- 为避免高频信号通过PCB走线时产生电磁辐射2017/10/13 21:21:26 2017/10/13 21:21:26
- 为避免高频信号通过PCB走线时产生电磁辐射,在PCB布线时还应注意以下几点。NUP2105LT1G(1)布线尽可能把同一输出而电流方向相反的信号走线平行布线,以消除磁场干扰。...[全文]
- 薄层金属沉积需要良好的台阶覆盖性2017/10/12 22:07:54 2017/10/12 22:07:54
- 在接触孔钨栓填充、后端互PT4115连工艺铜填充以及后栅极△艺中的栅极填充中,一个共同的组成部分是阻挡层或晶籽层沉积或类阻挡层沉积,或可统一成为薄层金属沉积。薄层金属沉积需要良好的台阶覆盖性(s...[全文]
- 对于导电材料的填充技术2017/10/12 22:06:34 2017/10/12 22:06:34
- 对于导电材料的填充技术,PT7C4337WEX早期的金属沉积工艺采用物理气相沉积(PhysicalVaporDepositi°n,PVD)I艺。但是,PVD技术的填充能力和台阶覆盖能力都比较弱。...[全文]
- 沟槽填充技术2017/10/12 22:03:36 2017/10/12 22:03:36
- 图2.2是现代CMC)S器件剖面的示意图。一般来说,水平方向的尺寸微缩幅度比垂直方向的幅度更大,PT4213这将导致沟槽(包含接触孔)的深宽比(aspectmtio)也随之提高,为避免沟槽填充过...[全文]
- 结型场效应晶体管 2017/10/11 22:15:53 2017/10/11 22:15:53
- 结型场效应晶体管(Jul.ctionFiel扯EffectTransistor,JFET)是在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区,并将它们连接在一起,所引出的电极称为栅极(G),N型半导体两...[全文]
- 自我对准金属硅化物工艺2017/10/11 22:02:58 2017/10/11 22:02:58
- 不过虽然多晶硅在过去的二十多年里已成为制造ⅣR)SFET栅极的标准,但也有OB3302CPA若干缺点使得工业界在先进CMOS器件产品中使用高介电常数的介质和金属栅极(High虑MetalGate...[全文]
- CMOS器件面临的挑战 2017/10/11 22:00:23 2017/10/11 22:00:23
- 一对N沟道和P沟道MOS管以推挽形式△作,构成互补的金属氧化物半导体器件(ComplemexltaryMetalC)xideSemi∞nductor,CMOS)。其组成的反相器基本电路单...[全文]
- EMC设计的基本方法一般有三种2017/10/10 21:12:56 2017/10/10 21:12:56
- EMC设计的基本方法一般有三种:问题解决法、规范法和系统法。问题解决法是过去应用较多的方法。REG102NA-2.5/250它就是在发现产品被检测出问题后进行有针对性的改进,是一种...[全文]
- 有用试验信号产生一个标准图像而无用信号产生一个性能降低的图像2017/10/10 21:07:49 2017/10/10 21:07:49
- 对于那些具有图像或声音或两者功能兼有的EUT(如电视机),其抗扰度的主观评价是对其采用监测其图像和/或声音的性能降低来进行的。REF3325AIDCKR这种方法与客观评价所用方法的不同之...[全文]
- 按照标准布置图进行试验布置和连接2017/10/10 21:05:15 2017/10/10 21:05:15
- 下面以台式EUT、采用宽REF3140AIDBZR带天线并在3m半电波暗室内进行的自动测量为例,来说明一般的试验程序。对于落地式或台式与落地式组合起来的EUT,试验人员可参照以下内容实施。...[全文]
- 天线距离地平面的高度应在规定的范围内变化2017/10/10 21:04:00 2017/10/10 21:04:00
- 对于电场强度测量,REF3130AIDBZR天线距离地平面的高度应在规定的范围内变化,以便获得直射波和反射波同相位时出现的最大读数。作为测量电场强度的一般规律,对于测量距离小于或等于10m时,天...[全文]
- 测量接收机应仅在测量点作参考接地2017/10/10 20:52:21 2017/10/10 20:52:21
- 在一个系统中,导致传导测量不准确的一个原因是存在地环路电流。在EUT的安全接地线中,安装一个频率范围为0.15~30MHz的sOuH的AMN,可能会阻断这个地环路电流。产生地环流的另一个原因是各...[全文]
- 测试应在每个调谐频段、可调谐单元或固定频道范围内2017/10/10 20:43:20 2017/10/10 20:43:20
- 如果EUT在正常使用时要运转较长的时间,那么它在整个试验期间都应接通,REF02BU/2K5在每一个测量频率上,只在获得稳定的读数(按照(2)的规定)后才记录该骚扰电平。对于军用设...[全文]
- EUT工作状态的选择是开始测试的第一步2017/10/10 20:41:35 2017/10/10 20:41:35
- 在电磁干扰测量过程中,对批量产品,通常用(gO%/gO%)来概括发射限值的含义。R1210N331D-TR-F它是一个统计上的含义,即“在统计的基础上,大量生产的产品至少有sO%符合限值的要求,...[全文]
- 静电(static electricity)定义为材料表面的电子不平衡导致的带电电荷2017/10/9 21:43:10 2017/10/9 21:43:10
- 静电(staticelectricity)定义为材料表面的电子不平衡导致的带电电荷。这种不N25Q128A13EF840F平衡产生的电荷可以产生电场并且可以影响一定距离之外的物体。静电放电(El...[全文]
- 热管散热2017/10/9 21:33:36 2017/10/9 21:33:36
- 热管散热是当前大功率LED灯具散热中应用较为广泛的散热技术,它是根N25Q032A13ESE40F据全封闭真空管内工质的气、液相变来传递能量。工作原理是:在热管冷热两端有温度差别时,位于蒸发段的...[全文]
- 用万用表的欧姆挡可简单地测量出电感器的优劣情况2017/10/8 19:55:19 2017/10/8 19:55:19
- 用万用表的欧姆挡可简单地测量出电感器的优劣情况。具体方法如下。Q1029A(1)万用表欧姆挡的选择:选择万用表的R×1k挡(先调零)。(2)万用表的连接方法:用万用表...[全文]
- 将万用表置于R×10k挡2017/10/8 19:53:59 2017/10/8 19:53:59
- (1)轻轻旋动可变电容器转轴,应感觉十分平滑,不应有时松时紧甚至卡滞的感觉。将转轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象。Q1017A(2)用一只手旋动转轴...[全文]
- 拉电源开关2017/10/8 19:31:25 2017/10/8 19:31:25
- 使用前应先参阅说明书的技术性能、控制件作用及使用方法,以帮助正确掌握仪器的使用范围及操作方法。使用前的检查QISDA-M66TXm⒛1型双踪示波器在使用前,应鉴别其工...[全文]
- 多次调整网格划分参数2017/10/6 22:48:39 2017/10/6 22:48:39
- 生成面网格之后,Opera3D根据已划分HCMP96870SIC/A的面网格进行体网格划分。单击菜单栏命令Model→GcnerateVolumeMesh,对话框中的参数代表网格生成过程空间两点...[全文]
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