铜填充后的器件
发布时间:2016/6/19 18:25:19 访问次数:540
采用PⅤD沉积Ta浸润层,CVD沉积铜,此时凹槽中均已填充Ta和铜,接着进行铜CMP, EP2C5Q208C8N去掉表面多余的铜,最终形成金属2的互连,如图4.28所示。
多层金属互连以及Pad
金属3及其上层金属工艺与金属2类似。在顶层金属完成后,采用PECVD的方法沉积s圮N4和sio2,作为器件的钝化保护层。Pad光刻并腐蚀掉⒏3N4和Si02,形成引线Pad(Bonding pad)区域。全部工序完成后的器件剖面图如图4.29所示。
采用PⅤD沉积Ta浸润层,CVD沉积铜,此时凹槽中均已填充Ta和铜,接着进行铜CMP, EP2C5Q208C8N去掉表面多余的铜,最终形成金属2的互连,如图4.28所示。
多层金属互连以及Pad
金属3及其上层金属工艺与金属2类似。在顶层金属完成后,采用PECVD的方法沉积s圮N4和sio2,作为器件的钝化保护层。Pad光刻并腐蚀掉⒏3N4和Si02,形成引线Pad(Bonding pad)区域。全部工序完成后的器件剖面图如图4.29所示。
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