沟道效应会使离子注入的可控性降低
发布时间:2016/6/12 21:54:40 访问次数:1386
沟道效应会使离子注入的可控性降低,甚至使得器件失效,因此,在离子注入时需要抑制这种沟道效应。A3245ELHLT-T沟道效应可以通过几种技术最小化:表层的无定型阻碍层,晶圆方向的扭转,以及在晶圆表面形成损伤层。
通常的无定型阻碍层是生长出一薄层二氧化硅,这一层入射离子的方向是随机的,以便离子以不同的角度进入晶圆,不会直接沿晶体沟道深入。将晶圆取向偏移主要晶面3°~7°,可以起到防止离子进入沟道的效果。使用重离子,如硅、锗对晶圆表面的预损伤注入会在晶圆表面形成非晶层。非晶层中,原子的排列是无规则的,入射离子受到的碰撞过程是随机的,从而避免了沟道效应的发生。
沟道效应会使离子注入的可控性降低,甚至使得器件失效,因此,在离子注入时需要抑制这种沟道效应。A3245ELHLT-T沟道效应可以通过几种技术最小化:表层的无定型阻碍层,晶圆方向的扭转,以及在晶圆表面形成损伤层。
通常的无定型阻碍层是生长出一薄层二氧化硅,这一层入射离子的方向是随机的,以便离子以不同的角度进入晶圆,不会直接沿晶体沟道深入。将晶圆取向偏移主要晶面3°~7°,可以起到防止离子进入沟道的效果。使用重离子,如硅、锗对晶圆表面的预损伤注入会在晶圆表面形成非晶层。非晶层中,原子的排列是无规则的,入射离子受到的碰撞过程是随机的,从而避免了沟道效应的发生。
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