前段工序完成器件制作后,后段工序进行器件之间的互连。0.18um CMOS的介质平坦化采用CMP工艺。孔的填充材料采用钨(W),互连采用Al。 OP221GS-REEL首先沉积一层TEOS,然后沉积掺杂B和P的TEOS(BPsG)。掺杂B、P的TEOS具有较高的流动性,从而可以使得台阶覆盖良好。最后进行平坦化处理,使圆片表面变得更加平坦,如图4.17所示。沉积的TEOS和BPSG称为金属前介质。

   下一步进行接触孔(ContaGt)的光刻,并进行干法腐蚀。腐蚀掉未被光刻胶覆盖区域的介质。接着沉积△、△N和W。随后进行金属W的CMP,去除表面多余的W而只保留接触孔的W,形成最终的接触孔,如图4.18所示。