洗可用几种不同的方法来实现。
未来的焦点集聚在提高冲洗效果和减少水的用量上。在尺寸为50nm的器件上,每平方英寸硅片的水用量由目前的1.13×1σ1m3减少到7.57×10Jm3。
高水平的工艺成品率是生产性能可靠的芯片并获得收益的关键所在。本节将结合影响成品率的主要工艺及材料要素对主要的成品率测量点做出阐述。对于不同电路规模和成品率测量点的典型成品率也在本节中列出。
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