- 逆变器包括4只快速晶间管和4只脉冲变压器2017/10/19 22:10:57 2017/10/19 22:10:57
- 在中频电源的整流部分正常情况下,接人逆变和中频负载,若不能正常开机启动,则RC2951MC先检查逆变主电路接线。若正常,但仍无法启动,则应检查逆变控制板;若正常,但还不能正常开机,则中频电源负载...[全文]
- HDP-CⅤD常见反应2017/10/18 21:10:22 2017/10/18 21:10:22
- HDPCVD可用于金属形成前或形成后。某些金属如NiSix或Al会对形成后的I艺温度有一定限制,而在HDPCVD反应腔中高密度等离子体轰击硅片表面会导致很高的硅片温度,另外,高的热负荷会引起硅片...[全文]
- 高密度等离子体化学气相沉积工艺2017/10/18 21:06:10 2017/10/18 21:06:10
- 在HDPCVD工艺问世之前,大多数NCP5661DT33RKG芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8um的间隔具有良好的填孔效果,然而对于...[全文]
- 半导体绝缘介质的填充 2017/10/18 21:04:17 2017/10/18 21:04:17
- 随着半导体技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸显著减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护,NC...[全文]
- 3D NAND2017/10/17 21:33:58 2017/10/17 21:33:58
- 自1984年日本东芝公司提出快速闪存存储器的概念以来,平面闪存技术经历了长达30年的快速发展时期。一方面,为了降低成本,存储单元的尺寸持续缩小。TA48033F但随着闪存技术进入1Jnm技术节点...[全文]
- PCRAM2017/10/17 21:26:00 2017/10/17 21:26:00
- 相变存储器顺利地朝向低操作电压、高编程速度、低功耗、廉价和高寿命(10:~1011)的方向发展,这种技术有望在未来取代NOR/NAND甚至是DRAM。TA2157FN相变存储器最常见的材料是在“...[全文]
- 其RF回路电流必须绕过镜像平面上的信号走线2017/10/16 21:06:57 2017/10/16 21:06:57
- 但在某些特殊情形下,一旦镜像平面的格局被破坏,则镜像平面就会失去消除共模骚扰的作用。S25FL008A0LMFI001由于在镜像平面上存在信号走线,因而在信号层的信号走线,其RF回路电流必须绕过...[全文]
- 电流返回的最低阻抗通道并非是最短路径高2017/10/16 21:04:15 2017/10/16 21:04:15
- 不管是对多层PCB的基准接地层还是单层PCB的地线,地线上的信号电流的路径总是从负载端返回到信号源端构成完整信号回路。返回通路的阻抗越低,PCB的EMC性能越好受流动在负载和电源之间的射频电流的...[全文]
- 时钟信号是解读数字信息的基础2017/10/16 20:57:25 2017/10/16 20:57:25
- 为了保证信号的正确传输,在进行EMC设计时,信号传输通道的带宽除了考虑信号的基频外,还得考虑谐波因素,特别是数字电路,通常带宽取基频的十倍频就足够了。RCLAMP0504S.TCT但在进行高速数...[全文]
- 应将高速元器件放在板的中心位置2017/10/16 20:56:15 2017/10/16 20:56:15
- 在插卡式PCB布置高速、中速和低速逻辑电路时,若所有的信号均要通过插槽与总线连接,RCLAMP0504PATCT应按照的方式排列元器件。高速元器件(快逻辑、时钟振荡器等)应安放在紧靠边缘连接器范...[全文]
- 电源及信号连接插座要尽量布置在PCB的四周2017/10/16 20:44:00 2017/10/16 20:44:00
- 对于电位器、可调电感线圈、可变电容器、微动开关等可调元器件的布局应考虑整机的结构要求。R5F21258SDFP若是机内调节,应放在印制板上便于调节的地方;若是机外调节,其位置要与调节旋钮在机箱面...[全文]
- 硅片垂直密集摆放在石英舟上2017/10/15 18:14:06 2017/10/15 18:14:06
- LPC、①是制备s3\薄膜的主要方法之一,它也是中温工艺,比H℃Ⅵ)s@中温工艺温度要高约100℃,有较好的台阶覆盖特性和较少的粒子污染。PIC12LF1840T48A然而u℃Ⅵ)战Nl薄膜的内...[全文]
- CVD是用来制备二氧化硅介质薄膜的主要工艺方法之一2017/10/15 18:01:31 2017/10/15 18:01:31
- CVD是用来制备二氧化硅介质薄膜的主要工艺方法之一,在集成电路工艺中,CX/lD二氧化硅薄膜的应用极为广泛。CVD二氧化硅与热氧化制备的二氧化硅结构相同,也是由⒏O四面体组成的无...[全文]
- 整个放电管将呈现明暗相间的辉光强度2017/10/15 17:49:17 2017/10/15 17:49:17
- 在辉光放电时,整个放电管将呈现明暗相间的辉光强度。为直流辉光放电时各参量的分布。PIC12F617-I/MS其中,辉光强度低的暗区相当于离子和电子从电场获得能量的加速区;辉光强度高的亮区相当于不...[全文]
- FV曲线的段是辉光放电区2017/10/15 17:47:51 2017/10/15 17:47:51
- ⒈V曲线的/9c段称为汤生放电区。当电压继续升高时,外电路转移给电子和离子的能量逐渐增加,PIC12F617电子的运动速度也随之加快,电子与中性气体分子之间的碰撞不再是低速时的弹性碰撞,而是使气...[全文]
- 载流子迁移率提高技术2017/10/14 10:42:14 2017/10/14 10:42:14
- 在高乃金属栅之外,另一种等效扩充的方法是增加通过器件沟道的电子或空穴的迁移率。R1EX24064ATAS0G表2.5列举了一些提高器件载流子迁移率的手段及其对PMOS或者NM(,S的作用。表2....[全文]
- 弥补几何微缩的等效勘 2017/10/14 10:37:04 2017/10/14 10:37:04
- MOS管的成功在很大程度上是因为其尺寸的降低能够同时提高器件的性能。CMOS的驱动电流每隔一代大致提升30%左右,如图2,6所示[1:1。R1EX24064ASAS0G过去40年问,半导体工业按...[全文]
- 信号的边沿速率也是越来越快2017/10/13 21:48:12 2017/10/13 21:48:12
- 由于芯片工艺飞速发展,信号的边沿速率也是越来越快,目前信号的上升沿都在1ns左右。NCS2200SQ2T2G这样就会导致系统和板级信号完整性(⒌)、电磁兼容性(EMC)的问题更加突出。快速的信号...[全文]
- 在开关管和变压器的邻近设置一只绍nF的射频去耦电容,2017/10/13 21:40:46 2017/10/13 21:40:46
- 一个由工作频率为硐0kHz的功率M0叩ET构成的开关电源,瞬变时间为10“数量级,NCP2890DMR2G因此开关波形的谐波分量超过了100MHz。去耦电器距离开关管的距离有几厘米,结果在电源和...[全文]
- 若电路板上既有高速数字电路2017/10/13 21:24:50 2017/10/13 21:24:50
- 若电路板上既有高速数字电路,又有线性模拟电路,应使它们尽量分开,而两者的地线不要相混,NCP1521BSNT1G分别与电源端地线相连,并要尽量加大线性电路的接地面积。尽量加粗接地线...[全文]
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- 曝光能量宽裕度,归一化图像对数斜率(NI
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