在半导体材料中,以离子形态存在的金属离子污染物,称为可动离子污染物(MIC,Mobilc Ion Contamination)。 CY27H010-45WMB这些金属离子在半导体材料中具有很强的可移动性,即使在器件通过了电性能测试并且从生产厂运送出去,金属离子仍可在器件中移动从而造成器件失效。危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属离子,它们在普通化学品和工艺中都很常见(如表3,5所示)。

   最常见的可动离子污染物是钠离子。钠离子是硅中移动性最强的物质,因此,对钠的控制成为硅片生产的首要目标。MIC的问题对MOs器件的影响更为严重,所以,在晶圆中,MIC污染物必须被控制在1010原子/cm2的范围内甚至更少。有必要采取措施研制开发MOs级或低钠级的化学品。这也是半导体业的化学品生产商努力的方向。