工艺用水要求
发布时间:2016/6/16 20:51:14 访问次数:502
在晶圆制造的整个过程中,晶圆要OP249AZ经过多次的化学刻蚀与清洗,每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲刷,一个现代的晶圆制造厂每天要使用多达几百万加仑的水。
由于半导体器件容易受到污染,因此所有工艺用水必须经过处理,达到非常严格的洁净度要求。
城市系统中的水包含大量的洁净室不能接受的污染物:溶解的矿物、颗粒、细菌、有机物、溶解的氧气、二氧化碳。普通水中的矿物质来自盐分,盐分在水中分解为离子。例如,食盐(氯化钠)会分解为钠离子和氯离子。每个都是半导体器件与电路的污染物。反渗透和离子交换系统可去除离子。去除带电离子工艺,使水从导电介质变成阻抗,这样可用于提高去离子(DI)水的质量,去离子水在25℃时的电阻是18兆欧姆。工艺水的目标与规格是18兆欧姆,超纯去离子水中不允许的沾污有溶解离子、有机材料、颗粒、细菌、硅土、溶解氧。水中的各种颗粒的相对尺寸如图3.7所示。
在晶圆制造的整个过程中,晶圆要OP249AZ经过多次的化学刻蚀与清洗,每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲刷,一个现代的晶圆制造厂每天要使用多达几百万加仑的水。
由于半导体器件容易受到污染,因此所有工艺用水必须经过处理,达到非常严格的洁净度要求。
城市系统中的水包含大量的洁净室不能接受的污染物:溶解的矿物、颗粒、细菌、有机物、溶解的氧气、二氧化碳。普通水中的矿物质来自盐分,盐分在水中分解为离子。例如,食盐(氯化钠)会分解为钠离子和氯离子。每个都是半导体器件与电路的污染物。反渗透和离子交换系统可去除离子。去除带电离子工艺,使水从导电介质变成阻抗,这样可用于提高去离子(DI)水的质量,去离子水在25℃时的电阻是18兆欧姆。工艺水的目标与规格是18兆欧姆,超纯去离子水中不允许的沾污有溶解离子、有机材料、颗粒、细菌、硅土、溶解氧。水中的各种颗粒的相对尺寸如图3.7所示。
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