金一铝键合处开路失效后,在电测试中又会恢复正常,表现出时通时断现象。JBP28S42此时可进行高温(200℃以上)存储,观察开路失效是否再次出现来确定。金铝化合物的生长速度取决于金和铝的纯度、有无杂质和环境等因素。IC铝焊盘的厚度大约是1um,因此,可以认为金球(Gold sphere)是金的无穷大来源,而铝焊盘则为铝的有限来源。因此,如此高的金原子比例导致主要金铝化合物为AuA炀和Au。Al。

   金溶于铝的速度比较快,所以化合物生长得更靠近铝的那边。然而,铝的数量有限并在不断减少,化合物的生长变得缓慢,金的扩散速度比化合物的生长速度要快,那么空隙就会在金和化合物之间出现,即“(rkenda11空洞”。如果空洞的面积超过整个金球,开路失效就发生了。另一个机理是化合物的生长压力。化合物的晶格常数(Lattice∞nstant)比金和铝都大,它伴随着生长而扩散,结果是焊点受到了压力。如果在这种条件下施加热应力,如温度循环测试,焊接部分就会裂开,开路失效就发生了。因为内部金属间化合物的生长强烈地依赖温度,所以在装配工艺中严格控制好温度,包括焊接的时间很有必要。