- 零部件参数的控制要求2012/5/7 19:41:50 2012/5/7 19:41:50
- 声表面波器件的零部件IRFB4410ZPBF主要是外壳，标准外壳底座材料主要有可伐的4J42铁镍合金或KOVAR合金，以及氧化铝陶瓷；主要有储能环焊外壳、平行缝焊外壳和无引线片式载体外壳等几种。外...[全文]
- 辅助材料的控制要求2012/5/7 19:38:59 2012/5/7 19:38:59
- 辅助材料仅在声表面波器件VN1160T-E的制造过程中使用，但并不构成其结构。虽然这些材料不是声表面波器件结构的一部分，但是它们对可靠性的影响不可忽视，也需要严格控制。(1)化学清洗材料化学清洗材...[全文]
- 降额设计2012/5/3 19:44:17 2012/5/3 19:44:17
- 降额设计的目的是使电容器满足技术标准AT89S8252-24PU的同时还要预留更多的富余量，从而达到降低基本失效率，提高使用可靠性。降额设计有温度降额设计、电压降额设计、环境降额设计等内容。温度降...[全文]
- 性能稳定性设计的内容和针对性措施2012/5/3 19:38:20 2012/5/3 19:38:20
- 各种电子设备对电容器的性能稳定性有较DS90CF562MTD高要求，性能稳定性包含两个方面内容：一是同批次产品的一致性；二是单支产品的耐久性。电容器性能稳定性设计是指电容器在各种环境条件以及长时间...[全文]
- 耐环境设计的总体要求2012/5/3 19:34:15 2012/5/3 19:34:15
- 电容器的耐环境设计主要是考虑电容器LH28F160S3HT-L10A在一般环境、特殊环境以及辐射环境下的电性能指标的稳定性。电容器温度系数或极限温度下电容量变化，防止在各种应力条件下的失效等。根据...[全文]
- 总体可靠性设计三大方面2012/5/3 19:04:22 2012/5/3 19:04:22
- 1.芯子的可靠性设计电容器芯子是电容器的主体结构，其可靠PBSS303PZ性设计是电容器可靠性设计的关键，其设计原则应遵守：①在规定体积下，应符合规定的基本电性能指标要求。②电极设计尽量减少等...[全文]
- 制订可靠性设计方案2012/5/2 20:02:17 2012/5/2 20:02:17
- 在制订可靠性设计方案前，须进行大量85HFL60S02的调查研究和可靠性信息收集分析。电容器可靠性设计方案应由下述内容组成。①确定可靠性指标体系。主要为：·必须消除和控制的失效模式。对于使电容...[全文]
- 电容器的特点和可靠性要求2012/5/2 19:53:21 2012/5/2 19:53:21
- 在电子设备中广泛使用的电A316J容器有玻璃釉电容器、云母电容器、钽（铝）电解电容器、纸和薄膜电容器、瓷介电容器等。这些电容器的体积、成本、电容量和电性能都相差各异，各自具有其特点。如就某一特性而言...[全文]
- 环境的控制要求2012/5/2 19:35:58 2012/5/2 19:35:58
- 1.净化车间设置要求按照产品设计、工艺文件的要求，产品从零CS5463-ISZ件组装到完成继电器封装（包括继电器零部件的组装、铆装、点焊、继电器的校正、清洗、焙烘、封边、充氮气、封工艺孔等）涉及继...[全文]
- 密封继电器常见的失效模式、失效机理及其控制措施2012/5/2 19:19:25 2012/5/2 19:19:25
- 根据失效分析的结果，提出防止失效再LTC1562IG-2次发生的纠正措施和建议，包括工艺、设计、结构、线路、材料、筛选方法和条件、使用方法和条件、质量控制和管理等各个方面。失效分析的结果是否正确，只...[全文]
- 基本原则与依据2012/4/29 22:03:26 2012/4/29 22:03:26
- 可靠性设计是系统工程，必须MST5C26-LF在“预防为主”、“综合权衡”的工作方针下，全方位考虑、全过程监控、系统性分析连接器整个寿命周期中对其可靠性有影响的管理、结构、材料、工艺、保管、使用、环...[全文]
- 寄生耦合设计技术2012/4/29 21:44:00 2012/4/29 21:44:00
- 由具有放大功能的半导体分立器XC6203P302PR件组成的电路，在高频或超高频工作时，必须防止由于寄生耦合而产生的寄生振荡。防寄生耦合应根据具体情况采取必要的措施。(1)防电源内阻耦合电源内阻...[全文]
- 防过热设计技术2012/4/29 21:38:05 2012/4/29 21:38:05
- 温度是影响半导体分立器件74LVC1G58GW寿命的重要因素。防过热的主要目的在于把半导体分立器件的结温控制在允许的范围内。一般情况下，硅半导体器件的最高结温为175℃，而锗为100℃，但经常为了...[全文]
- 分析结论2012/4/28 20:20:56 2012/4/28 20:20:56
- 从以上的分析过程中开帽前后SSH70N10A样品的反向漏电流数据可得出如下结论：①样品的反向漏电流变大，结电容变化、不稳定，从而导致振荡器的频率稳定度变差。②样品的泄漏率满足规范要求，说明漏电流...[全文]
- 改善器件和组件的散热2012/4/28 20:10:08 2012/4/28 20:10:08
- 改善器件和组件的散ADXRS652BBGZ热可从下述三个方面的措施来实现：①通过整体结构的优化设计改善组件的散热性能。②改进管壳结构设计，采用钨铜替代原来的无氧铜作为管壳的底座，利用钨铜与可伐侧...[全文]
- 提高GaAs FET器件所能承受的最高工作结温2012/4/28 20:07:42 2012/4/28 20:07:42
- 提高GaAsFET器件承受结温的工作2SC3425主要体现在三个方面：首先是通过提高GaAsFET器件的功率附加效率来减小管芯的热耗散；第二是通过优化管芯的热设计减小管芯的热阻；第三是通过管芯工...[全文]
- 与表面钝化层相关的模式2012/4/28 20:01:02 2012/4/28 20:01:02
- GaAsFET器件表面的钝化层对可LM311P靠性有较大的影响，例如高输出GaAsFET通电老化时直流特性和微波特性劣化就是典型的例子。人们对有和无钝化层的器件，给栅加反偏通电老化，结果各异。实验...[全文]
- 淀积Si02和硅酸盐薄膜，改善器件可靠性2012/4/27 19:55:54 2012/4/27 19:55:54
- 在金属化工艺后，用低温淀积SN75176N方法形成第二层钝化膜，其作用是免除片子操作过程中对金属化图形的划痕及密封管壳中导电颗粒的影响，降低表面离子运动的影响和有害气氛对金属化的腐蚀，提高金属化条抗...[全文]
- 熔化玻璃的器件的稳定性影响2012/4/27 19:52:56 2012/4/27 19:52:56
- 熔化玻璃的热膨系数高，作为钝化层时MJE15034G仅允许1Um的厚度。形成钝化熔化层玻璃组成取决于器件工艺过程的限制和设计，原始玻璃的主要性能是：颗粒大小（粉末状态）、熔化温度和熔融粘滞度。熔化玻...[全文]
- 微缺陷对器件性能影响及其控制方法2012/4/27 19:43:21 2012/4/27 19:43:21
- 微缺陷包括小夹杂、沉积物、分凝物LM311P及有关结晶学缺陷，微缺陷的尺寸在亚微米量级。采用切克劳斯基法、悬浮区溶法和无坩锅拉制的单晶都存在着微缺陷。快扩散重金属杂质易在微缺陷处沉积，使器件特性退化...[全文]
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