放电损伤(Ehc丨ros丨Ⅲc Dkhgrge,EsD)

EsD对集成电路损伤的严重程度与静电电压高低和能量大小有关。如果能量较则只能将元件击穿,电压消失后,器件性能仍能恢复到原始状态。 JBP28S42MJ如果能量较在击穿后接着形成大电流对器件形成永久性损害。

   电路在加工生产、组装、储存及运输过程中,可能与带静电的容器、测试 设备及操作人员相接触,所带静电经过器件引线放电到地,使器件受到损伤或失效,它对各类器件都有损伤,而MOS器件特别敏感。静电放电失效机理可分为过电压场致失效和过电流热致失效。

    压场致失效多发生于MOs类器件,包括MESFET器件,表现为栅一源或栅一漏之间短路。过电流热致失效则多发生于双极器件,包括输入用PN结二极管护的MOs电路及肖特基二极管。由于静电放电形成的是短时大电流,使局部结温达到甚至超过材料的本征温度,使结区局部或多处熔化导致PN结短路,使器件彻底失效。

 件发生哪种失效取决于静电放电瞬间器件中放电回路的绝缘程度。如果有短路,则放电瞬间会产生强电流脉冲导致高温损伤,这就属于过流损伤。如果放电回路绝缘性很高,无直接的电流通路,在放电瞬间器件因接收了电荷产生高电压,导致强电场损伤,这时就发生了过压损伤。