HDP CVD可用于金属形成前或形成后。某些金属如NiSix或Al会对形成后的I艺温度有一定限制,而在HDP CVD反应腔中高密度等离子体轰击硅片表面会导致很高的硅片温度,另外,高的热负荷会引起硅片的热应力。NCV8664-5V对硅片温度的限制要求对硅片进行降温,在HDP CVD反应腔中是由背面氦气冷却系统和静电卡盘(electrc,statiC chuck)共同在硅片和卡盘之间形成一个热传导通路,从而来降低硅片和卡盘的温度。

HDP CVD的反应包含两种或多种气体参与的化学反应。根据沉积的绝缘介质掺杂与否及掺杂的种类,常见的有以下几种:

   (1)非掺杂硅(酸盐)玻璃(u⒈doped silicate glass,USG)⒏H4+02―→USG+挥发物

   (2)氟硅(酸盐)玻璃(flu。rosilicatc glass,FSG)⒏H4+SiF4+02―→FSG+挥发物

  (3)磷硅(酸盐)玻璃(phosphosilicate glass,PSG)

SiH4+PH3+02―→PSG+挥发物