- 光敏电阻器2017/10/28 10:24:13 2017/10/28 10:24:13
- 光敏电阻器是一种电导率随吸收的光量子多少而变化的敏感电阻器。它是利用半导体的光电效应特性而制成的,在无光照射时呈高阻状态,当有光照射时其电阻值迅速减小。R05107ANP-011热...[全文]
- 金属膜电阻器的外形及结构与碳膜电阻器相似2017/10/28 10:23:12 2017/10/28 10:23:12
- 金属膜电阻器的外形及结构与碳膜电阻器相似,不同的是金属膜电阻器是在陶瓷骨架表面,R05107ANP经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜而成的。金属膜电阻器的性能比碳膜电阻器好,主要体现...[全文]
- 底部内切(undercut):与底部站脚相反2017/10/28 10:12:49 2017/10/28 10:12:49
- 底部内切(undercut):与底部站脚相反,内切是由于光刻胶底部的酸性较高,底部的去保护反应比其他地方的高。解决的思路正好同上面的相反。RLF7030T-3R3M4R1...[全文]
- 芯片区域内或者图形区域内的线宽均匀性改进2017/10/26 21:14:48 2017/10/26 21:14:48
- 由于影响此范围内的因素很多,只讨论一些主要的方法。(1)提高工艺窗口,优化工S8065K艺窗口。对于密集图形,可以采用离轴照明来同时提高对比度和对焦深度,通过相移掩膜版来提高对比度...[全文]
- 光刻机的找平一般有以下两种模式2017/10/25 21:37:30 2017/10/25 21:37:30
- 光刻机的找平一般有以下两种模式:(1)平面模式;在曝光区域上或者整片硅片上测量若干点的高度,然后根据最小二乘法定出平面;TA75393F(2)动态模式(扫描式光刻机专...[全文]
- 直到遇到不透明介质或者反射介质2017/10/25 21:35:27 2017/10/25 21:35:27
- 真实的系统要复杂得多,TA75358F其中包括如何将独立的分离开来。由于需要同时测量这三个独立的参量,一束光是不够的(只有横向偏移两个自由度),需要至少两束光。而且,如果需要探测在曝光区域或者狭...[全文]
- 曝光能量宽裕度,归一化图像对数斜率(NILs)2017/10/25 21:21:52 2017/10/25 21:21:52
- 曝光能量宽裕度,归一化图像对数斜率(NILs)在第二节中提到:曝光能量宽裕度(EL)是指在线宽允许变化范围内,曝光能量允许的最大偏差。TA7506M它是衡量光刻工艺的一项基本参数。...[全文]
- 显影后烘焙,坚膜烘焙2017/10/25 21:18:15 2017/10/25 21:18:15
- 在显影后,由于硅片接触到水分,光刻胶会吸收一些水分,这对后续的工艺,如湿发刻蚀不利。TA7504M于是需要通过坚膜烘焙(hardbake)来将过多的水分驱逐出光刻胶。由于现在刻蚀大多采用等离子体...[全文]
- 光刻技术发展历史2017/10/24 20:21:53 2017/10/24 20:21:53
- 自从1958年9月12日杰克・基尔比(Jacks.Kilby)发明了世界第一块集成电路以来,集成电路已经走过50多年的高速发展历程,现在最小线宽已经在20~30nΠ1之间,进XC1...[全文]
- 退火过程中晶粒的变化2017/10/24 20:18:44 2017/10/24 20:18:44
- 图6.45为铜晶粒大小与线宽的关系L31Ⅱ9J,由于硅片上的沟槽对铜晶粒的几何束缚作用,XC1765DJC退火之后铜晶粒大小对线宽相当敏感。对于相同的退火条件,线宽越小,退火之后铜晶粒越小。为了...[全文]
- 过电镀(orr p1athg)2017/10/24 20:11:39 2017/10/24 20:11:39
- 由于添加剂的作用,实际填XC17512LPI洞是以底部上长(bottomup)的方式进行的,孔槽底部的生长速率大于侧壁和开口处的生长速率,在填满孔槽的瞬间还会继续冲高生长,最终有孔槽部分的膜的厚...[全文]
- 金属互连 2017/10/23 20:50:52 2017/10/23 20:50:52
- 在半导体制造业中,铝及其合金在很长的时期里被广泛采用,实现由大量晶体管及其他器件所组成的集成电路互连。但是,随着晶体管尺寸的不断缩小,OPA2277UA原本应用了几十年的铝互连工艺,已经不能满足...[全文]
- W plugR制程2017/10/23 20:47:32 2017/10/23 20:47:32
- Wplug现在都采用有较高填洞能力的CVDI艺,主要有两个步骤,第一步是形核(nucleation),OPA2237EA第二步是体沉积(bulkdeposition)。为了降低阻值,业界针对这两...[全文]
- 预清洁处理2017/10/22 11:35:37 2017/10/22 11:35:37
- 当集成电路技术发展到65nm以下时,传统的预清洁处理(predean)方式HFdip和Arsputter已经不能满足制程的需要了,必须采用先进的SiCoNi预清洁处理腔。TC74LCX08FT它...[全文]
- 自对硅硅化物 2017/10/22 11:33:23 2017/10/22 11:33:23
- 图6,6是标准的Endura物理气相沉积(PVD)镍铂合金薄膜的机台结构,主要包括工部分:预清洁处理腔(prcdean)、镍铂(N←Pt)合金薄膜沉积腔和盖帽层(caplarr)TiN沉积腔。其...[全文]
- 包含采用碳离子植人后,使用固相外延技术来获得嵌入式碳硅工艺2017/10/21 13:15:39 2017/10/21 13:15:39
- 由于CVD工艺生长的嵌入式碳硅工艺具有一定的困难度,文献E17~20]报道了其他方面的努力,K4T1G084QF-BCF7包含采用碳离子植人后,使用固相外延技术来获得嵌入式碳硅工艺。嵌人式碳硅I...[全文]
- 超低介电常数薄膜 2017/10/21 12:38:24 2017/10/21 12:38:24
- 在超大规模集成电路△艺中,有着极好热稳定性、抗湿性的二氧化硅一直是金属互连线路问使用的主要绝缘材料,金属铝则是芯片中电路互连导线的主要材料。K4H561638N-LCCC每一个芯片可以容纳不同的...[全文]
- 晶闸管通态电流上升率2017/10/20 21:36:17 2017/10/20 21:36:17
- 参数表中所给的为元器件通态电流上升率的临界重复值,其对应不重复测试值为重复值的2倍以上,NC7SP08L6X在使用过程中,必须保证在元器件导通时的电流上升率都不能超过其重复值。晶闸...[全文]
- 光敏三极管可输出电流2017/10/20 21:14:01 2017/10/20 21:14:01
- 对于晶体三极管来说,当基极有输入电流J:时,在集电极就可得到电流Jc,r:和Jc的比值称为三极管的值。类似的,对于二极N8397BH管、三极管型光电耦合器来说,当光敏二极管通以正向电流△时,光敏...[全文]
- 感应线圈、补偿电容器及其连接铜排有短路点2017/10/19 22:26:23 2017/10/19 22:26:23
- 若上述检查增均正常,则再检RD9801查逆变晶间管(KK)是否损坏。用万用表R×1挡检测,如果测量晶闸管阴极与阳极之间的电阻为零,则晶闸管损坏,更换晶闸管。若中频电源逆变晶闸管损坏一只(两只),...[全文]
公网安备44030402000607
