MOs器件
发布时间:2016/6/19 19:08:45 访问次数:2189
MOs器件。随着沟道电流的增加,热载流子增加,注入氧化层中使gt和么t增加,这使MOS器件的平带电压(/F:)、 ESD5Z2.5T1G阈值电压(Kh)漂移,跨导(g“ma对)减小,变化达到一定数值即引起失效。图5.1所示是MOS器件中热载流子注入效应示意图。
热载流子主要为热电子,所以N沟道MOS器件的热载流子注入效应比P沟道MOs器件的明显。文献报道:对于纳米器件,有效沟道长度缩小到65nm,漏源电压(‰s)降至1.2V时仍发生热载流子效应,此时PMOs器件的热载流子注入效应变得明显起来。
MOs器件。随着沟道电流的增加,热载流子增加,注入氧化层中使gt和么t增加,这使MOS器件的平带电压(/F:)、 ESD5Z2.5T1G阈值电压(Kh)漂移,跨导(g“ma对)减小,变化达到一定数值即引起失效。图5.1所示是MOS器件中热载流子注入效应示意图。
热载流子主要为热电子,所以N沟道MOS器件的热载流子注入效应比P沟道MOs器件的明显。文献报道:对于纳米器件,有效沟道长度缩小到65nm,漏源电压(‰s)降至1.2V时仍发生热载流子效应,此时PMOs器件的热载流子注入效应变得明显起来。
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