当集成电路技术发展到65nm以下时,传统的预清洁处理(predean)方式HF dip和Arsputter已经不能满足制程的需要了,必须采用先进的SiCoNi预清洁处理腔。 TC74LCX08FT它主要包括两个步骤:刻蚀(etch)和升华(sublimation)。NF3和NH3在plasma的作用下产生活性粒子,活性粒子在低温条件下与硅片上的⒊O2发生反应生成易升华的化合物(NH4)2SiF6,然后在高温下将化合物(NH4)2⒏F6升华以达到除去native oxide的效果。其反应机理如图6.7所示。

   与HF dip和Ar sputter相比,⒏CoNi具有诸多优点[1]:

   (1)SiCoNi可以消除HF dip过程中存在的0time问题。由于HF dip与金属薄膜的生长必须在不同的机台上进行,在硅片传输的过程中,与大气接触使得硅片上重新生长一层 生比较强的plasma,对硅片表面产生强大的轰击效应,在除去Sl02的同时,也对硅片表面产生破坏作用,使硅片表面变得粗糙,缺陷增加,在形成硅化物的过程中容易形成尖峰状缺陷(spiking),见图6,8(a)。另外,反应腔内的plasma也会对硅片上的器件产生破坏作用。而SiCoNi采用remote plasma的方式,在反应腔内没有plasma,因此,对硅片表面和器件的破坏都较小,消除了尖峰状缺陷,见图6.8(b)。